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一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究
被引量：
8
1
作者
刘红侠
郑雪峰
+2 位作者
韩晓亮
郝跃
张绵
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期2576-2579,共4页
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关...
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 .进一步改进GaAsPHEMT的击穿电压 。
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关键词
高电子迁移
率
晶体管
PHEMT器件
可靠性评估
碰撞
电离
率
GAAS
退化
沟道电场峰值
砷化镓晶体管
原文传递
基于标准CMOS技术的新型多晶硅发光器件的设计与实现
被引量：
5
2
作者
艾康
程骏骥
+6 位作者
朱坤峰
吴克军
刘钟远
刘志伟
赵建明
黄磊
徐开凯
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期300-306,共7页
目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴在轻和重质量带之间...
目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴在轻和重质量带之间的带内跃迁、高场条件下的电离和间接带间重组),对不同雪崩模式下的发光机理进行了理论分析;然后研究了器件内部的空穴和电子在反偏电压下的漂移及扩散情况,指出载流子注入增加了参与雪崩倍增过程的载流子数量,进而使碰撞电离率提高;最后对器件的电场、光谱、电流与光强等数据进行分析,对量子效率和光电转换效率进行计算,验证了所研究结构通过载流子注入实现了碰撞电离率的提高,进而实现了发光效率的提高,其中量子效率为5.9×10^-5,光电转换效率为4.3×10^-6。
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关键词
激光光学
集成电路工艺
全硅光学生物传感器
发光效
率
碰撞
电离
率
载流子注入
原文传递
一款75V功率场效应管失效分析与改进
3
作者
汪德波
冯全源
陈晓培
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期829-832,共4页
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高...
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。
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关键词
功
率
场效应管
失效分析
表面电场
碰撞
电离
率
可靠性
下载PDF
职称材料
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
被引量：
3
4
作者
王平
周津慧
+3 位作者
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期322-325,共4页
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方...
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
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关键词
6H-SIC
多粒子蒙特卡罗研究
各向异性
漂移速度
平均能量
电子
碰撞
电离
率
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职称材料
题名
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究
被引量：
8
1
作者
刘红侠
郑雪峰
韩晓亮
郝跃
张绵
机构
西安电子科技大学微电子研究所
信息产业部十三所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第10期2576-2579,共4页
基金
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 0 6 0 0 6 )
国防预研基金 (批准号 :0 0J8.4 .3DZ0 1)资助的课题~~
文摘
通过研究应力前后GaAsPHEMT器件电特性的测量 ,分析了GaAsPHEMT退化的原因 ,从实验中得出高场下碰撞电离的电离率与器件沟道电场峰值的关系曲线 .对高场下碰撞电离率的实验曲线进行拟合 ,可以得到碰撞电离率与器件沟道电场峰值的量化关系 ,由此可以对GaAsPHEMT器件的电性能和可靠性进行改善和评估 .进一步改进GaAsPHEMT的击穿电压 。
关键词
高电子迁移
率
晶体管
PHEMT器件
可靠性评估
碰撞
电离
率
GAAS
退化
沟道电场峰值
砷化镓晶体管
Keywords
high electron mobility transistor
impact ionization rate
evaluation of reliability
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
基于标准CMOS技术的新型多晶硅发光器件的设计与实现
被引量：
5
2
作者
艾康
程骏骥
朱坤峰
吴克军
刘钟远
刘志伟
赵建明
黄磊
徐开凯
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件重点实验室
中国电子科技集团公司第二十四研究所
中国电子科技集团公司第四十四研究所
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期300-306,共7页
基金
国家重点研发计划(2018YFE0181500)
国家自然科学基金(61674001,61704019)
四川省杰出青年科技人才支持计划(2020JDJQ0022)。
文摘
目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件。首先研究了该结构在反偏电压下可能存在的各种雪崩模式(带间跃迁、轫致辐射、空穴在轻和重质量带之间的带内跃迁、高场条件下的电离和间接带间重组),对不同雪崩模式下的发光机理进行了理论分析;然后研究了器件内部的空穴和电子在反偏电压下的漂移及扩散情况,指出载流子注入增加了参与雪崩倍增过程的载流子数量,进而使碰撞电离率提高;最后对器件的电场、光谱、电流与光强等数据进行分析,对量子效率和光电转换效率进行计算,验证了所研究结构通过载流子注入实现了碰撞电离率的提高,进而实现了发光效率的提高,其中量子效率为5.9×10^-5,光电转换效率为4.3×10^-6。
关键词
激光光学
集成电路工艺
全硅光学生物传感器
发光效
率
碰撞
电离
率
载流子注入
Keywords
laser optics
integrated circuit technology
all silicon optical biosensor
luminous efficiency
impact ionization rate
carrier injection
分类号
O436 [机械工程—光学工程]
原文传递
题名
一款75V功率场效应管失效分析与改进
3
作者
汪德波
冯全源
陈晓培
机构
西南交通大学微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期829-832,共4页
基金
国家自然科学基金重大项目(60990320
60990323)
+2 种基金
国家自然科学基金面上项目(61271090)
国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目(2012AA012305)
四川省科技支撑计划项目(2012GZ0101)
文摘
对一款75V功率场效应管失效芯片进行了分析。通过TCAD软件进行数值仿真,验证失效原因。在终端长度不变的前提下,获得具有两个场限环的终端结构,基本满足电场可靠性小于2.5×105 V/cm的要求。设计了三个场限环终端结构,击穿电压提高至94.7V,硅表面最大电场为2.17×105 V/cm,小于临界电场2.2×105 V/cm,降低了最大碰撞电离率,提高了器件的可靠性。
关键词
功
率
场效应管
失效分析
表面电场
碰撞
电离
率
可靠性
Keywords
Power MOSFET
Failure analysis
Surface electric field
Impact ionizations Reliability
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
被引量：
3
4
作者
王平
周津慧
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
机构
西安电子科技大学微电子所
西安邮电学院信息与控制系
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期322-325,共4页
基金
教育部重点资助项目 (0 2 0 74)
国防科技预研基金资助(批准号 :514 0 80 10 60 1DZ10 3 2 )项目
文摘
采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
关键词
6H-SIC
多粒子蒙特卡罗研究
各向异性
漂移速度
平均能量
电子
碰撞
电离
率
Keywords
H-SiC
Ensemble Monte Carlo study
Anisotropy
Dr ift velocity
Mean energy
Electron impact ionization rates
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新的GaAs PHEMT器件可靠性评估方法研究
刘红侠
郑雪峰
韩晓亮
郝跃
张绵
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
8
原文传递
2
基于标准CMOS技术的新型多晶硅发光器件的设计与实现
艾康
程骏骥
朱坤峰
吴克军
刘钟远
刘志伟
赵建明
黄磊
徐开凯
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
5
原文传递
3
一款75V功率场效应管失效分析与改进
汪德波
冯全源
陈晓培
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
4
6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
王平
周津慧
杨银堂
屈汉章
杨燕
付俊兴
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
3
下载PDF
职称材料
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