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一种新型超级联碳化硅结型场效应管
1
作者
修强
董耀文
+2 位作者
彭子和
秦海鸿
游霞
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第5期1105-1109,共5页
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅...
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4 500 V,25℃时开关时间小于80 ns,开关损耗约为15 m J,具有良好的开关特性。
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关键词
半导体器件
碳化硅
结
型
场效应管
高耐压
低损耗
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职称材料
题名
一种新型超级联碳化硅结型场效应管
1
作者
修强
董耀文
彭子和
秦海鸿
游霞
机构
南京航空航天大学自动化学院
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2018年第5期1105-1109,共5页
基金
国家自然科学基金项目(51677089)
中央高校基本科研业务费专项基金项目(NJ20160047
+1 种基金
NS2015039)
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX18_0287)
文摘
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进型超级联碳化硅结型场效应管的内部结构和工作原理,给出了元器件选择的依据与方法。对改进型超级联碳化硅结型场效应管的导通和开关特性进行了测试,实验测试得出改进型超级联碳化硅结型场效应管的阻断电压超过4 500 V,25℃时开关时间小于80 ns,开关损耗约为15 m J,具有良好的开关特性。
关键词
半导体器件
碳化硅
结
型
场效应管
高耐压
低损耗
Keywords
semiconductor device
SiC JEFT
high-temperature
low loss
分类号
TN46 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型超级联碳化硅结型场效应管
修强
董耀文
彭子和
秦海鸿
游霞
《电子器件》
CAS
北大核心
2018
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