反应烧结碳化硅的显微结构和力学性能分析 被引量：5

1

作者 胡传奇 刘海林 +7 位作者 黄小婷 霍艳丽 杨泰生 李荟 贾志辉 冮博仁 王华 陈玉峰 《中国陶瓷工业》 CAS 2020年第5期7-11,共5页

分析了两种碳化硅的显微结构和力学性能,一种是反应结合碳化硅(reaction boned Silicon Carbide,RBSC);另一种是反应生成碳化硅(reaction formed Silicon Carbide,RFSC)。两种材料均是由硅和碳化硅相组成,但坯体的成分不同。前者坯体中... 分析了两种碳化硅的显微结构和力学性能,一种是反应结合碳化硅(reaction boned Silicon Carbide,RBSC);另一种是反应生成碳化硅(reaction formed Silicon Carbide,RFSC)。两种材料均是由硅和碳化硅相组成,但坯体的成分不同。前者坯体中含有原始碳化硅颗粒和碳粉;后者坯体只含有碳粉。研究表明,反应生成碳化硅(RFSC)的结构均匀性更好,三点抗弯强度和强度的韦伯模数更高。 展开更多

关键词 硅/碳化硅 反应结合碳化硅 反应生成碳化硅 显微结构 力学性能 分析

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硅/碳化硅高温热处理中组织及相组分变化 被引量：3

2

作者 李世斌 宋士华 金志浩 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期11-14,共4页

在氮气氛中于1650-1850℃的温度范围内对硅/碳化硅材料进行高温处理。通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射方法,研究反应烧结碳化硅材料的中各相组织及成分随热处理温度的变化规律。结果表明,晶间粒状次生β相SiC首先以溶解-析出形式... 在氮气氛中于1650-1850℃的温度范围内对硅/碳化硅材料进行高温处理。通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射方法,研究反应烧结碳化硅材料的中各相组织及成分随热处理温度的变化规律。结果表明,晶间粒状次生β相SiC首先以溶解-析出形式发生再结晶,而后沉积在α相碳化硅上,通过-αSiC相基面的不断长大,完成β相向α相的转变。从能量的观点在理论上探讨了反应烧结碳化硅中β→α的相转变机理。 展开更多

关键词 硅/碳化硅 热处理 显微组织 相组分

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硅/碳化硅材料用作电解铝热电偶保护管的可行性研究 被引量：1

3

作者 陈福山 李世斌 +1 位作者 鞠银燕 孟娜 《佛山陶瓷》 2005年第12期8-10,共3页

本文研究了900℃碳化硅材料在气/冰晶石/铝液三相区介质的抗蚀情况。用扫描电镜和X衍射仪观察分析了试样在熔液区的界面形貌与物相组成。研究结果表明:碳化硅材料除在电解质/空气界面有较明显的侵蚀外,在熔融的冰晶石与铝液的混合介质... 本文研究了900℃碳化硅材料在气/冰晶石/铝液三相区介质的抗蚀情况。用扫描电镜和X衍射仪观察分析了试样在熔液区的界面形貌与物相组成。研究结果表明:碳化硅材料除在电解质/空气界面有较明显的侵蚀外,在熔融的冰晶石与铝液的混合介质中表现出良好的抗腐蚀能力,用作电解铝热电偶保护管有较好的应用前景。 展开更多

关键词 硅/碳化硅 保护管 电解质 耐蚀性

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拓扑法计算硅/碳化硅材料的电阻率

4

作者 李世斌 吕振林 +1 位作者 高积强 金志浩 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第z1期83-86,共4页

