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ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用 被引量：6
1
作者 陈杰 李俊 +2 位作者 赵金茹 李幸和 许生根 《电子与封装》 2013年第9期31-34,共4页
硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O... 硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。 展开更多
关键词 硅基电容器 三氧化二铝 深槽 介电特性 原子层沉积
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基于TSV技术的硅基高压电容器
2
作者 杨志 董春晖 +4 位作者 王敏 王敬轩 商庆杰 付兴中 张力江 《电子工艺技术》 2024年第5期36-38,共3页
以微机电系统(MEMS)工艺设计并制作了一种基于TSV技术的高压电容器。给出了电容器的结构形式,理论分析计算了电容器的容值参数,设计得到了容值为2 nF,芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。提出一套MEMS工艺的硅基电容器... 以微机电系统(MEMS)工艺设计并制作了一种基于TSV技术的高压电容器。给出了电容器的结构形式,理论分析计算了电容器的容值参数,设计得到了容值为2 nF,芯片尺寸为2 mm×2 mm×0.3 mm的硅基电容器。提出一套MEMS工艺的硅基电容器的制作流程,实现了电容器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的高压电容器的容值与设计值基本一致,击穿电压可以达到280 V。硅基高压电容器具有电容密度高、一致性好、易生产的特点,适合高压电子系统的应用发展需求。 展开更多
关键词 微电子机械系统 硅基电容器 高压 TSV
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高电容密度硅基MIS芯片电容
3
作者 汤寅 张龙 +4 位作者 杨党利 谭德喜 姚伟明 王霄 周剑明 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期297-300,共4页
制备了一种3D结构的硅基金属-绝缘层-半导体(MIS)芯片电容,通过深孔结构增大了电容的有效电极面积,从而极大程度地提升了电容密度,在耐压70V下其电容密度高达20nF/mm2,是传统平面MIS电容的50倍,在-55~150℃内其温度系数小于1%。
关键词 硅基电容器 深孔刻蚀 高电容密度
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微电容器的研究进展:从制备工艺到发展趋势 被引量：1
4
作者 熊藜 胡晋 +1 位作者 杨曌 张冠华 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2818-2831,共14页
随着微电子器件高度集成化、微型化、便携化和多功能一体化的快速发展,高性能新型微电容器的需求越来越大。将电容器划分为传统电容器与新型微电容器,介绍了传统电容器中铝电解电容器、钽电解电容器、有机薄膜电容器以及陶瓷电容器的结... 随着微电子器件高度集成化、微型化、便携化和多功能一体化的快速发展,高性能新型微电容器的需求越来越大。将电容器划分为传统电容器与新型微电容器,介绍了传统电容器中铝电解电容器、钽电解电容器、有机薄膜电容器以及陶瓷电容器的结构特点及其生产应用中的性能,着重对用于储能方面的固态微型电容器(金属-绝缘体-金属,金属-绝缘体-半导体)和微型超级电容器的结构特点、技术工艺、主要性能指标及其与片上可集成系统的工艺兼容性进行了综述。此外,阐述了片上3D硅基电容器结构的关键制造工艺、主要研究方向(电极表面积、绝缘材料和电极材料)和相关研究进展。最后,对新型微电容器的发展前景做出了展望。 展开更多
关键词 电容器 固态微型电容器 微型超级电容器 3D硅基电容器 电极结构 性能指标
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