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用化学方法从失效硅钼元件中分离钼圆片和单晶硅
1
作者 邹德昌 《稀有金属与硬质合金》 CAS CSCD 1991年第4期28-30,共3页
本文介绍了一种从失效硅钼元件中有效地分离钼元件与硅的化学方法。该化学工艺能有效地去除钼元件表面的杂质层,并能保持钼元件原有的性状,可重新用作钼元件产品。工艺简便易行,对分离钼和硅具有较大的实用价值。
关键词 钼圆片 单晶硅 分离 硅钼元件
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高品质硅钼电热元件的研制 被引量：8
2
作者 刘芳 范文捷 +2 位作者 陈玉超 申涛 周传勋 《耐火材料》 CAS 北大核心 2003年第5期304-305,共2页
目前常用的含硅电热元件有硅碳棒和硅钼棒两种.硅碳棒是以绿色碳化硅为基本原料制成的,最高使用温度为1350℃.它的电阻随使用时间和温度的变化而变化,使用过程中不能单只更换.
关键词 硅钼电热元件 产品性能 硅碳棒 硅钼棒
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MoSi_2发热元件冷热端扩散接合工艺的研究 被引量：4
3
作者 郜剑英 江莞 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期6-10,共5页
为了研究扩散接合工艺参数对二硅化钼发热元件冷热端的接合强度的影响,对接合端面状态、接合温度、保温时间、接合压力和接合气氛等工艺条件进行了对比分析,并根据接合部位的断裂强度和微观结构的研究结果,建立了在本实验条件下最佳发... 为了研究扩散接合工艺参数对二硅化钼发热元件冷热端的接合强度的影响,对接合端面状态、接合温度、保温时间、接合压力和接合气氛等工艺条件进行了对比分析,并根据接合部位的断裂强度和微观结构的研究结果,建立了在本实验条件下最佳发热元件冷热端扩散接合工艺条件:接合端面粗糙度为1.5μm,接合温度1570-1600℃,保温时间30-60 s,接合载荷15 kg,接合气氛为氩气. 展开更多
关键词 二硅化钼发热元件 扩散接合 微观组织 接合强度
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硅钼棒电热元件的使用（2）
4
作者 李锦桥 《工业加热》 CAS 1995年第5期42-44,共3页
硅钼棒电热元件的使用（２）李锦桥浙江长兴高温元件电炉厂ＡｐｐｌｉｃｔｉｏｎｓｏｆＳｉ－ＭｏＲｏｄＥｌｅｍｅｎｔｉｎＥｌｅｃｔｒｏ－ｈｅａｔｉｎｇ￥ＬｉＪｉｎｑｉａｏＧＭ－１７００替代ＧＭ－１８００众所周知，ＧＭ－１７... 硅钼棒电热元件的使用（２）李锦桥浙江长兴高温元件电炉厂ＡｐｐｌｉｃｔｉｏｎｓｏｆＳｉ－ＭｏＲｏｄＥｌｅｍｅｎｔｉｎＥｌｅｃｔｒｏ－ｈｅａｔｉｎｇ￥ＬｉＪｉｎｑｉａｏＧＭ－１７００替代ＧＭ－１８００众所周知，ＧＭ－１７００用于炉温≤１６００℃，超过１６... 展开更多
关键词 电炉 硅钼棒电热元件 应用
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以BCx2智能调节仪控制硅钼棒高温炉的温度
5
作者 王鸿钰 陆虹 《自动化博览》 2016年第S1期106-108,共3页
在介绍硅钼棒特性的基础上，较详细地介绍了BCx2调节仪，及以BCx2和相关设备构建的硅钼棒单相温控系统和三相温控系统。这两种系统都是由温度负反馈和电流负反馈串联连接的串级控制系统。与单回路控制系统比，具有更强的抑制内部或外部... 在介绍硅钼棒特性的基础上，较详细地介绍了BCx2调节仪，及以BCx2和相关设备构建的硅钼棒单相温控系统和三相温控系统。这两种系统都是由温度负反馈和电流负反馈串联连接的串级控制系统。与单回路控制系统比，具有更强的抑制内部或外部“扰动”的能力，具有更优良的控制品质。 展开更多
关键词 调节仪 硅钼棒加热元件 温控系统 调功器
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