自催化生长氧化锌纳米柱阵列 被引量：2

1

作者 袁志好 段月琴 +2 位作者 吴扬 别利剑 范守善 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期524-526,共3页

报道一种基于有序多孔氧化铝模板纳米掩膜法制备的金属铁和锌纳米点阵列作为催化剂阵列,通过气相催化生长方法在硅基体上生长氧化锌纳米柱.初步的研究显示,该方法制备的氧化锌纳米柱尺寸均一,取向一致,呈现高度有序的阵列分布,纳米柱的... 报道一种基于有序多孔氧化铝模板纳米掩膜法制备的金属铁和锌纳米点阵列作为催化剂阵列,通过气相催化生长方法在硅基体上生长氧化锌纳米柱.初步的研究显示,该方法制备的氧化锌纳米柱尺寸均一,取向一致,呈现高度有序的阵列分布,纳米柱的直径匹配于所应用的多孔氧化铝掩模板的孔径. 展开更多

关键词 氧化锌 纳米 阵列 催化生长 多孔氧化铝模板 生长方法 气相催化 直径匹配 催化剂 金属铁 硅基体 柱尺寸 掩模板 制备 有序 膜法 孔径

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金刚石膜/硅基体热残余应力场有限元分析 被引量：3

2

作者 唐达培 高庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期377-380,共4页

运用ANSYS软件建立了有限元模型,对化学气相沉积在硅基体上的金刚石膜内部和膜/基交界面处的各热残余应力分量的分布作了计算与分析。所建模型与已有的一维解析模型都能得出厚度截面上的法向应力分量的分布,且吻合较好,而前者的优点在... 运用ANSYS软件建立了有限元模型,对化学气相沉积在硅基体上的金刚石膜内部和膜/基交界面处的各热残余应力分量的分布作了计算与分析。所建模型与已有的一维解析模型都能得出厚度截面上的法向应力分量的分布,且吻合较好,而前者的优点在于它还能模拟切向应力和剪应力等其它应力分量,这对分析膜/基界面的粘附与失效是至关重要的。 展开更多

关键词 金刚石膜 硅基体 热残余应力 有限元方法

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Si基体二维深通道微孔列阵刻蚀技术 被引量：2

3

作者 向嵘 王国政 +5 位作者 陈立 高延军 王新 李野 端木庆铎 田景全 《微纳电子技术》 CAS 2008年第12期729-733,共5页

Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/... Si材料二维深通道微孔列阵是新型二维通道电子倍增器的基体,其可以采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀和光电化学(PEC)刻蚀等半导体工艺技术实现。简述了ICP工艺原理和实验方法,给出了微孔直径6～10μm、长径比约20、平均刻蚀速率约1.0μm/min的实验样品,指出了深通道内壁存在纵向条带不均匀分布现象、成因和解决途径;重点论述了微孔深通道列阵PEC刻蚀原理和实验方法,在优化的光电化学工艺参数下,得到了方孔边长3.0μm、中心距为6.0μm、深度约为160μm的n型Si基二维深通道微孔列阵基体样品,得出了辐照光强、Si基晶向与HF的质量分数是影响样品质量的结论,指出了光电化学刻蚀工艺的优越性。 展开更多

关键词 硅基体 二维通道电子倍增器 微孔列阵 感应耦合等离子体 光电化学刻蚀

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氩离子束辅助淀积Cu/Si薄膜相变研究

4

作者 杨杰 范玉殿 陶琨 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第3期187-191,共5页

用实验的方法研究了PVD，IBAD和IBAD－PVD复合等不同方法在硅基底上镀制Cu膜的结构特点及真空退火时的结构变化。利用XRD，RBS，SEM等分析手段对比研究它们的结构变化特点，发现IBADCu（20nm）层＋PVDCu膜（350nm）的复合薄膜样品在退... 用实验的方法研究了PVD，IBAD和IBAD－PVD复合等不同方法在硅基底上镀制Cu膜的结构特点及真空退火时的结构变化。利用XRD，RBS，SEM等分析手段对比研究它们的结构变化特点，发现IBADCu（20nm）层＋PVDCu膜（350nm）的复合薄膜样品在退火前无新相生成，而退火后形成ε相，且不同于通常Cu－Si退火系统中首先生成γ相和η”相，然后再由γ和η”反应生成ε相的相序。分析认为在Cu－Si界面退火反应系统中，ε相的形核是得到稳定相结构的关键。 展开更多

关键词 离子束 淀积 薄膜 相变 硅基体 铜

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p-Si上激光诱导局部沉积铂 被引量：1

5

作者 崔启明 江志裕 +1 位作者 郁祖湛 应质峰 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期104-106,共3页

The partial deposit films on p-silicon wafers were formed from three kinds of plating solution: chloro-platinic acid, potassium tetranitroplatinate and diammine platinium dinitrate under Nd: YAG laser irradiation. The... The partial deposit films on p-silicon wafers were formed from three kinds of plating solution: chloro-platinic acid, potassium tetranitroplatinate and diammine platinium dinitrate under Nd: YAG laser irradiation. The compositions and properties of the depositswere investigated by AES, SEM and XPS techniques. The Pt deposits have ohmic contactwith p-type silicon. 展开更多

