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题名碳化硅晶圆的快速高质量复合加工方法
被引量：8
- 1
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作者
杨超
李福坤
任婷
魏源松
白杨
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机构
长春理工大学光电工程学院
中国科学院长春光学精密与物理研究所
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出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第13期141-146,共6页
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基金
国家自然科学基金(61905024)。
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文摘
为了提升单晶碳化硅(SiC)材料的抛光效率及表面质量,提出了将传统抛光与磁流变抛光(MRF)相结合的新方法,并对一块直径为100 mm的单晶SiC晶圆进行实际加工。首先,采用环抛技术将单晶SiC晶圆表面粗糙度快速加工至0.6 nm左右;然后,通过配制特殊的磁流变抛光液,采用磁流变抛光技术对晶圆进行35 min快速均匀抛光,改善了SiC晶圆表面的缺陷,消除了晶圆亚表面损伤;最后,采用纳米金刚石抛光液,通过环抛对SiC晶圆进行精抛光,获得了粗糙度为0.327 nm的高表面质量单晶SiC晶圆。该方法将单晶SiC晶圆的加工时间缩短了约7 h,有利于提升SiC晶圆的加工效率、精度及质量。
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关键词
光学制造
碳化硅晶圆
磁流变抛光
环抛
表面质量
亚表面损伤
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Keywords
optical fabrication
silicon carbide wafer
magnetorheological finishing
ring polishing
surface quality
subsurface damage
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分类号
O436
[机械工程—光学工程]
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题名碳化硅晶片减薄工艺对表面损伤的影响
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作者
谢贵久
张文斌
王岩
宋振
张兵
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机构
北京中电科电子装备有限公司
天津科技大学机械工程学院
北京科技大学材料学院
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出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2024年第6期967-972,共6页
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文摘
随着碳化硅功率器件和芯片技术的快速发展,对碳化硅物理强度、散热性及尺寸要求越来越高,因而,对碳化硅晶片的减薄处理逐渐成为晶圆加工的重要课题。由于碳化硅材料断裂韧性较低,在减薄加工过程中易开裂,碳化硅晶片的高效率、高质量加工成为急需突破的瓶颈。本文基于碳化硅晶片的磨削减薄工艺技术,从加工过程及基础原理出发,通过研究磨削减薄工艺中四个主要参数(砂轮粒度、砂轮进给率、砂轮转速和工作台转速)对晶片表面的损伤,如崩边和磨痕的影响,提出前退火减薄工艺,以提高晶片加工质量,降低晶片表面损伤。本研究工作揭示了晶片减薄工艺技术调控表面质量的方法,并在实验加工过程中验证成功,相关研究结果对加工难度大的硬脆材料晶片减薄技术具有重要的指导意义。
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关键词
碳化硅晶圆
减薄工艺
退火处理
表面损伤
砂轮粒度
损伤深度
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Keywords
silicon carbide wafer
grinding process
annealing process
surface damage
grinding wheel size
damage depth
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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题名碳化硅晶圆电气测试中局部放电的检测与定位方法研究
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作者
解晓慧
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机构
西安微电子技术研究所
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出处
《中国科技期刊数据库 工业A》
2024年第9期0164-0167,共4页
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文摘
伴随着微电子技术的发展,传统的硅锗半导体材料由于其自身材料特性等原因的局限性,在高温、高频、高功率以及光电等领域的应用越来越显示出其局限性。碳化硅器件以其独特的性能优势,在电力电子,光电子,电声技术和汽车电子等领域有广泛的应用前景。本论文是针对碳化硅晶片电特性测试过程中,局部放电检测与定位所遇到的问题而展开的。首先介绍了SiC晶片的电学特性,并讨论了局放效应对SiC晶片的影响。接着分析了非侵入式局部放电检测方法,并对定位法中的信号处理法及侵入式法进行了分析。最后,对全文进行了总结,并对未来的发展进行了展望。
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关键词
碳化硅晶圆
局部放电
检测方法
定位方法
信号处理
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分类号
