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总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响 被引量：4
1
作者 蔡俊 傅义珠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期559-563,共5页
对比研究了总剂量辐射对硅微波功率双极器件、LDMOS器件、VDMOS器件以及常规功率VDMOS和抗辐射加固功率VDMOS器件电性能的影响,并分析了辐射后器件性能变化的原因,为抗辐射加固方法的改进和优化提供了基础。
关键词 总剂量辐射 硅微波功率 双极型晶体管 横向扩散金属-氧化物-半导体场效应管 垂直扩散金属-氧化物-半导体场效应管 抗辐射加固
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硅微波功率器件二次发射极镇流研究 被引量：3
2
作者 王因生 林金庭 张树丹 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第12期912-915,共4页
本文报道了采用多晶硅电阻和扩散电阻组合而成的复合镇流电阻对硅微波功率器件进行二次发射极镇流的实验结果．
关键词 硅微波功率器件 二次发射极镇流 镇流电阻
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一种硅微波功率三极管的失效分析 被引量：1
3
作者 李兴鸿 赵俊萍 +1 位作者 赵春荣 赖世波 《电子产品可靠性与环境试验》 2013年第1期39-43,共5页
描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使... 描述了硅微波功率三极管的失效模式,给出了器件输出功率与器件耗损功率的关系,得出了微波脉冲电流与有效值的关系,证明了器件在规定的参数范围内能可靠工作,推论了器件失效发生时的状态。指出器件的失效是热电正反馈熔融烧毁所致,是使用问题而不是器件的本质失效;其分析过程对其它器件的失效分析有指导作用。 展开更多
关键词 硅微波功率三极管 耗散功率 熔融蒸发
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硅微波功率管键合失效机理分析 被引量：1
4
作者 钱伟 严德圣 +4 位作者 丁晓明 周德红 刘雪 高群 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期377-380,共4页
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键... 硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。 展开更多
关键词 硅微波功率管 键合 失效分析
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S波段硅微波功率晶体管的加速寿命试验
5
作者 童亮 彭浩 +1 位作者 高金环 黄杰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期321-325,共5页
为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根... 为了在尽量短的时间内对S波段硅微波功率晶体管的长期可靠性进行研究,依据温度应力阿列尼乌斯(Arrhenius)模型,进行了两种S波段硅微波功率晶体管的可靠性寿命评价试验。试验采用步进应力加速寿命试验摸底,找出了最高试验应力水平,并根据摸底结果分别进行了3组恒定应力加速寿命试验,最高试验壳温分别为250℃和220℃,大幅度提高了温度应力,加快了试验速度。试验全程采用数据采集卡实施实时监测,并对失效样品进行了失效分析,最大程度地保证了试验数据的准确性。通过对试验结果的统计分析,推算出了两种S波段硅微波功率晶体管的平均寿命。 展开更多
关键词 硅微波功率晶体管 加速寿命试验 阿列尼乌斯模型 可靠性 S波段
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L波段硅脉冲功率管52000器件小时的脉冲射频加速寿命试验 被引量：7
6
作者 王因生 陶有迁 +4 位作者 徐全胜 金毓铨 傅义珠 丁晓明 王志楠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期473-477,共5页
利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF... 利用红外热像显微测量峰值结温方法对L波段硅脉冲功率晶体管在脉冲射频(f=1.3 GHz,Pin=40 W,τ=150μs,D=10%)和峰值结温220°C条件下进行52 000器件小时的脉冲射频加速寿命试验。由此估算出该功率管在峰值结温125°C和上述RF条件下,器件失效率λ≤1.59×10-7h-1。试验分析表明,采用本试验方法可以更真实地评估射频功率管的可靠性水平。 展开更多
关键词 硅微波脉冲功率管 可靠性 寿命试验 峰值结温
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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量：4
7
作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多
关键词 硅微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型
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L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管 被引量：3
8
作者 硅微波脉冲功率晶体管攻关组 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期373-373,共1页
关键词 L波段 硅微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度
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