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掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性
被引量：
1
1
作者
张维连
牛新环
+2 位作者
吕海涛
张恩怀
孙军生
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期792-796,共5页
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高...
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高,此峰越明显。该峰可能是由于Ge-C或Si-Ce-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰。
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关键词
半导
体
材料
硅
锗
体
单晶
红外光谱特性
FTIR谱图
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职称材料
题名
掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性
被引量：
1
1
作者
张维连
牛新环
吕海涛
张恩怀
孙军生
机构
河北工业大学半导体材料研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第5期792-796,共5页
基金
河北省自然科学基金(No.500016)国家自然科学基金(No.59772037)资助项目
文摘
用FTIR法测试了CZ法生长的不同掺Ge浓度单晶的红外吸收光谱,结果发现掺锗浓度≤1％(重量比)低浓度情况下,红外谱图与不掺锗CZSi的红外谱图基本相同。但随着掺入晶体中锗浓度的增加,红外谱图在710cm-1处出现了一个新的吸收峰。锗浓度越高,此峰越明显。该峰可能是由于Ge-C或Si-Ce-C键合体系的产生而引起的红外吸收峰。
关键词
半导
体
材料
硅
锗
体
单晶
红外光谱特性
FTIR谱图
Keywords
CZ method
SiGe bulk single crystal
oxygen and carbon content
FTIR spectrum
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
TN305.3 [理学—化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
掺锗CZSi中与锗有关的红外光谱特性
张维连
牛新环
吕海涛
张恩怀
孙军生
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
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参考文献
引证文献
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