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碳化硼纳米线的制备和结构 被引量:5
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作者 韦进全 江斌 +1 位作者 李延辉 吴德海 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期256-259,共4页
以碳纳米管为模板,通过加热碳纳米管与硼粉的混合物,获得了笔直的硼碳纳米线.对纳米线的结构和成分进行研究,结果表明纳米线主要为B4C纳米线.在部分B4C纳米线的端部存在Ni颗粒,这些端部具有Ni颗粒的纳米线构成了纳米磁针.讨论了B4C纳米... 以碳纳米管为模板,通过加热碳纳米管与硼粉的混合物,获得了笔直的硼碳纳米线.对纳米线的结构和成分进行研究,结果表明纳米线主要为B4C纳米线.在部分B4C纳米线的端部存在Ni颗粒,这些端部具有Ni颗粒的纳米线构成了纳米磁针.讨论了B4C纳米线的生长机制,B4C纳米线的生长主要为硼原子在碳纳米管中扩散并发生化学反应,使得碳纳米管晶格结构发生重组,形成B4C纳米线.反应后,硼原子部分取代了碳纳米管中碳原子,修补了碳纳米管中的晶格缺陷,获得了形态笔直的B4C纳米线. 展开更多
关键词 碳化硼纳米线 制备 纳米 结构 化学气相沉积 掺杂
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碳化硼五次孪晶纳米线的结构弛豫现象研究
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作者 付新 袁俊 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期439-443,共5页
通过透射电子显微学方法研究纳米材料内部结构有助于理解界面与缺陷对纳米材料性能的影响。在碳化硼五次孪晶纳米线体系中,为了缓解5°角度过剩引起的五次孪晶轴心区域的弹性应变能,在纳米线内部会产生一些结构缺陷。本文通过系列... 通过透射电子显微学方法研究纳米材料内部结构有助于理解界面与缺陷对纳米材料性能的影响。在碳化硼五次孪晶纳米线体系中,为了缓解5°角度过剩引起的五次孪晶轴心区域的弹性应变能,在纳米线内部会产生一些结构缺陷。本文通过系列电子衍射分析结合暗场成像技术揭示了碳化硼五次循环孪晶纳米线中的一种结构弛豫模式。孪晶轴向纳米线边缘偏移从而导致其中2片单晶结构单元的缺失,形成仅具有3个单晶结构单元的非完整循环孪晶结构。统计分析发现此类结构弛豫现象少量存在于1100℃固相烧结合成的碳化硼五次孪晶纳米线中,从能量角度定性分析表明这可能与该结构弛豫发生过程中会产生具有较高能量的界面及表面有关。 展开更多
关键词 五次孪晶结构 碳化硼纳米线 结构弛豫
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