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In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌
被引量：
2
1
作者
魏占涛
杨辉
张敏
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期961-967,共7页
采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响。结果表明:在Bi_(2-x)In_xSe_3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在。随着In掺杂量的增加...
采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响。结果表明:在Bi_(2-x)In_xSe_3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在。随着In掺杂量的增加,样品晶格常数c减小,层状结构更加明显且堆叠层数增多。样品的电阻率随着In掺杂量的增加而明显增大,这可能跟掺杂样品内电离杂质的散射的贡献增大有关。另外,Bi_(2-x)In_xSe_3样品的磁电阻大小也与In掺杂量呈正相关关系,这是由于在In掺杂的样品中,In掺杂使得样品中声子散射效应增加,导致了体系中的磁电阻值增大。
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关键词
硒
化铋
单晶
掺杂
结构形貌
电输运性能
原文传递
不同激光波长和功率下的Bi_2Se_3单晶Raman光谱
2
作者
黄飞
杨辉
+5 位作者
曾体贤
安辛友
刘其娅
肖飞
王丹
张敏
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期514-518,共5页
采用改良Bridgman法制备出优质Bi_2Se_3单晶。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测试结果显示,晶体沿[001]方向生长,结晶性能好。采用两种波长(532和785 nm)及不同功率的激光光源,对Bi_2Se_3单晶体(003)面进行了Raman光谱研究。结果表明:在...
采用改良Bridgman法制备出优质Bi_2Se_3单晶。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测试结果显示,晶体沿[001]方向生长,结晶性能好。采用两种波长(532和785 nm)及不同功率的激光光源,对Bi_2Se_3单晶体(003)面进行了Raman光谱研究。结果表明:在功率较高时,随着激光功率的增加,Raman特征峰系统性红移和半高宽增大,此时峰位红移是由激光功率的增加,测试区域温度升高,晶格膨胀和声子间的非简谐振动耦合共同导致;在功率较低时,热膨胀可能是造成Raman峰位红移的主要原因。
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关键词
硒
化铋
单晶
RAMAN光谱
激光光源
声子振动模式
原文传递
题名
In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌
被引量：
2
1
作者
魏占涛
杨辉
张敏
机构
西南应用磁学研究所
西华师范大学物理与空间科学学院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第7期961-967,共7页
基金
四川省科技厅应用基础研究项目(2014JY0133)
西华师范大学博士科研启动基金项目(412577)
国家青年科学基金项目(51271155,51002125,51377138)
文摘
采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响。结果表明:在Bi_(2-x)In_xSe_3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在。随着In掺杂量的增加,样品晶格常数c减小,层状结构更加明显且堆叠层数增多。样品的电阻率随着In掺杂量的增加而明显增大,这可能跟掺杂样品内电离杂质的散射的贡献增大有关。另外,Bi_(2-x)In_xSe_3样品的磁电阻大小也与In掺杂量呈正相关关系,这是由于在In掺杂的样品中,In掺杂使得样品中声子散射效应增加,导致了体系中的磁电阻值增大。
关键词
硒
化铋
单晶
掺杂
结构形貌
电输运性能
Keywords
bismuth selenide single crystal
doping
morphology, electrical transport property
分类号
TQ153.2 [化学工程—电化学工业]
原文传递
题名
不同激光波长和功率下的Bi_2Se_3单晶Raman光谱
2
作者
黄飞
杨辉
曾体贤
安辛友
刘其娅
肖飞
王丹
张敏
机构
西华师范大学物理与空间科学学院
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第4期514-518,共5页
基金
西华师范大学英才科研基金项目(17YC520)
教育部"春晖计划"合作科研项目(Z2017093)
文摘
采用改良Bridgman法制备出优质Bi_2Se_3单晶。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测试结果显示,晶体沿[001]方向生长,结晶性能好。采用两种波长(532和785 nm)及不同功率的激光光源,对Bi_2Se_3单晶体(003)面进行了Raman光谱研究。结果表明:在功率较高时,随着激光功率的增加,Raman特征峰系统性红移和半高宽增大,此时峰位红移是由激光功率的增加,测试区域温度升高,晶格膨胀和声子间的非简谐振动耦合共同导致;在功率较低时,热膨胀可能是造成Raman峰位红移的主要原因。
关键词
硒
化铋
单晶
RAMAN光谱
激光光源
声子振动模式
Keywords
bismuth selenide single crystal
Raman spectra
laser sources
pho non vibration mode
分类号
TB30 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌
魏占涛
杨辉
张敏
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017
2
原文传递
2
不同激光波长和功率下的Bi_2Se_3单晶Raman光谱
黄飞
杨辉
曾体贤
安辛友
刘其娅
肖飞
王丹
张敏
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
原文传递
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