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表面化学修饰对CdS纳米粒子三阶光学非线性的影响
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作者 张宇 王刚 +9 位作者 韩国志 汪昕 马明 付德刚 刘举正 顾宁 陆祖宏 马懿 徐岭 陈坤基 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期436-440,共5页
用反胶束法制备了表面修饰 AOT-SO- 3(磺基琥珀酸双 -2 -乙基己酯钠盐的阴离子 )的 Cd S纳米粒子与表面修饰 Py(吡啶 )的 Cd S纳米粒子。采用背相简并四波混频 (DFWM)的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当 Cd S纳米粒子表面上... 用反胶束法制备了表面修饰 AOT-SO- 3(磺基琥珀酸双 -2 -乙基己酯钠盐的阴离子 )的 Cd S纳米粒子与表面修饰 Py(吡啶 )的 Cd S纳米粒子。采用背相简并四波混频 (DFWM)的方法研究了它们的三阶光学非线性。结果表明当 Cd S纳米粒子表面上的 AOT-SO- 3被 Py取代后 ,其三阶非线性极化率增加 ,这归于表面修饰 Py的Cd S纳米粒子具有长寿命的表面受陷电子 -空穴分离态 ,从而提高了对激子吸收的漂白效率 ,增加了三阶光学非线性。 展开更多
关键词 硫化镉钠米粒子 表面化学修饰 简并四波混频 三阶光学非线性
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