关键词 电镀铂 激光诱导 沉积 P-SI 硅基体 铂

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铜离子催化作用下单晶硅表面微纳结构的制备 被引量：2

6

作者 丁月 卢建树 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期100-104,149,共6页

目的结合金属辅助化学湿法刻蚀原理,在单晶硅表面制备高效减反的微纳米结构。方法以单晶硅为基体,提出用Cu2+作为催化剂,在单晶硅表面两步化学刻蚀出多种微纳米减反结构,运用SEM/AFM表面分析方法,对形成的表面形貌和制备工艺进行分析,... 目的结合金属辅助化学湿法刻蚀原理,在单晶硅表面制备高效减反的微纳米结构。方法以单晶硅为基体,提出用Cu2+作为催化剂,在单晶硅表面两步化学刻蚀出多种微纳米减反结构,运用SEM/AFM表面分析方法,对形成的表面形貌和制备工艺进行分析,详细介绍了铜离子催化作用下制备微纳米结构的机理、反应现象及主要影响因素。结果铜离子催化化学刻蚀单晶硅可以得到均匀分布的微纳米减反结构,所得结构在250~800 nm范围内的反射率达5%以下。结论与传统碱性刻蚀技术相比,该技术所得微结构具有更高的光吸收率,并且稳定性好,容易控制。 展开更多

关键词 硅基体 微纳结构 铜离子 太阳能电池

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CVD金刚石薄膜窗口试样制备及力学性能测量

7

作者 晋占峰 孙方宏 +2 位作者 简小刚 胡斌 陈明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2002年第6期3-5,共3页

本文以氢气和丙酮为原料 ,采用电子增强热丝CVD法 ,在硅片 (10 0 )基体上沉积一层金刚石薄膜 ,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备出金刚石薄膜自支撑窗口试样。实验结果表明 ,所制备的金刚石薄膜自支撑窗口刻蚀彻底 ,形状规则 ,... 本文以氢气和丙酮为原料 ,采用电子增强热丝CVD法 ,在硅片 (10 0 )基体上沉积一层金刚石薄膜 ,并采用光刻法和湿式各向异性刻蚀技术制备出金刚石薄膜自支撑窗口试样。实验结果表明 ,所制备的金刚石薄膜自支撑窗口刻蚀彻底 ,形状规则 ,能够很好地满足鼓泡法的实验要求 ,对CVD金刚石薄膜力学性能的测量具有重要意义。 展开更多

关键词 CVD 金刚石薄膜 窗口试样 制备 力学性能 测量 硅基体 化学刻蚀 鼓泡法

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动态混合注入与沉积法制备TiN膜层

8

作者 张华芳 武洪臣 +2 位作者 蒋艳莉 马国佳 彭丽平 《航空制造技术》 2005年第3期88-91,共4页

采用离子注入、沉积、动态混合注入沉积工艺,在硅基体上制备TiN膜层。用纳米划痕法检测成膜质量,用扫描电镜观察划痕形貌。对比分析结果表明,动态混合离子注入沉积工艺对提高膜层与基体的结合性能效果显著。

关键词 混合 制备 膜层 沉积工艺 成膜质量 硅基体 结合性能 离子注入 形貌 划痕

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在Si基体上外延生长Si—Ge薄膜的离子束气相沉积技术

9

作者 民众 《等离子体应用技术快报》 1997年第9期4-5,共2页

关键词 硅基体 硅 锗 薄膜 离子束气相沉积 半导体

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Si/SiO2界面热阻的分子动力学模拟

10

作者 冯瑞 《中国科技信息》 2017年第13期104-104,108,共2页

随着航空电子器件的尺寸逐渐趋于纳米量级，不同材料之间的界面热传输性质对整体传热性能起着重要的影响。二氧化硅和硅基体组成的界面在电子工业中应用广泛，然而在纳米尺度下其界面热阻还没有被完全认识清楚。纳米电子器件可以在极小... 随着航空电子器件的尺寸逐渐趋于纳米量级，不同材料之间的界面热传输性质对整体传热性能起着重要的影响。二氧化硅和硅基体组成的界面在电子工业中应用广泛，然而在纳米尺度下其界面热阻还没有被完全认识清楚。纳米电子器件可以在极小的区域上产生很大的热流，导致局部温度的升高，俗称热点。消除热点是下一代纳米电子器件的关键技术所在。因此对微纳米尺度下界面间的热传输性质的全面理解有助于下—代纳米电子器件的发展。本文采用分子动力学的方法对硅，二氧化硅基体之间的界面热阻进行了研究。 展开更多

关键词 分子动力学模拟 界面热阻 SI/SIO2 纳米电子器件 传输性质 二氧化硅 纳米尺度 硅基体

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基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究