用拓扑关系将硅 /碳化硅材料转化为具有 3个不同显微结构单元的整体 ,建立了等效电路 ,结合相关试验 ,计算了不同显微组织的硅 /碳化硅材料的电阻率。得到的理论计算结果与实验值的综合相对误差仅为3.9% ,分析比较了各相含量和分布形态... 用拓扑关系将硅 /碳化硅材料转化为具有 3个不同显微结构单元的整体 ,建立了等效电路 ,结合相关试验 ,计算了不同显微组织的硅 /碳化硅材料的电阻率。得到的理论计算结果与实验值的综合相对误差仅为3.9% ,分析比较了各相含量和分布形态对硅 /碳化硅材料整体电阻率的影响。结果表明 ,提高低电阻率硅的体积含量和其分布连续性 ,可降低材料的整体电阻率。该方法可用来预测要得到所需电阻率材料中应具有的硅含量和分布形态 ,为确定制备材料的显微结构设计提供指导。 展开更多

关键词 硅/碳化硅 拓扑法 电阻率

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硅/碳化硅在高温热处理过程中的组织变化

5

作者 李世斌 马明亮 金志浩 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期17-20,38,共5页

分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅／碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅／碳化硅的组织变化。结果表明：氮气氛下,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终以完全“... 分别于真空和氮气气氛中,在1650,1750和1850℃对硅／碳化硅进行高温处理,通过光学显微镜、扫描电镜和X射线衍射仪研究了硅／碳化硅的组织变化。结果表明：氮气氛下,α子晶在界面能驱动下,通过基面以层状形式不断聚合长大,最终以完全“吞食”所包裹的β-SiC来完成相转变；在真空条件下,除了前一种方式外,还有一定的蒸发-凝聚烧结机制存在,两者同时作用使得比氮气条件下有较快的β-SiC转化速度。转化驱动力随温度的上升而提高。1850℃氮气环境下处理的材料仍有少量β相存在,而真空1750℃处理后就能得到单-α相的多孔材料。 展开更多

关键词 硅/碳化硅 热处理 显微组织

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硅灰制备硅/碳化硅纳米复合材料及其储锂性能研究

6

作者 黄海铭 杜静 +2 位作者 谢捷洋 陈情泽 朱润良 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第8期3053-3062,共10页

硅负极的体积效应导致锂离子电池的循环寿命短且容量迅速衰减,如何提高硅负极材料的循环稳定性至关重要。采用了熔盐辅助镁热还原法,通过使用含有单质碳的工业固体废弃物硅灰,成功设计了一种碳化硅增强的硅纳米材料(SF-Si),所制备的SF-S... 硅负极的体积效应导致锂离子电池的循环寿命短且容量迅速衰减,如何提高硅负极材料的循环稳定性至关重要。采用了熔盐辅助镁热还原法,通过使用含有单质碳的工业固体废弃物硅灰,成功设计了一种碳化硅增强的硅纳米材料(SF-Si),所制备的SF-Si样品不仅保留了SF本身存在的SiC,还将单质碳转化为SiC,使样品中的SiC含量达到了16.4%(质量分数)。与经过热处理去除单质碳的硅灰制备的硅材料(H-SF-Si)相比,SF-Si负极材料表现出更好的循环性能和倍率性能,即第1圈2584.76 mAh·g^(-1)的高比容量和第100圈时具有83%的容量保持率,并且在高电流密度5 A·g^(-1)下的平均容量仍为877.28 mAh·g^(-1),这主要归因于更高的SiC含量。研究表明,硅灰在锂离子电池硅负极领域具有应用潜力,其碳元素在制备硅基纳米材料时发挥积极的作用。 展开更多

关键词 硅/碳化硅纳米复合材料 硅灰 镁热还原 锂离子电池 负极材料 工业固体废弃物

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高硅含量Si/SiC材料显微特征与力学性能研究

7

作者 相宇博 郑翰 +4 位作者 马昭阳 马渭奎 张志华 曹会彦 吴吉光 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S01期115-118,共4页

