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微米尺度下键合强度的评价方法和测试结构 被引量：5
1
作者 阮勇 贺学锋 +1 位作者 张大成 王阳元 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2005年第8期110-113,共4页
在MEMS器件的设计与加工过程中,键合技术是体硅工艺的一项关键技术。由于MEMS器件的特点,其键合的面积通常是在微米到毫米量级内,传统测试键合强度的方法不再适用,该尺度下键合强度的测试与评价成为MEMS工艺测试的难点之一。文章提出了... 在MEMS器件的设计与加工过程中,键合技术是体硅工艺的一项关键技术。由于MEMS器件的特点,其键合的面积通常是在微米到毫米量级内,传统测试键合强度的方法不再适用,该尺度下键合强度的测试与评价成为MEMS工艺测试的难点之一。文章提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试。实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力,键合面为常用的正方形,其边长从6μm到120μm,计算得出的剪力与采用实体单元有限元分析结果计算出的作用力相对误差为4.9%,这一误差在工程中是可以接受的。实验得出最大剪切扭矩和相应的键合面积的曲线。MEMS器件的设计人员可以根据结论曲线,针对所需的抗扭强度设计相应的键合面积。 展开更多
关键词 MEMS 阳极键合 键合强度 剪切力 硅深刻蚀 感应耦合等离子体 抗扭强度
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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 被引量：2
2
作者 阮勇 叶双莉 +2 位作者 张大成 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期37-39,共3页
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫... 提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。 展开更多
关键词 微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤
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深刻蚀的利器——ICP 被引量：1
3
作者 陈浩 朱桂枫 +1 位作者 谢嘉明 陈海明 《集成电路应用》 2002年第9期48-51,共4页
等离子刻蚀技术作为一门较新的技术在半导体集成电路MEMS、光通讯技术及传感器制作等领域广泛应用。
关键词 等离子刻蚀技术 ICP 半导体集成电路 光通讯技术 干法刻蚀 工艺控制参数 硅深刻蚀
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微米尺度结构最大抗扭强度的在线测试和研究 被引量：1
4
作者 阮勇 郇勇 +2 位作者 张大成 张泰华 王阳元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期2234-2240,共7页
提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试.实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力,键合面为常用的矩形其边长从6μm到120μm,并根据实际移动距离计算得出的最大剪切... 提出了一种新型的测试结构,对面积为微米量级下键合的最大抗扭强度进行了测试.实验设计一系列的单晶硅悬臂梁结构测试键合面积在微米量级时的最大剪切力,键合面为常用的矩形其边长从6μm到120μm,并根据实际移动距离计算得出的最大剪切力.并实验实际得出最大剪切扭矩和相应的键合面积的曲线,以及最大扭转剪切破坏应力与悬臂梁加载距离的关系,并针对60μm×60μm的矩形键合结构进行了加载和位移的重复性实验测量,两次测量结果符合较好.微电子机械系统(microelectromechanical system,MEMS)器件的设计人员可以根据结论曲线,针对所需的抗扭强度设计相应的键合面积,为MEMS器件工艺的在线定量测试与设计提供参考. 展开更多
关键词 阳极键合 硅深刻蚀 键合强度 最大抗扭强度
原文传递
微剪切应力传感器的加工工艺
5
作者 袁明权 雷强 王雄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期102-106,共5页
提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流... 提出了一种感测单元不直接接触流场的微剪切应力传感器结构,详细阐述了其感测单元MEMS制作工艺。采用热氧化硅掩膜方法解决了硅深刻蚀的选择比问题;优化后的硅深刻蚀工艺参数:刻蚀功率1600W、低频(LF)功率100W,SF6流量360cm3/min,C4F8流量300cm3/min,O2流量300cm3/min。采用Cr/Au掩膜,30℃恒温低浓度HF溶液解决了玻璃浅槽腐蚀深度控制问题;喷淋腐蚀和基片旋转等措施提高了玻璃浅槽腐蚀表面质量。采用上述MEMS工艺制作了微剪切应力传感器样品,样品测试结果表明:弹性悬梁长度和宽度误差均在2μm以内、玻璃浅槽深度误差在0.03μm以内、静态电容误差在0.2pF以内,满足了设计要求。 展开更多
关键词 高超声速飞行器 微剪切应力传感器 硅深刻蚀 喷淋腐蚀
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