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氧化钍的掺杂方式对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响
被引量:
6
1
作者
葛春桥
王金淑
+1 位作者
朱惠冲
董丽然
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期254-257,共4页
以固-固与液-固两种掺杂方式研究了氧化钍掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用SEM、EDS与金相显微镜分析了碳化钍钨的显微组织,并用静压力计与冲击试验台测试了两种碳化钍钨阴极的力学性能。研究结果表明,氧化钍的液-固...
以固-固与液-固两种掺杂方式研究了氧化钍掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用SEM、EDS与金相显微镜分析了碳化钍钨的显微组织,并用静压力计与冲击试验台测试了两种碳化钍钨阴极的力学性能。研究结果表明,氧化钍的液-固掺杂后钨基体中氧化钍分布的均匀性优于固-固掺杂,且碳化后钍钨阴极的晶粒尺寸明显小于固-固掺杂,抗冲击能量与静压强度均高于固-固掺杂的钍钨阴极。
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关键词
热电子发射
掺杂
碳化
钍钨
晶粒度
原子薄膜阴极
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职称材料
铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响
被引量:
1
2
作者
葛春桥
王贤友
+1 位作者
王金淑
朱惠冲
《真空电子技术》
2020年第4期34-36,40,共4页
以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响。研究结果表明,随着铼掺杂量的增加...
以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响。研究结果表明,随着铼掺杂量的增加,碳化钍钨阴极晶粒逐渐减小,静压强度与抗冲击能量逐渐增加,当铼掺杂量超过0.5%时,晶粒大小与力学性能无明显变化。
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关键词
铼掺杂
热电子阴极
碳化
钍钨
晶粒度
韧性
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职称材料
碳化工艺对碳化钍钨热电子阴极微观组织与残余应力的影响
3
作者
葛春桥
王贤友
《真空电子技术》
2020年第3期64-66,71,共4页
碳化后较大的残余应力是碳化钍钨阴极断裂的重要影响因素之一。通过优化碳化工艺研究了碳化温度与时间对碳化钍钨阴极微观组织与残余应力的影响,利用金相显微镜研究了碳化工艺对碳化钍钨微观组织的影响,采用X射线残余应力测试仪测量碳...
碳化后较大的残余应力是碳化钍钨阴极断裂的重要影响因素之一。通过优化碳化工艺研究了碳化温度与时间对碳化钍钨阴极微观组织与残余应力的影响,利用金相显微镜研究了碳化工艺对碳化钍钨微观组织的影响,采用X射线残余应力测试仪测量碳化后螺旋型阴极各圈的残余应力分布。结果表明通过优化碳化工艺能改善碳化钍钨阴极的应力分布状况,并提高碳化钍钨阴极的冲击韧性。
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关键词
碳化
工艺
热电子阴极
碳化
钍钨
残余应力
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职称材料
单端甲类FU—13胆机的实验
4
作者
安石
《无线电与电视》
2003年第2期31-33,共3页
关键词
单端甲类功率放大
电路设计
FU-13
直热式
碳化
钍钨
阴极束射四极管
原文传递
题名
氧化钍的掺杂方式对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响
被引量:
6
1
作者
葛春桥
王金淑
朱惠冲
董丽然
机构
广东威特真空电子制造有限公司
北京工业大学材料科学与工程学院
佛山宁宇科技股份有限公司
出处
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期254-257,共4页
基金
广东省省级科技计划项目(2013B090500083)
文摘
以固-固与液-固两种掺杂方式研究了氧化钍掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用SEM、EDS与金相显微镜分析了碳化钍钨的显微组织,并用静压力计与冲击试验台测试了两种碳化钍钨阴极的力学性能。研究结果表明,氧化钍的液-固掺杂后钨基体中氧化钍分布的均匀性优于固-固掺杂,且碳化后钍钨阴极的晶粒尺寸明显小于固-固掺杂,抗冲击能量与静压强度均高于固-固掺杂的钍钨阴极。
关键词
热电子发射
掺杂
碳化
钍钨
晶粒度
原子薄膜阴极
Keywords
Thermal electron emitting
ThO2-doped tungsten cathode
Grain size
Atoms- film cathode
分类号
TG146.21 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响
被引量:
1
2
作者
葛春桥
王贤友
王金淑
朱惠冲
机构
广东威特真空电子制造有限公司
北京工业大学材料科学与工程学院
佛山宁宇科技股份有限公司
出处
《真空电子技术》
2020年第4期34-36,40,共4页
基金
广东省省级科技计划项目(2013B090500083)。
文摘
以铼酸铵为掺杂剂研究了铼掺杂对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响。利用金相显微镜研究了铼的掺杂量对碳化钍钨晶粒大小的影响,并用静压力计与冲击试验台测试分析了铼掺杂量对其力学性能的影响。研究结果表明,随着铼掺杂量的增加,碳化钍钨阴极晶粒逐渐减小,静压强度与抗冲击能量逐渐增加,当铼掺杂量超过0.5%时,晶粒大小与力学性能无明显变化。
关键词
铼掺杂
热电子阴极
碳化
钍钨
晶粒度
韧性
Keywords
Rhenium-doping
Thermal cathode
Th-W carbonized cathode
Grain size
Microstructure
Impact toughness
分类号
O462 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
碳化工艺对碳化钍钨热电子阴极微观组织与残余应力的影响
3
作者
葛春桥
王贤友
机构
广东威特真空电子制造有限公司
出处
《真空电子技术》
2020年第3期64-66,71,共4页
基金
广东省省级科技计划项目(2013B090500083)。
文摘
碳化后较大的残余应力是碳化钍钨阴极断裂的重要影响因素之一。通过优化碳化工艺研究了碳化温度与时间对碳化钍钨阴极微观组织与残余应力的影响,利用金相显微镜研究了碳化工艺对碳化钍钨微观组织的影响,采用X射线残余应力测试仪测量碳化后螺旋型阴极各圈的残余应力分布。结果表明通过优化碳化工艺能改善碳化钍钨阴极的应力分布状况,并提高碳化钍钨阴极的冲击韧性。
关键词
碳化
工艺
热电子阴极
碳化
钍钨
残余应力
Keywords
Carbonization process
Thermionic electron cathode
Th-W carbonized cathode
Residual stress
分类号
TN105 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单端甲类FU—13胆机的实验
4
作者
安石
出处
《无线电与电视》
2003年第2期31-33,共3页
关键词
单端甲类功率放大
电路设计
FU-13
直热式
碳化
钍钨
阴极束射四极管
分类号
TN113 [电子电信—物理电子学]
TN722.75
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化钍的掺杂方式对碳化钍钨阴极微观组织与力学性能的影响
葛春桥
王金淑
朱惠冲
董丽然
《粉末冶金技术》
CAS
CSCD
北大核心
2016
6
下载PDF
职称材料
2
铼掺杂对碳化钍钨热电子阴极微观组织与力学性能的影响
葛春桥
王贤友
王金淑
朱惠冲
《真空电子技术》
2020
1
下载PDF
职称材料
3
碳化工艺对碳化钍钨热电子阴极微观组织与残余应力的影响
葛春桥
王贤友
《真空电子技术》
2020
0
下载PDF
职称材料
4
单端甲类FU—13胆机的实验
安石
《无线电与电视》
2003
0
原文传递
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