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适于16纳米及以下技术代的新型器件研究-2013年度总结报告
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作者 黄如 《科技创新导报》 2016年第8期171-172,共2页
针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪存器件以及纳米尺度器件的可靠性及涨落性研究,为新型器件在... 针对半导体器件进入16 nm及以下技术代将面临的可制造性难度大、功耗限制、性能退化等核心问题,重点开展了新型围栅纳米线器件、新型超低功耗TFET器件、高迁移率沟道器件、闪存器件以及纳米尺度器件的可靠性及涨落性研究,为新型器件在将来纳米集成电路中的应用奠定了基础。在纳米线器件研究方面,设计了侧墙转移法和TMAH各向异性腐蚀法制备超精细硅纳米线的可控工艺,并进行了实验验证;建立了自限制氧化法硅纳米线制备工艺理论模型,可对工艺进行精确预测;提出了一种原子层掺杂结构可有效调控纳米线器件的阈值电压,同时避免了迁移率的损失;研究了纳米线器件中的GIDL电流机制,提出了抑制GIDL电流的优化方法;提出了一套新的器件-电路优化设计方案,针对纳米线器件在数字电路、模拟/射频电路中的应用分别进行优化设计,得到了相应的设计窗口。在新型低功耗器件研究方面,提出了一种结调制型TFET,显著提升了器件的亚阈特性和开态电流;通过引入pocket层进一步优化了器件结构,实验制备获得了非常低的SS(36mV/dec)和高的开态电流。提出了一种隧穿触发注入场效应晶体管,能同时实现高开态电流、低泄漏电流和陡直的亚阈特性。在纳米尺度MOS器件的可靠性与涨落性研究方面,提出了由AC NBTI引入的工作循环间涨落的两种重要来源的表征方法,实验发现了AC NBTI退化及其涨落的频率依赖性的新现象,建立了物理模型。研究了多栅新器件中的AC RTN,发现比平面器件中的AC RTN活跃程度增强。提出了一种新的AC RTN表征方法,可拓展RTN的栅压探测范围区域。在高迁移率器件研究方面,提出了两种氮等离子体处理方法来提高栅介质/沟道界面质量,进行了实验验证;采用P/Sb共注入技术既有利于提升Ni Ge薄膜质量,也利于电学性能的提升。针对工艺集成中的关键� 展开更多
关键词 纳米尺度 硅纳米线器件 低功耗 高迁移率 闪存器件
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