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反应烧结碳化硅表面改性的初步研究 被引量：4
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作者 王彤彤 高劲松 +4 位作者 王笑夷 陈红 郑宣鸣 范镝 申振峰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期1603-1607,共5页
应用电子束蒸发硅，霍尔离子源电离甲烷，并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（RBSiC）基底上沉积了碳化硅（SiC：H）改性薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率，制备了硬度为9．781～13．087GP... 应用电子束蒸发硅，霍尔离子源电离甲烷，并辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅（RBSiC）基底上沉积了碳化硅（SiC：H）改性薄膜。X射线衍射（XRD）测试表明制备的碳化硅改性薄膜为α相。通过控制沉积速率，制备了硬度为9．781～13．087GPa，弹性模量为89．344～123．413GPa的碳化硅改性薄膜。比较同样条件下镀制银膜的抛光良好微晶玻璃和经过精细抛光的改性RBSiC，结果表明两者反射率相近；附着力实验表明，制备的薄膜和基底结合良好；在温度冲击实验下，制备的薄膜无龟裂和脱落。 展开更多
关键词 薄膜制备 碳化硅薄膜 表面改性 离子辅助电离 硬度和弹性模量
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