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CdS薄层对有机电致发光器件性能的影响
被引量:
12
1
作者
姜文龙
薛志超
+3 位作者
常喜
汪津
丁桂英
张刚
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期11-15,共5页
将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了CdS对OLED性能的影响。结果表明,0.1nm厚的CdS插入Alq3和LiF之间的器件性能最好。器件电压从7 V变化到14 ...
将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了CdS对OLED性能的影响。结果表明,0.1nm厚的CdS插入Alq3和LiF之间的器件性能最好。器件电压从7 V变化到14 V时,色度均在白光的中心区域;当电压为7V时,器件的最大电流效率为9.09cd/A;当电压为14V时,器件的最大亮度为16 370cd/m2。不加CdS时,当电压为8V时,器件的最大效率为5.16cd/A;当电压为14V时,最大亮度为6 669cd/m2。加CdS的器件比不加CdS的器件最大效率提高了1.76倍,最大亮度提高了2.42倍。
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关键词
硫化镉
(
cds
)
薄层
有机电致白光器件(OLED)
效率
亮度
原文传递
题名
CdS薄层对有机电致发光器件性能的影响
被引量:
12
1
作者
姜文龙
薛志超
常喜
汪津
丁桂英
张刚
机构
吉林师范大学信息技术学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期11-15,共5页
基金
国家自然科学青年基金(10804036)
吉林省科技发展计划(20080528
+7 种基金
20082112
20100510
20101512
201215221)
吉林省教育厅"十二五"科研计划(2011-154
2012-175
2012-176)
吉林师范大学研究生创新计划(201113)资助项目
文摘
将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了CdS对OLED性能的影响。结果表明,0.1nm厚的CdS插入Alq3和LiF之间的器件性能最好。器件电压从7 V变化到14 V时,色度均在白光的中心区域;当电压为7V时,器件的最大电流效率为9.09cd/A;当电压为14V时,器件的最大亮度为16 370cd/m2。不加CdS时,当电压为8V时,器件的最大效率为5.16cd/A;当电压为14V时,最大亮度为6 669cd/m2。加CdS的器件比不加CdS的器件最大效率提高了1.76倍,最大亮度提高了2.42倍。
关键词
硫化镉
(
cds
)
薄层
有机电致白光器件(OLED)
效率
亮度
Keywords
cds
thin layer
white organic light-emitting device (OLED) efficiency
luminance
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CdS薄层对有机电致发光器件性能的影响
姜文龙
薛志超
常喜
汪津
丁桂英
张刚
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
12
原文传递
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引证文献
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