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在硅微尖上生长金刚石膜的研究 被引量：7
1
作者 元光 金亿鑫 +6 位作者 金长春 宋航 张宝林 宁永强 蒋红 周天明 李树伟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期1-3,共3页
利用微波等离子体方法在硅微尖阵列上生长了金刚石膜，并利用SEM和X射线衍射对金刚石膜进行了研究．
关键词 硅微尖 金刚石膜 硅 生长
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n型硅微尖场发射电子能谱的模拟计算 被引量：1
2
作者 元光 曹崇龙 +3 位作者 宋翠华 宋航 屿拹秀隆 三村秀典 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期557-560,共4页
结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高... 结合金属的场发射电子能谱,模拟计算了场渗透对n型半导体硅微尖的场发射能谱的影响,并与n型硅微尖的场发射能谱实验结果进行了比较,讨论了模拟计算误差的来源。计算结果表明电场渗透现象导致硅的场发射能谱向低能方向偏移,表面电场越高,能谱的偏移量越大,其偏移程度可超过1eV。导致硅微尖的场发射能谱偏移的主要因素是半导体的场渗透现象。 展开更多
关键词 场发射 电子能谱 硅微尖 电场渗透
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硅微尖上金刚石膜的生长
3
作者 元光 金亿鑫 +6 位作者 金长春 宋航 张宝林 宁永强 蒋红 周天明 李树伟 《吉林大学自然科学学报》 CSCD 1996年第3期59-61,共3页
采用微波等离子体方法在硅微尖上生长了金刚石膜，并利用ＳＥＭ和Ｘ射线衍射方法对金刚石膜进行了研究．
关键词 硅微尖 金刚石 生长 薄膜 微波等离子体
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电子器件基础
4
《电子科技文摘》 1999年第8期25-26,共2页
9914973浸渍式阴极电子枪清洗工艺的探讨[刊]/鲍湲/光电子技术.—1999,19(1).—79～82(Y)探讨了使用浸渍式阴极电子枪的清洗(?),通过试验采用了与原来氧化物阴极电子枪清洗的不同方法,从而改善了使用浸渍式阴极电子枪的发射与寄生发射... 9914973浸渍式阴极电子枪清洗工艺的探讨[刊]/鲍湲/光电子技术.—1999,19(1).—79～82(Y)探讨了使用浸渍式阴极电子枪的清洗(?),通过试验采用了与原来氧化物阴极电子枪清洗的不同方法,从而改善了使用浸渍式阴极电子枪的发射与寄生发射等性能,并提高了彩管的品质。 展开更多
关键词 硅微尖 多碱光电阴极 光谱响应曲线 类金刚石薄膜 磁偏转系统 湿法化学刻蚀 电子器件 曲率半径 真空科学 冷阴极场发射
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一步湿法化学刻蚀硅微尖冷阴极
5
作者 王维彪 金长春 +6 位作者 梁静秋 姜锦秀 刘乃康 姚劲松 赵海峰 王永珍 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期81-85,共5页
主要研究了湿法化学刻蚀硅微尖．采用各向同性腐蚀的方法在〈１１１〉晶面和〈１００〉晶面的单晶硅衬底上制备了硅微尖．实验结果表明〈１１１〉晶面的硅衬底上容易制备顶端曲率半径比较小的硅微尖．通过实验，调整了腐蚀剂的组成。
关键词 微电子 硅微尖 冷阴极 化学刻蚀 一步湿法 腐蚀
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用化学方法制备硅场发射阵列 被引量：3
6
作者 元光 金长春 +8 位作者 金亿鑫 宋航 荆海 朱希玲 张宝林 周天明 宁永强 蒋红 王惟彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期341-345,共5页
利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。
关键词 真空 微电子 场发射 硅微尖阵列 SEM
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电化学湿法腐蚀法制备硅微柱阵列 被引量：2
7
作者 李鑫 罗洁 任丁 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第11期26-30,共5页
采用TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件。借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之... 采用TMAH (Tetramethyl Ammonium Hydroxide)腐蚀液在P(100)硅片上制备倒棱台,进而采用电化学湿法刻蚀法制备具有微柱结构的阵列器件。借鉴N型多孔硅的形成理论,提出了微柱的形成模型,分析了微柱的形成条件,并对其主要的几何结构参数之间的关系进行了探讨。结果表明微柱的形成与倒棱台的结构参数、孔的结构参数以及空间电荷区等因素相关。倒棱台的底面尺寸决定了微柱的结构,且倒棱台开口的大小需要大于平均孔径。微柱直径始终小于2倍的空间电荷区宽度。微柱内载流子的耗尽是微柱未被刻蚀的主要原因。 展开更多
关键词 无机非金属材料 硅微尖阵列 倒棱台 微柱形成模型 HF阳极电化学腐蚀 TMAH各向异性湿法腐蚀
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面阵硅场发射阵列的离子束刻蚀 被引量：1
8
作者 张新宇 赵兴荣 +1 位作者 易新建 张智 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第5期88-90,共3页
利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微... 利用光刻热熔法及氩离子束刻蚀技术制作１２８×１２８元面阵硅场发射器件，采用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）和表面探针等测试手段分析所制成的面阵硅微尖阵列和硅微台（微环尖）阵列的表面微结构形貌特点．所制成的面阵硅微尖和硅微台（微环尖）器件的图形整齐均匀，达到了预定的各项指标的要求．实验表明，所采用的器件制作方法有较大的实用价值． 展开更多
关键词 场发射 硅微尖阵列 硅微台阵列 离子束刻蚀
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超微细加工及设备
9
《中国光学》 EI CAS 1997年第2期93-94,共2页
TN305.7 97021357用化学方法制备硅场发射阵列=Preparation ofsilicon tips array[刊,中]/元光,金长春,金亿鑫,宋航,荆海,朱希玲,张宝林,周天明,宁永强,蒋红,王惟彪(中科院长春物理研究所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1996,17(4).—... TN305.7 97021357用化学方法制备硅场发射阵列=Preparation ofsilicon tips array[刊,中]/元光,金长春,金亿鑫,宋航,荆海,朱希玲,张宝林,周天明,宁永强,蒋红,王惟彪(中科院长春物理研究所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1996,17(4).—341—345利用各向同性腐蚀液制了硅微尖阵列。并考察了各主要工艺参数对微尖形貌的影响。图6参6(赵桂云) 展开更多
关键词 场发射阵列 硅微尖阵列 工艺参数 中科院 刻划机 长春 各向同性 分步重复投影光刻机 化学方法 光学系统
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薄膜材料与器件
10
《中国光学》 EI CAS 2002年第6期52-52,共1页
O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA ... O484.4 2002064340具有铌化合物薄膜硅微尖 FEA 的场发射性能=Field e-mission characteristics of silicon-tip FEA with Nblayers[刊,中]/季旭东(华东电子集团公司,南京(210028))∥光电技术.—2002,43(2).—46-49介绍了在硅微尖 FEA 上制备的铌化合物薄膜,并对该类膜改进硅发射微尖的场发射性能做了说明。图6参4(杨妹清) 展开更多
关键词 场发射性能 硅微尖 铌化合物 光电技术 发射微尖 有限元分析 器件 集团公司 薄膜材料 薄膜技术
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