以α-SiC粉、炭黑、鳞片石墨和酚醛树脂为主要原料,采用等静压成型方式结合反应烧结工艺制备得到高硅含量的Si/SiC材料。基于颗粒级配原料,研究了不同碳源引入方式对Si/SiC材料的物相组成、微观形貌、主要物理性能的影响规律及调控机制... 以α-SiC粉、炭黑、鳞片石墨和酚醛树脂为主要原料,采用等静压成型方式结合反应烧结工艺制备得到高硅含量的Si/SiC材料。基于颗粒级配原料,研究了不同碳源引入方式对Si/SiC材料的物相组成、微观形貌、主要物理性能的影响规律及调控机制。研究表明,经1700℃反应烧结后,高硅含量(不低于25%)的Si/SiC材料的物相主要为α-SiC、β-SiC和Si。在制备碳/碳化硅坯体时,石墨与酚醛树脂复合能使碳源更均匀地分散在坯体中,增加坯体的致密度;在反应烧结时,石墨和树脂残碳与硅反应产生的膨胀效应使多孔坯体孔径尺寸降低,优化游离Si的分布。含8%树脂和1%石墨的反应烧结得到的高硅含量Si/SiC材料的体积密度为2.97 g/cm^(3),常温摩擦系数为0.335,抗弯强度为206 MPa。 展开更多

关键词 硅/碳化硅材料 显微组织 耐磨性 抗弯强度

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硅基SiC薄膜制备与应用研究进展

8

作者 杨晨光 王秀峰 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期26-39,共14页

碳化硅(SiC)材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统(MEMS)的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立... 碳化硅(SiC)材料具有极为优良的物理、化学及电学性能,可满足在高温、高腐蚀等极端条件下的应用,碳化硅还是极端工作条件下微机电系统(MEMS)的主要候选材料,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同时,碳化硅有与硅同属立方晶系的同质异形体,可与硅工艺技术相结合制备出适应大规模集成电路需要的硅基器件,因此用硅晶片作为衬底制备碳化硅薄膜的工作受到研究人员的特别重视。本文综述了近年来国内外硅基碳化硅薄膜的研究现状,就其制备方法进行了系统的介绍,主要包括各种化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)法和物理气相沉积(Physical vapor deposition,PVD)法,并归纳了对硅基碳化硅薄膜性能的研究,包括杨氏模量、硬度、薄膜反射率、透射率、发光性能、电阻、压阻、电阻率和电导率等,以及其在微机电系统传感器、生物传感器和太阳能电池等领域的应用,最后对硅基碳化硅薄膜未来的发展进行了展望。 展开更多

关键词 硅基碳化硅薄膜 化学气相沉积 物理气相沉积 微机电系统传感器 生物传感器 太阳能电池

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硅基纳米β-SiC量子点列阵的制备 被引量：1

9

作者 吴兴龙 顾沂 鲍希茂 《过程工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期301-304,共4页

报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC... 报道了用两步自组装法制备硅基纳米碳化硅量子点列阵. 先将两种硅烷偶联剂均匀有序地偶联到洁净的单晶硅片上,其中一种偶联剂能打破C60上的碳碳双键而使C60通过偶联剂均匀有序地分布在硅片的表面上. 然后用夹心法或覆盖法将样品在900oC的氮气氛中退火20 min,使C60分解成活性碳,与周围的硅原子结合生成碳化硅,碳化硅分子的自组装形成了碳化硅纳米晶粒(量子点),C60在硅表面的有序排列导致了纳米碳化硅量子点列阵形成. 展开更多

关键词 硅基碳化硅量子点 自组织生长 纳米半导体

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退火处理对Si/SiC纳米复合薄膜性能与结构的影响

10

作者 刘锋 莫建良 +1 位作者 张溪文 韩高荣 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z2期582-586,共5页