TM855
[电气工程—高电压与绝缘技术]
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题名基于深度学习的高精度晶圆缺陷检测方法研究
被引量：4
- 4
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作者
史浩琛
金致远
唐文婧
王静
蒋楷
夏伟
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机构
济南大学物理科学与技术学院
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出处
《电子测量与仪器学报》
CSCD
北大核心
2022年第11期79-90,共12页
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基金
国家自然科学基金(62005094)
山东省自然科学基金(ZR2021MF128)
+1 种基金
济南市引进创新团队项目(2018GXRC011)
山东省工业技术研究院协同创新中心共建项目(CXZX2019007)资助。
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文摘
为了解决半导体制造领域缺陷检测中出现的检测效率低、错误率高、结果不稳定、成像精度低下导致无法精确地检测出不同种类的缺陷等问题,本文利用定制的CCD工业相机搭配高倍率的光学显微镜采集晶圆表面的扫描图像,结合改进的YOLOv4算法,实现了基于深度学习的高精度晶圆缺陷检测方法。实验表明,对于碳化硅晶圆缺陷,提出的方法模型可以识别各种复杂条件下的不同种类缺陷,具有良好的鲁棒性。对缺陷的平均识别精度达到99.24%,相较于YOLOv4-Tiny和原YOLOv4分别提升10.08%和1.92%。对缺陷的平均每图识别时间达到0.028 3 s,相较于基于Halcon软件方法和OpenCV模板匹配方法分别提升93.42%和90.52%,优于其他常规的晶圆缺陷检测方法,已实现在自主设计的验证系统和应用平台上稳定运行。
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关键词
深度学习
晶圆缺陷检测
碳化硅晶圆
YOLOv4
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Keywords
deep learning
wafer defect detection
silicon carbide wafer
YOLOv4
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分类号
TP391.41
[自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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题名碳化硅晶圆的清洗工艺研究
- 5
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作者
区灿林
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机构
比亚迪汽车工业有限公司
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出处
《中国科技期刊数据库 工业A》
2023年第12期41-43,共3页
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文摘
随着碳化硅功率芯片的线宽要求越来越高,污染物对晶圆和器件的影响也愈发突出,以致于洁净表面的清洗技术日益重要。本文借鉴传统的硅片清洗方法,开发了碳化硅晶圆的清洗工艺,并介绍了常用的晶圆清洗方法。其中湿法清洗占主流地位,湿法清洗工艺多采用RCA标准清洗法,配合一些基于物理的清洗方式如超声波、兆声波,流体射流、毛刷等,可满足大多数晶圆片的清洗要求。对于湿法清洗,常用清洗设备为槽式多片清洗机和单片清洗机等。掌握晶圆片清洗工艺技术是碳化硅晶圆产品开发中的关键环节。
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关键词
碳化硅晶圆
槽式清洗机
单片清洗机
RCA清洗
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名水导激光技术及其在半导体中应用
被引量：1
- 6
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作者
来克娴
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机构
机械工业第三设计研究院
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出处
《中国材料科技与设备》
2012年第2期12-14,共3页
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文摘
目前，随着晶圆厚度越做越薄和更多的三族、五族化合物半导体材料的应用，“钻石刀”技术越来越不能满足高质量的切割要求，晶圆切割开始使用激光技术。但传统的激光切割技术容易产生碎片，同时由于热影响在晶圆表面产生微细裂纹导致晶圆的断裂强度很低。为了解决这些问题，产生了一种新的切割技术——水导激光技术。这种技术采用头发丝细的水束流引导激光至工件表面，这就好比光纤一样。采用水导激光技术起初是为了解决切口热影响的问题，但该技术在克服光束发散和去除切割产生的熔融物质方面同样具有无可比拟的优势。全面介绍了水导激光切割技术的原理及其切割晶圆的应用，特别是在化合物半导体（砷化镓）晶圆、碳化硅晶圆方面的应用。
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关键词
水导激光
晶圆切割
砷化镓晶圆
碳化硅晶圆
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Keywords
Water Jet Guided Laser
Wafer cutting
GaAs wafer
SiC wafer
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分类号
TN249
[电子电信—物理电子学]
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