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题名硅基片上的中波红外铝线栅偏振器设计
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作者
孔园园
罗海瀚
刘定权
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机构
中国科学院上海技术物理研究所
中国科学院大学
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出处
《微纳电子技术》
北大核心
2018年第7期461-467,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61675223)
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文摘
设计了一种Si基片上的Al线栅偏振器,在Al线栅和Si基片间引入一层低折射率SiO介质层,适用于3.0-5.0μm的中波红外波段。采用有限时域差分（FDTD）方法,对SiO介质层和金属线栅材料（Al,Au,Ag,Cu和Rh）分别进行了优化。SiO介质层的引入削弱了Al线栅和Si基片之间界面上激发的表面等离子体激元,横磁（TM）偏振光的透过率提高,横电（TE）偏振光的反射增强,消光比上升。对Al,Au,Ag,Cu和Rh五种金属线栅材料分析表明,Al是最合适的材料。当SiO介质层厚度为300 nm、线栅周期为400 nm和占空比为0.5时,Al线栅偏振器在4.0μm波长处的TM偏振光的透过率达到94.8%,消光比为28.3 dB,在3.0-5.0μm波段具有良好的偏振性能。
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关键词
线栅偏振器
硅(si)基片
介质层
铝(Al)线栅
消光比
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Keywords
wire-grid polarizer
si substrate
dielectric layer
Al wire-grid
extinction ratio
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分类号
O436.3
[机械工程—光学工程]
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