我们以硅烷(SiH4)和乙烯(C2H4)为原料,采用常压热分解APCVD法制备出了Si/SiC复合镀膜玻璃,并对其进行了退火处理.本文利用多种测试技术对退火后硅镀膜玻璃的光学性能以及其组成结构、化学稳定性等方面作了系统研究,发现退火处理能在保... 我们以硅烷(SiH4)和乙烯(C2H4)为原料,采用常压热分解APCVD法制备出了Si/SiC复合镀膜玻璃,并对其进行了退火处理.本文利用多种测试技术对退火后硅镀膜玻璃的光学性能以及其组成结构、化学稳定性等方面作了系统研究,发现退火处理能在保持镀膜玻璃其它重要性能变化不大的基础之上较好地改善硅镀膜玻璃的光学性能、降低玻璃的反射率、有效地防止目前日趋严重地光污染问题,为改善SSi/SiC复合镀膜玻璃的性能、扩大其应用领域作了有益的探索. 展开更多

关键词 硅/碳化硅复合镀膜玻璃 退火处理 光学性能 光污染

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渗硅碳化硅材料结构与性能关系的研究 被引量：11

11

作者 魏明坤 张广军 +1 位作者 张丽鹏 武七德 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期254-257,共4页

采用低廉石油焦碳粉为原料制造全碳粉生坯 ,通过有机添加剂来调配生坯中碳的比例 ,以控制烧结体中游离硅 (fSi)、游离碳 (fC)含量(其中fSi,fC 为烧结体中未反应的硅和碳 ) .研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料的结构与力学性能的... 采用低廉石油焦碳粉为原料制造全碳粉生坯 ,通过有机添加剂来调配生坯中碳的比例 ,以控制烧结体中游离硅 (fSi)、游离碳 (fC)含量(其中fSi,fC 为烧结体中未反应的硅和碳 ) .研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料的结构与力学性能的关系 ,分析了渗硅碳化硅材料中游离硅、游离碳含量对抗弯强度的影响 .结果表明 :渗硅碳化硅材料中随游离硅含量的增加 ,其抗弯强度下降 ,并且二者呈直线关系 ,符合线性复合规则 .另一方面 ,游离碳含量较高的渗硅碳化硅材料 ,尽管游离硅含量低 。 展开更多

关键词 渗硅碳化硅 游离硅 游离碳 抗弯强度 结构 性能

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渗硅碳化硅材料的研究 被引量：2

12

作者 王建荣 张丽鹏 +1 位作者 马友升 吴永霞 《山东陶瓷》 CAS 2001年第3期3-6,共4页

本文通过调整生坯结构 ,研究了全碳粉渗硅碳化硅 (PCRBSC)的显微结构及力学性能。实验结果表明 :生坯结构影响烧结体显微结构 ,同时显微结构、游离硅含量影响材料力学性能 ,渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料中随游离硅含量的增加 ,其抗折强度下... 本文通过调整生坯结构 ,研究了全碳粉渗硅碳化硅 (PCRBSC)的显微结构及力学性能。实验结果表明 :生坯结构影响烧结体显微结构 ,同时显微结构、游离硅含量影响材料力学性能 ,渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料中随游离硅含量的增加 ,其抗折强度下降 ,并且二者呈直线关系 ,符合线性复合规则 :P =∑ni=1PiVi。 展开更多

关键词 渗硅碳化硅 显微结构 游离硅含量 力学性能 陶瓷

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高温氧化对渗硅碳化硅材料强度的影响 被引量：3

13

作者 魏明坤 张丽鹏 武七德 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 2001年第8期1-3,10,共4页

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料 ,在 130 0℃静态空气中的高温氧化行为。研究结果表明 :PCRBSC材料的氧化过程遵循直线 -抛物线规律 ,其结构对高温氧化有很大的影响 ,特别是游离硅 fsi的含量明显影响氧化后

