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我国新型显示关键材料发展战略研究 被引量：16
1
作者 高伟男 毕勇 +1 位作者 刘新厚 许祖彦 《中国工程科学》 CSCD 北大核心 2020年第5期44-50,共7页
新型显示作为电子信息领域为数不多的千亿美元级产业,是信息化、智能化时代我国战略性新兴产业重点发展方向之一。本文针对新型显示关键材料与工艺在新型显示技术和产业发展进程中的战略性、支撑性和保障性作用开展论述,梳理了具有代表... 新型显示作为电子信息领域为数不多的千亿美元级产业,是信息化、智能化时代我国战略性新兴产业重点发展方向之一。本文针对新型显示关键材料与工艺在新型显示技术和产业发展进程中的战略性、支撑性和保障性作用开展论述,梳理了具有代表性的新型显示关键材料的研究现状与发展趋势,凝练了我国相关领域在材料技术和应用技术方面存在的问题,提出了我国新型显示关键材料发展目标和重点方向。研究建议:抓牢新一轮显示技术升级与产业转型的重大机遇,从国家经济发展全局的高度、全产业链生态的角度出发,以整机应用为牵引,以核心材料为突破口,打造新型显示创新平台,构建高效的技术创新体系;聚合优势力量,突破产业化发展中的核心共性关键材料与工艺问题,完善产业协同创新生态。从技术、市场、资金、政策等多个角度完成了新型显示创新平台的可行性分析,以期支持我国新型显示产业"从跟随到引领"的跨越式发展。 展开更多
关键词 新型显示 有机发光二极管 微米级发光二极管 激光显示 关键材料
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(100)与(111)晶面硅基金属整片键合后选择性去衬底技术
2
作者 杜佳怡 聂君扬 +5 位作者 孙捷 林畅 吴大磊 杨天溪 黄忠航 严群 《光电子技术》 CAS 2023年第1期1-6,共6页
采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不... 采用硅基金属整片键合后选择性去衬底技术,通过热压键合技术将(100)晶面硅与(111)晶面硅高温键合,利用聚二甲基硅氧烷保护(100)晶面硅衬底,再粗化(111)晶面硅衬底加快其刻蚀速率,后通过湿法选择性刻蚀去除(111)晶面硅衬底。此技术在不损伤硅基驱动芯片的前提下实现了选择性去除硅基氮化镓外延衬底,是一种材料混合集成的新技术,有望应用于自对准硅基Micro-LED微显示器件制程和光电子器件集成领域。 展开更多
关键词 硅基微米级发光二极管 巨量转移 硅基互补金属氧化物半导体 热压键合 选择性刻蚀
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Mini-LED:助力下一轮LCD技术发展 被引量：11
3
作者 吴诗聪 《光电子技术》 CAS 北大核心 2018年第3期145-148,共4页
Mini-LED由高密度LED二维阵列制成。它是一种全固态有源发光器件,具有工作电压低、发光效率高、响应快、性能可靠和工作温度范围宽等优点。文章结合应用讨论Mini-LED的设计和制程。
关键词 次毫米级发光二极管显示 微米级发光二极管显示 有机发光二极管显示 液晶显示
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大气氛围低温Au-Au薄膜键合的表面活化处理研究
4
作者 陈孔杰 聂君扬 +5 位作者 罗灿琳 周雄图 孙捷 严群 吴朝兴 张永爱 《光电子技术》 CAS 2023年第1期42-47,共6页
提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表... 提出了一种在大气氛围和低温条件下实现Au-Au薄膜的金属键合技术,研究了不同表面活化处理时间对Au-Au薄膜表面粗糙度、Au-Au薄膜的键合质量和可靠性的影响。实验结果表明,Au薄膜表面粗糙度随着表面活化处理时间的增加先减少后增大,当表面活化处理时间为20min时,Au薄膜表面粗糙度均方根为6.9 nm,悬挂键数量和粗糙度达到一个相对平衡的关系,Au-Au薄膜键合后的平均剪切强度为131.8 MPa,最大剪切强度高达159.1 MPa。因此,Au薄膜表面理想的表面活化处理时间可有效地提高Au-Au薄膜键合质量和稳定性,为实现混合集成Micro-LED器件的低温金属键合提供理论指导。 展开更多
关键词 薄膜键合 表面活化处理 粗糙度 剪切强度 微米级发光二极管器件
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液态淀积法制备氧化铪薄膜
5
作者 刘义锋 聂君扬 +4 位作者 张恺馨 林畅 李敏 严群 孙捷 《光电子技术》 CAS 2023年第3期212-217,共6页
采用成本低廉、操作简单的液态淀积法成功制备了HfO_(2)薄膜,分析了液态淀积法制备氧化铪薄膜的反应机理,测试了薄膜的表面形貌、组成成分,以及光学特性和电学性能。结果表明:液态淀积法制备的氧化铪薄膜结构致密且连续,化学组分纯正;经... 采用成本低廉、操作简单的液态淀积法成功制备了HfO_(2)薄膜,分析了液态淀积法制备氧化铪薄膜的反应机理,测试了薄膜的表面形貌、组成成分,以及光学特性和电学性能。结果表明:液态淀积法制备的氧化铪薄膜结构致密且连续,化学组分纯正;经过500℃退火后,氧化铪薄膜的透光率在92%以上;以40 nm氧化铪为电介质制成平板电容后,当电压为1 V时漏电流密度是3.56×10^(-7)A/cm^(2);1 MHz频率下的电容值为1.05 nF,经计算得出介电常数为18.9。液态淀积法制备氧化铪薄膜的成功,为使用氧化铪薄膜作为Micro LED器件的侧壁钝化层提供了一种成本低廉、工艺简便的方法。 展开更多
关键词 液态淀积法 氧化铪薄膜 微米级发光二极管显示器
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