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氮钝化SiC MOS界面特性的Gray-Brown法研究 被引量：2
1
作者 刘沙沙 秦福文 +3 位作者 朱巧智 刘冰冰 汤斌 王德君 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期211-214,共4页
降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm... 降低SiO2/SiC界面态密度,尤其是SiC导带附近的界面态密度,是SiC MOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体钝化处理SiO2/SiC界面,制作成MOS电容后通过I-V和低温C-V测试进行氧化膜击穿特性及界面特性评价。氧化膜击穿电场为9.92MV/cm,SiO2与SiC之间的势垒高度为2.69eV。使用Gray-Brown法结合Hi-Lo法分析C-V曲线,获得了距导带底EC0.05～0.6eV范围内的界面态分布,其中距EC0.2eV处的界面态密度降低至1.33×1012cm-2eV-1。实验结果表明,氮等离子体处理能有效降低4H-SiC导带附近的界面态密度,改善界面特性。 展开更多
关键词 二氧化硅 碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮钝化 界面态密度 Gray-Brown法
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SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究 被引量：1
2
作者 朱巧智 王德君 赵亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期339-342,共4页
高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技... 高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。 展开更多
关键词 4H碳化硅 金属氧化物半导体 二氧化硅/碳化硅界面 变角X射线光电子能谱 湿氧二次氧化
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SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价 被引量：1
3
作者 王德君 李剑 +2 位作者 朱巧智 秦福文 宋世巍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期310-314,共5页
降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能... 降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮等离子体 界面态密度
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SiC_p/Al-Si复合材料中SiC/Si的晶体学位向关系 被引量：1
4
作者 隋贤栋 罗承萍 +1 位作者 欧阳柳章 骆灼旋 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第B01期168-172,共5页
用 ＴＥＭ研究了离心铸造和挤压铸造的 ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料，发现 Ｓｉ优先在 ＳｉＣ表面上形核、长大，并形成大量“界面 Ｓｉ”及 ＳｉＣ／Ｓｉ界面 ＳｉＣ与 Ｓｉ之间不存在固定的晶体学位向关系，但存在（１１０１）Ｓｉ... 用 ＴＥＭ研究了离心铸造和挤压铸造的 ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料，发现 Ｓｉ优先在 ＳｉＣ表面上形核、长大，并形成大量“界面 Ｓｉ”及 ＳｉＣ／Ｓｉ界面 ＳｉＣ与 Ｓｉ之间不存在固定的晶体学位向关系，但存在（１１０１）ＳｉＣ ／／（１１１）Ｓｉ，［１１２０］ＳｉＣ ／／［１１２］Ｓｉ优先出现的位向关系，而（０００１）ＳｉＣ 展开更多
关键词 碳化硅 颗粒增强 铝基复合材料 晶体学 碳化硅/硅界面
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