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C(膜)/Si(SiO_2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析
被引量:
2
1
作者
邱晓燕
李建
+4 位作者
赵保刚
刘存业
王跃
刘晓东
林跃强
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期439-444,共6页
用直流辉光溅射 +真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,并对其进行了退火处理。用TEM、SEM、XRD和XPS对其进行了形态结构分析。TEM观察表明 :Si(SiO2 )纳米微粒基本呈球形 ...
用直流辉光溅射 +真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,并对其进行了退火处理。用TEM、SEM、XRD和XPS对其进行了形态结构分析。TEM观察表明 :Si(SiO2 )纳米微粒基本呈球形 ,粒径在 30nm左右。SEM观察表明 :夹层膜样品总厚度约为 5 0 μm ,膜表面比较平整、致密。 4 0 0℃退火后 ,样品表面变得凹凸不平 ,出现孔状结构 ;6 5 0℃退火后 ,样品表面最平整、致密且颗粒均匀。XRD分析表明 :制备出的夹层膜主要由SiO2 和Si组成 ,在C原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下 ,SiO2 和Si的含量随加热温度的升高而呈现交替变化 :4 0 0℃时 ,C的还原作用占主导地位 ,SiO2 几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高 ;4 0 0~ 6 5 0℃时 ,氧化作用占主导地位 ,Si又被氧化成SiO2 ,Si含量降低 ,SiO2 含量逐渐上升 ,在 6 5 0℃达到最高。XPS分析表明 :在加热过程中 ,C原子逐渐扩散进入Si(SiO2 )微粒层 ,在 6 5
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关键词
碳
膜
纳米微粒
夹层膜
碳
/
硅
/
碳
热处理
硅
基纳米发光材料
形态
结构
下载PDF
职称材料
题名
C(膜)/Si(SiO_2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析
被引量:
2
1
作者
邱晓燕
李建
赵保刚
刘存业
王跃
刘晓东
林跃强
机构
西南师范大学物理系
出处
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2001年第4期439-444,共6页
基金
国家教育部高校骨干教师资助项目
重庆市科委基金项目&&
文摘
用直流辉光溅射 +真空镀膜法制备了一种新型结构的硅基纳米发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,并对其进行了退火处理。用TEM、SEM、XRD和XPS对其进行了形态结构分析。TEM观察表明 :Si(SiO2 )纳米微粒基本呈球形 ,粒径在 30nm左右。SEM观察表明 :夹层膜样品总厚度约为 5 0 μm ,膜表面比较平整、致密。 4 0 0℃退火后 ,样品表面变得凹凸不平 ,出现孔状结构 ;6 5 0℃退火后 ,样品表面最平整、致密且颗粒均匀。XRD分析表明 :制备出的夹层膜主要由SiO2 和Si组成 ,在C原子的还原作用和氧气的氧化作用的共同作用下 ,SiO2 和Si的含量随加热温度的升高而呈现交替变化 :4 0 0℃时 ,C的还原作用占主导地位 ,SiO2 几乎全部被还原成了Si,此时Si含量最高 ;4 0 0~ 6 5 0℃时 ,氧化作用占主导地位 ,Si又被氧化成SiO2 ,Si含量降低 ,SiO2 含量逐渐上升 ,在 6 5 0℃达到最高。XPS分析表明 :在加热过程中 ,C原子逐渐扩散进入Si(SiO2 )微粒层 ,在 6 5
关键词
碳
膜
纳米微粒
夹层膜
碳
/
硅
/
碳
热处理
硅
基纳米发光材料
形态
结构
Keywords
Carbon film, Si(SiO_2) particle, C(F)/Si (SiO_2)(N)/C(F)
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
C(膜)/Si(SiO_2)(纳米微粒)/C(膜)热处理的形态及结构分析
邱晓燕
李建
赵保刚
刘存业
王跃
刘晓东
林跃强
《Chinese Journal of Chemical Physics》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2001
2
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职称材料
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