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题名SiC微波半导体在T/R组件中的应用前景
被引量：2
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作者
张福琼
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机构
南京电子技术研究所
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出处
《中国电子科学研究院学报》
2008年第6期631-634,共4页
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文摘
简述了SiC微波半导体的特性,通过与Si相关特性的比较,SiC在击穿电压、热传导率、增益特性等方面具有的显著优势,分析了SiC微波器件在有源相控阵雷达T/R组件中的应用前景,对T/R组件微波关键技术,功率放大链、高功率限幅器、低噪声接收机前端等微波半导体电路的设计思路进行了讨论,及SiC微波器件在T/R组件中的潜在应用,比较了Si和SiC时代,关键电路的特性及其技术状态,以及对未来军事电子设备相控阵雷达T/R组件发展的重要性。
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关键词
宽禁带半导体
碳化硅微波器件
T/R组件
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Keywords
wide band gap semiconductor
SiC microwave devices
T/R modules
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分类号
TN303
[电子电信—物理电子学]
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