关键词 渗硅碳化硅 游离硅 高温氧化 残余抗折强度 非氧化物陶瓷 失效机制

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碳化硅材料中游离硅及游离碳对性能的影响 被引量：2

14

作者 魏明坤 张丽鹏 武七德 《现代技术陶瓷》 CAS 2001年第3期3-6,共4页

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅（PCRBSC）材料的结构与力学性能的关系,分析了渗硅碳化硅材料中游离硅（fsi）、游离碳（fc）含量对抗折强度的影响。结果表明:渗硅碳化硅材料中随游离硅（fsi）含量的增加,其抗折强度下降,并且二者呈直线关... 研究了全碳粉反应渗硅碳化硅（PCRBSC）材料的结构与力学性能的关系,分析了渗硅碳化硅材料中游离硅（fsi）、游离碳（fc）含量对抗折强度的影响。结果表明:渗硅碳化硅材料中随游离硅（fsi）含量的增加,其抗折强度下降,并且二者呈直线关系,符合线性复合规刚。另一方面,游离碳（fc）含量较高的渗硅碳化硅材料,尽管游离硅（fsi）含量低,但其抗折强度低于等量或较多游离硅（fsi）含量的渗硅碳化硅材料的抗折强度。 展开更多

关键词 渗硅碳化硅 游离硅 游离碳 抗折强度 性能

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PIN型快速恢复二极管的研究与应用 被引量：3

15

作者 韦文生 戴瑜兴 +1 位作者 张正江 李晶 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第19期17-20,共4页

剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化... 剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案。探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe、GaN、SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术。比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频、高电压、大功率技术领域的应用。 展开更多

关键词 快速恢复二极管发射率控制 少子寿命控制 硅碳化硅

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陶瓷装甲的新发展 被引量：3

16

作者 宋继鑫 《兵器知识》 2004年第7期43-45,共3页

陶瓷材料具有高硬度和重量轻的特点,是优良的抗弹材料之一。目前,陶瓷材料已广泛用作防弹衣、车辆和飞机等武器装备的防护装甲。高质量的轻型陶瓷防弹衣与士兵的命运紧密相连。在阿富汗、波黑、科索沃和伊拉克等地区,陶瓷装甲拯救了无... 陶瓷材料具有高硬度和重量轻的特点,是优良的抗弹材料之一。目前,陶瓷材料已广泛用作防弹衣、车辆和飞机等武器装备的防护装甲。高质量的轻型陶瓷防弹衣与士兵的命运紧密相连。在阿富汗、波黑、科索沃和伊拉克等地区,陶瓷装甲拯救了无数美国士兵的生命。近年来,陶瓷防弹衣的需求猛增,车辆用的陶瓷装甲比人体陶瓷装甲具有更好的发展前景。随着陶瓷装甲向提高抗弹性能、减轻重量和降低成本等方向发展,将为士兵提供更好的防护。 展开更多

关键词 陶瓷装甲 防弹衣 陶瓷材料 碳化硼 氧化铝陶瓷 抗弹性能 复合装甲 装甲车辆 防护 渗硅碳化硅

原文传递

渗硅碳化硅材料的高温氧化 被引量：2

17

作者 魏明坤 张丽鹏 武七德 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2001年第4期52-55,共4页

研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料 ,在 1 3 0 0℃静态空气中的高温氧化行为。研究结果表明 :PCRBSC材料的氧化过程遵循直线—抛物线规律 ,其结构对高温氧化有很大的影响 ,特别是游离硅fsi和游离碳fc 的含量对氧化影响更大 ,fsi... 研究了全碳粉反应渗硅碳化硅 (PCRBSC)材料 ,在 1 3 0 0℃静态空气中的高温氧化行为。研究结果表明 :PCRBSC材料的氧化过程遵循直线—抛物线规律 ,其结构对高温氧化有很大的影响 ,特别是游离硅fsi和游离碳fc 的含量对氧化影响更大 ,fsi含量高的PCRBSC材料单位面积氧化增重 (Δm/s)明显 ,fc 含量高的PCRBSC材料氧化后表现为先减重后增重 ,氧化层断口经扫描电镜观察有明显的气孔存在。 展开更多

