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面向芯片制造过程的含Si-N键化合物
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作者 刘清月 董红 +1 位作者 伍川 瞿志荣 《浙江化工》 CAS 2020年第9期16-22,26,共8页
叙述了在芯片制造过程中,含硅薄膜沉积所需的前体化合物的制备。介绍了芯片制造过程中沉积含硅薄膜的方法,包括原子沉积法、脉冲激光沉积法、化学气相沉积法以及磁控溅射法。未来含硅薄膜在电子材料、光学器件和太阳能电池等方面的需求... 叙述了在芯片制造过程中,含硅薄膜沉积所需的前体化合物的制备。介绍了芯片制造过程中沉积含硅薄膜的方法,包括原子沉积法、脉冲激光沉积法、化学气相沉积法以及磁控溅射法。未来含硅薄膜在电子材料、光学器件和太阳能电池等方面的需求会逐步提高,在此基础上有望制备出更优异的含硅薄膜前体化合物,用于沉积制备纯度高、致密性好以及物理性能好的含硅薄膜。 展开更多
关键词 含硅薄膜 制备方法 硅氮键化合物 前体
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