11

作者 李旭 任玲玲 +2 位作者 高思田 周丽旗 陶兴付 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期96-103,共8页

用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度... 用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间存在铌、硅元素的混合层;当溅射气压为0.65 Pa,0.85 Pa和1 Pa时,硅基体中应变ε_(xx)分别是–0.16%,–0.30%和0.42%,ε_(yy)分别是–1.23%,–0.31%和0.26%,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。 展开更多

关键词 高分辨成像 几何相位分析 铌薄膜 硅基体 混合层 应变

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牺牲层工艺

12

作者 邱飞燕 徐宇新（审核） 《导航与控制》 2005年第4期52-53,共2页

也叫分离层技术。首先将特定的所谓牺牲层材料淀积在硅基体上，然后在牺牲层材料上淀积结构层材料并通过光刻刻蚀等技术形成微结构，最后将牺牲层材料去除以得到独立的可移动的微结构（参考硅表面工艺）。许多材料都可以被用来作为牺牲... 也叫分离层技术。首先将特定的所谓牺牲层材料淀积在硅基体上，然后在牺牲层材料上淀积结构层材料并通过光刻刻蚀等技术形成微结构，最后将牺牲层材料去除以得到独立的可移动的微结构（参考硅表面工艺）。许多材料都可以被用来作为牺牲层，包括光刻胶和像铝这样的金属。对于牺牲层，关键是要求存在某种刻蚀剂可以将其去除而不损坏结构层。人们通常采用多晶硅作为结构层材料， 展开更多

关键词 表面工艺 牺牲层 材料去除 技术形成 结构层 硅基体 微结构 光刻胶 刻蚀剂 分离层

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美国碳化硅基体核燃料制备取得新进展

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作者 高金玉 宋清林 《国外核新闻》 2016年第1期24-25,共2页

【本刊2016年1月综合报道】燃料元件是反应堆的核心部件，其性能指标直接影响反应堆的安全性和经济性。尽管已经有许多类型的核燃料，例如金属铀燃料、混合氧化物（MOX）燃料、氮化铀燃料等，

关键词 燃料制备 硅基体 碳化 美国 混合氧化物 核心部件 燃料元件 性能指标

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在950℃Si基体上用离子束合成β—SiC

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作者 李民 《等离子体应用技术快报》 1998年第2期17-18,共2页

关键词 碳化硅 硅基体 离子束合成 Β-SIC

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基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究

15

作者 李旭 任玲玲 +2 位作者 高思田 周丽旗 陶兴付 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第6期467-474,共8页

本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸... 本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现了大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间产生铌、硅元素的混合层;随着溅射气压的增大,硅基体中应变的大小和方向均不相同,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。 展开更多

关键词 高分辨成像 几何相位分析 铌薄膜 硅基体 混合层 应变

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提高铜管底模寿命的研究之一──50Cr_4W_3Mo_2VSi钢的研制 被引量：1

16

作者 赵菊华 陶庆国 +1 位作者 赵希文 王金海 《铸锻热（热处理实践）》 1996年第4期26-31,共6页

含硅基体钢50Cr4W3Mo2VSi比3Cr2W8V具有更高的淬硬性和热稳定性，它用于铜管热挤压底摸使用寿命可提高1～2倍．

关键词 含硅基体钢 铜管热挤压 底模 模具钢 性能

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纳米结晶硅 被引量：2

17

作者 胡长诚 《无机盐工业》 CAS 2002年第5期42-42,共1页

关键词 美国 纳米结晶硅 加州大学 等离子区 氢原子 硅基体 键重排

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氮化硅陶瓷性能增强的原因

18

《广西科学》 CAS 2005年第1期21-21,共1页

过去20年中，氮化硅陶瓷的高温应用被广泛研究。添加稀土元素能改进氮化硅陶瓷的机械和物理性能，但是人们不了解这是为什么，以及为什么有些稀土元素比其他元素的效果更好。Alexander Ziegler和同事研究指出，这些原子的位置在氮化硅... 过去20年中，氮化硅陶瓷的高温应用被广泛研究。添加稀土元素能改进氮化硅陶瓷的机械和物理性能，但是人们不了解这是为什么，以及为什么有些稀土元素比其他元素的效果更好。Alexander Ziegler和同事研究指出，这些原子的位置在氮化硅基体晶粒和薄粒间相的界面。他们表示，氮化硅晶粒有许多空悬键，稀土原子就附着到这些键上。 展开更多

关键词 氮化硅陶瓷 性能增强 原因 稀土元素 物理性能 稀土原子 硅基体 晶粒

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Cr2N／CrN多层复合涂层的生长和性能

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作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期69-69,共1页

关键词 Cr2N/CrN多层复合涂层 性能 磁控溅射技术 硅基体 沉积单层 多层氮化铬涂层 沉积温度

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硅基体上化学气相沉积TiN薄膜微观擦伤试验的研究

20

作者 彭补之 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2002年第12期68-68,共1页

关键词 硅基体 化学气相沉积 TIN薄膜 微观擦伤试验 研究

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