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2GHz 100W硅脉冲功率晶体管
1
作者 傅义珠 张树丹 +1 位作者 高雷 姚长军 《世界产品与技术》 2002年第2期20-21,共2页
本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15G... 本文叙述了硅脉冲功率晶体管的设计制造,采用了动态镇流、钳位二极管、内匹配等技术。器件在f_0=1.85～2.15GHz,D=2％,τ_p=40μs条件下,输出功率P_0≥100W,功率增益G_p≥7dB,集电极效率η_0≥40％,并具有较高的抗激励耐量。在f_0=2.15GHz, τ_p=40μs,D=2％,P_i=25W,V_cc=36V时,P_0≥120W;当V_cc=40V时P_0≥153W。 展开更多
关键词 2GHz100W 硅脉冲功率晶体管 可靠性设计
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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量：4
2
作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多
关键词 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型
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3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管 被引量：1
3
作者 傅义珠 李相光 +3 位作者 戴学梅 盛国兴 王因生 王佃利 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期140-140,共1页
关键词 硅脉冲功率晶体管 微波功率器件 工作电压 输出功率 功率方向 多系统 可靠性 小型化 机动化 高可靠
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2.7-3.4GHz超宽带长脉宽硅功率晶体管
4
作者 吴鹏 林川 +4 位作者 傅义珠 盛国兴 戴学梅 康小虎 王因生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期F0003-F0003,共1页
关键词 硅脉冲功率晶体管 长脉宽 超宽带 南京电子器件研究所 GHz 100W 脉冲输出 功率增益 大功率管 S波段
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2.2～2.4 GHz 110W硅脉冲功率晶体管
5
作者 傅义珠 李学坤 +7 位作者 戴学梅 王佃利 王因生 周德红 康小虎 梅海 盛国兴 陈刚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期133-133,共1页
关键词 硅脉冲功率晶体管 微波功率晶体管 固体功率器件
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WS2224—110硅脉冲功率晶体管
6
《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期F003-F003,共1页
关键词 WS2224-110 硅脉冲功率晶体管 最大额定值 气密性 金属陶瓷封装
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L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管 被引量：3
7
作者 硅微波脉冲功率晶体管攻关组 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期373-373,共1页
关键词 L波段 硅微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度
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