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大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
1
作者 刘洪军 王琪 +2 位作者 赵杨杨 王佃利 杨勇 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2024年第5期70-74,共5页
介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并... 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。 展开更多
关键词 大功率 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 射频功率晶体管 反馈电容 源极电感
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530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管 被引量：4
2
作者 刘洪军 傅义珠 李相光 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期192-194,286,共4页
报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对... 报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对准工艺等技术，在上述频带内，连续波，28V工作电压下，静态电流50mA，该器件输出功率达20w，效率达49％，增益大于7．5dB。 展开更多
关键词 连续波 硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管 多层复合栅
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1000V 4H-SiC VDMOS结构设计与特性研究
3
作者 李尧 牛瑞霞 +6 位作者 王爱玲 王奋强 蓝俊 张栩莹 张鹏杰 刘良朋 吴回州 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第3期378-383,共6页
设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐... 设计并优化了一种基于4H-SiC的1000V垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS),在留有50%的裕度后,通过Silvaco仿真软件详细研究了器件各项参数与耐压特性之间的关系。经优化,器件的阈值电压为2.3V,击穿电压达1525V,相较于相同耐压条件下的Si基VDMOS,4H-SiC VDMOS的击穿电压提升了12%。此外,击穿时4H-SiC VDMOS表面电场分布相对均匀,最大值为3.4×10^(6)V/cm。终端有效长度为15μm,约为Si基VDMOS的6%,总体面积减小了近1/10。并且4H-SiC VDMOS结构简单,与相同耐压条件下的Si基VDMOS相比,未增加额外的工艺步骤,易于实现。 展开更多
关键词 4H-SIC 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 漂移区参数 沟道长度
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功率VDMOS器件抗SEGR的仿真研究 被引量：1
4
作者 黄学龙 贾云鹏 +1 位作者 李劲 苏宏源 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2019年第8期113-117,共5页
针对功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件单粒子辐射在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,通过对200 V抗辐射VDMOS器件进行大量仿真研究发现,器件的元胞间距对VDMOS的抗单粒子栅穿(... 针对功率垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件单粒子辐射在空间辐射环境下的要求,从重粒子对VDMOS器件的辐射机理及作用过程出发,通过对200 V抗辐射VDMOS器件进行大量仿真研究发现,器件的元胞间距对VDMOS的抗单粒子栅穿(SEGR)能力有很大的影响,由分析结果可以看出,当元胞间距减小为1 jxm时对于栅氧层表面电场的改善最为明显,但是导通压降会明显提高。为了在提高抗SEGR能力的同时,使器件的导通压降值适当,在两个元胞之间加入了结型场效应晶体管(JFET)电荷泄放区结构,在保证器件的基本特性的同时,抗SEGR能力也得到明显改善。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 结型场效应晶体管 单粒子栅穿
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基于变化电子流向的一种高压VDMOS静态物理模型
5
作者 鲍嘉明 时龙兴 +2 位作者 孙伟锋 赵野 陆生礼 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期452-456,共5页
研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布... 研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 电子流向 电子密度分布 静态物理模型
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一种新型VDMOS器件结构的设计与实现 被引量：1
6
作者 董子旭 王万礼 +2 位作者 赵晓丽 张馨予 刘晓芳 《太赫兹科学与电子信息学报》 2022年第4期402-406,共5页
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工作频率高以及热稳定性好等特点。提出一款60 V平面栅VDMOS器件的设计与制造方法,开发出一种新结构方案,通... 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件是一种以多子为载流子的器件,具有开关速度快、开关损耗小、输入阻抗高、工作频率高以及热稳定性好等特点。提出一款60 V平面栅VDMOS器件的设计与制造方法,开发出一种新结构方案,通过减少一层终端层版图的光刻,将终端结构与有源区结构结合在一张光刻版上,并在终端工艺中设计了一种改善终端耐压的钝化结构,通过使用聚酰亚胺光刻胶(PI)钝化工艺代替传统的氮化硅钝化层。测试结果表明产品满足设计要求,以期为其他规格的芯片设计提供一种新的设计思路。 展开更多
关键词 功率器件 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS) 终端结构 击穿电压 钝化工艺
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VDMOS准饱和特性数学模型研究
7
作者 李洪朋 鲍嘉明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期262-267,共6页
借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界... 借助电脑软件仿真深入研究了VDMOS电场分布特性,并且从数学角度研究了VDMOS漂移区垂直方向上电压降落的情况。建立了VDMOS准饱和特性的数学模型,给出了VDMOS工作在临界准饱和区域的栅极电压的计算方法,为器件工作的安全区域设定了边界条件。在研究过程中发现,VDMOS漂移区垂直方向上的电场最大值出现的位置基本固定不变,它不随着栅极电压、漂移区掺杂浓度和栅氧厚度的变化而变化,而是随着漏电压的变化而变化,这主要是由于漂移区内B区域横截面积和电子速度都在随着栅极电压的增大而增大造成的。此结论不仅为文中准饱和模型的创建提供了一种简便的方法,而且对以往模型的简化和改进提供了理论依据。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管 准饱和特性 垂直电场 横截面积 电子速度 栅极电压
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一种便携式VDMOS单粒子试验测试系统
8
作者 魏亚峰 滕丽 +1 位作者 温显超 俞宙 《太赫兹科学与电子信息学报》 2016年第5期816-819,824,共5页
设计了一种在线测试系统,用于监测垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件在单粒子试验中的单粒子效应。简述了实验原理,从偏置设计与波形获取及仪器控制与远程监测多个方面详细论述了测试系统的硬件结构;给出了软件的设... 设计了一种在线测试系统,用于监测垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件在单粒子试验中的单粒子效应。简述了实验原理,从偏置设计与波形获取及仪器控制与远程监测多个方面详细论述了测试系统的硬件结构;给出了软件的设计流程及测试系统的操作界面。最后应用该自动测试系统开展了试验,结果表面该系统稳定可靠,便携易用。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管 单粒子效应 单粒子烧毁 测试系统
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沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究
9
作者 雷海波 王飞 肖胜安 《集成电路应用》 2013年第11期20-24,共5页
本文分析了沟槽栅功率器件中对栅氧化膜特性造成影响的主要工艺因素,报告了一种获得高性能栅氧特性的方法,并且对栅氧化膜特性改善的机理进行了研究。对于厚度55nm的沟槽栅氧化膜,其正向偏置和反向偏置下的击穿电压都高于30伏特。
关键词 沟槽 VDMOS(垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管) 栅氧化膜特性
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垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究
10
作者 吕贤亮 黄东巍 +1 位作者 周钦沅 李旭 《电气技术》 2020年第8期28-32,39,共6页
本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的... 本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的试验验证,得出一种通过测试电流自升温、测试延迟时间及校温曲线这3个方面有效确定垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试时测试电流的方法。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件 电学法热阻 测试电流 测试延迟时间 校温曲线
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