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题名一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构
被引量：1
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作者
窦怀阳
薛晓勇
冯洁
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机构
上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第2期116-121,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61704029,61874028,61834009).
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文摘
新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(ASIC)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的纳米器件逻辑门电路。使用基于硬件描述语言的缺陷注入技术来仿真架构,仿真结果表明,这种架构可以100%检测缺陷和错误。为取得最小的纠错代价,需要保持尽可能小的单元阵列尺寸。Hspice软件仿真结果表明,碳纳米管或非(NOR)门输出延迟为2.89 ps,平均功耗为6.748 pW,与现有CMOS技术相比功耗降低2个数量级。
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关键词
内嵌自修复(BISR)
现场可编程纳米线互连(FPNI)
纳米器件逻辑
碳纳米管场效应管(cntfet)
电路纠错
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Keywords
built-in self-repair(BISR)
field-programmable nanowire interconnect(FPNI)
nanodevice logic
carbon nanotube field effect transistor(cntfet)
circuit fault-tolerant
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分类号
TB383.1
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN492
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名肖特基势垒碳纳米管场效应管建模方法
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作者
赵晓辉
蔡理
张鹏
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机构
空军工程大学理学院
空军工程大学工程学院
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第6期342-346,359,共6页
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基金
陕西省自然科学基础研究计划重点项目(2011JZ015)
陕西省电子信息系统综合集成重点实验室基金资助项目(201115Y15)
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文摘
在肖特基势垒型的碳纳米管场效应管半经典模型中,通常采用WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin)近似法求解透射系数,对所有经典转折点复杂的动量-位置关系进行积分,导致运算量巨大。通过研究透射系数的数值计算模型,给出了不同电压下的能带变化情况,分析了z轴方向动量-位置关系式,并进行线性拟合,以拟合值代替原来的积分式,简化了透射系数的求解过程。将基于该算法的模型与半经典模型进行仿真比较,发现两种模型的电压传输特性曲线相似度较高,可见模型精度较好。同时对模型的运行时间进行测试,模型的运算时间约为传统半经典算法的1/20,表明所建模型有效降低了运算量。
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关键词
碳纳米管场效应管(cntfet)
肖特基势垒
WKB近似
透射系数
动量-位置关系
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Keywords
carbon nanotube field effect transistor（cntfet）
Schottky barrier
WKB approximation
transmission coefficient
momentum-position relation
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分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
TB383
[一般工业技术—材料科学与工程]
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