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基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
被引量：
2
1
作者
倪烨
徐浩
+3 位作者
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期110-114,共5页
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出...
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。
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关键词
晶圆级封装
深孔刻蚀
硅
通孔
互联
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职称材料
题名
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
被引量：
2
1
作者
倪烨
徐浩
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
机构
北京无线电测量研究所
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第S02期110-114,共5页
文摘
本工作针对硅基晶圆级封装(WLP,Wafer level package)的关键工艺技术——深孔刻蚀工艺进行了研究,通过对掩蔽层材料的选择和图形化工艺研究,制备出满足深孔刻蚀工艺要求的掩蔽层,并采用干法刻蚀设备进行深孔刻蚀和工艺优化,最终制作出工艺指标为:刻蚀深度185μm、深宽比9∶1、陡直度90.08°、侧壁粗糙度小于64 nm、选择比46∶1的硅深孔样品。该深孔刻蚀工艺可应用于薄膜体声波滤波器(FBAR,Film bulk acoustic resonator)晶圆级封装工艺的硅通孔互联(TSV,Through silicon via)技术中。
关键词
晶圆级封装
深孔刻蚀
硅
通孔
互联
Keywords
wafer level package
deep etching technology
through silicon via
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于硅基WLP封装的深孔刻蚀工艺研究
倪烨
徐浩
孟腾飞
袁燕
王君
张玉涛
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
2
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