关键词 渗硅碳化硅 游离硅 游离碳 高温氧化

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硅锰—碳化硅脱氧合金化工艺在转炉炼钢中的应用 被引量：1

18

作者 宋当替 《山西冶金》 CAS 1996年第4期8-11,共4页

本文介绍了采用硅锰—碳化硅脱氧合金化工艺的意义和其工艺的可行性,介绍了转炉冶炼20MnSi采用硅锰—碳化硅脱氧合金化的工艺设计过程,分析了该工艺合金消耗、合金吸收率、碳的控,钢种命中率及对钢质量的影响,通过计算合金化工艺的成本... 本文介绍了采用硅锰—碳化硅脱氧合金化工艺的意义和其工艺的可行性,介绍了转炉冶炼20MnSi采用硅锰—碳化硅脱氧合金化的工艺设计过程,分析了该工艺合金消耗、合金吸收率、碳的控,钢种命中率及对钢质量的影响,通过计算合金化工艺的成本,分析了采用该工艺的经济效益,并提出了该工艺在生产实际过程中尚待解决的问题。 展开更多

关键词 硅锰—碳化硅 脱氧合金化 工艺 应用

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原位合成MoSi_2/SiC复合材料的组织缺陷 被引量：10

19

作者 傅晓伟 杨王玥 +2 位作者 张来启 孙祖庆 朱静 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期249-252,共4页

ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究表明，原位合成ＭｏＳｉ２基复合材料的组织中，基体ＭｏＳｉ２中存在较 多的位错，而且尤以ＭｏＳｉ２与ＳｉＣ的界面处位错最为集中，ＳｉＣ颗粒的内部缺陷的主要形式为孪 晶和层错．纳米力学探针分析表明，Ｍｏ... ＴＥＭ和ＨＲＥＭ研究表明，原位合成ＭｏＳｉ２基复合材料的组织中，基体ＭｏＳｉ２中存在较 多的位错，而且尤以ＭｏＳｉ２与ＳｉＣ的界面处位错最为集中，ＳｉＣ颗粒的内部缺陷的主要形式为孪 晶和层错．纳米力学探针分析表明，ＭｏＳｉ２／ＳｉＣ界面附近存在明显的硬度梯度，在材料制备冷却 过程中，因ＭｏＳｉ２基体与ＳｉＣ颗粒之间的热膨胀系数（ＣＴＥ）的差别而导致的其中的残余热应力 是造成上述组织特征的原因． 展开更多

关键词 原位合成 界面 位错 层错 孪晶 硅化钼/碳化硅复合材料 组织缺陷 残余热应力

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反应熔渗烧结法制备MoSi_2/SiC复合材料 被引量：3

20

作者 张小立 吕振林 金志浩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期162-165,188,共5页

采用反应熔渗烧结方法制备了弯曲强度达262 MPa的MoSi2/SiC复相材料,并研究了其烧结过程和烧结机理。结果表明:MoSi2/C坯体中熔渗硅的方法制备MoSi2/SiC复相材料,液态硅自然浸渗过程在1 450℃即可完成,而且在该温度下液态硅的浸渗速率... 采用反应熔渗烧结方法制备了弯曲强度达262 MPa的MoSi2/SiC复相材料,并研究了其烧结过程和烧结机理。结果表明:MoSi2/C坯体中熔渗硅的方法制备MoSi2/SiC复相材料,液态硅自然浸渗过程在1 450℃即可完成,而且在该温度下液态硅的浸渗速率大于或等于反应速率。在1 750℃时虽然C+Si→β-SiC反应全部完成,但生成的β-SiC发生再结晶,使复相材料的强度降低。成型压力对反应浸渗材料的强度影响不大。 展开更多

关键词 反应熔渗烧结 二硅化钼/碳化硅复相材料 制备工艺

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