期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究 被引量：5
1
作者 高攀 王疆靖 +5 位作者 王晓东 廖志明 邵瑞文 郑坤 韩晓东 张泽 《电子显微学报》 CAS CSCD 2015年第2期89-93,共5页
在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖... 在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。 展开更多
关键词 砷化镓纳米线 压阻效应 应变 电导率
下载PDF
GaAs纳米线阵列太阳能电池的设计与优化 被引量：3
2
作者 刘开贤 蔺吉虹 +1 位作者 史建华 田少华 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期82-87,共6页
为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光... 为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终优化过的太阳能电池功率转换效率可达到17.6%.分析结果表明,通过钝化处理以降低GaAs纳米线的表面复合速率,可显著提升电池的功率转换效率,而通过减小纳米线顶端高掺杂区域的体积,可减少载流子复合损耗,从而提高电池效率.该研究可为制作高性能的纳米线太阳能电池提供参考. 展开更多
关键词 太阳能电池 砷化镓纳米线 有限时域差分 光吸收 模拟
下载PDF
光纤飞秒激光抽运的非线性光学频率变换研究进展 被引量：3
3
作者 赵君 胡明列 +4 位作者 范锦涛 刘博文 宋有建 柴路 王清月 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2018年第4期1-14,共14页
最近十几年来,随着飞秒激光技术及非线性晶体制备技术的逐渐成熟,非线性光学频率变换技术得到了飞速发展。非线性光学频率变换技术的研究旨在突破激光增益介质发射谱线的限制,使激光器输出波长拓展至传统激光器所无法直接输出的波段范围... 最近十几年来,随着飞秒激光技术及非线性晶体制备技术的逐渐成熟,非线性光学频率变换技术得到了飞速发展。非线性光学频率变换技术的研究旨在突破激光增益介质发射谱线的限制,使激光器输出波长拓展至传统激光器所无法直接输出的波段范围,以满足更加广泛的科研及应用需求。到目前为止,非线性频率变换技术是获得多波长和可调谐飞秒激光的最简捷有效的途径。近些年来,本研究室在研究光纤飞秒激光器的基础上,开展了基于掺Yb3+光子晶体光纤飞秒激光系统抽运不同介质的非线性频率变换研究,主要包括:基于块状晶体的光学参量振荡(OPO)技术、基于砷化镓(GaAs)纳米线的频率上转换、基于高非线性光子晶体光纤的超连续谱及三次谐波的产生。简要介绍国内外相关研究成果,重点综述了本研究室近五年来在上述研究领域的科研成果,分别介绍了OPO技术、砷化镓(GaAs)纳米线的频率上转换和基于高非线性光子晶体光纤的超连续谱及三次谐波的产生技术的基本原理、研究进展以及前沿应用。 展开更多
关键词 非线性光学 非线性光学频率变换 光子晶体光纤飞秒激光 光学参量振荡器 砷化镓纳米线 高非线 性光子晶体光纤
原文传递
GaAs纳米线晶格热导率温度和尺度效应及声子非弹性散射
4
作者 黄雪 王照亮 《热科学与技术》 CAS CSCD 北大核心 2019年第6期444-450,共7页
为了深入理解砷化镓(GaAs)纳米线的微观热输运机理,采用平衡分子动力学的方法模拟其晶格热导率。基于声子态密度的频域特性和热流自相关函数的时域特性,分别研究温度、尺寸对纳米线晶格热导率的影响规律。结果表明,纳米线的热导率有明... 为了深入理解砷化镓(GaAs)纳米线的微观热输运机理,采用平衡分子动力学的方法模拟其晶格热导率。基于声子态密度的频域特性和热流自相关函数的时域特性,分别研究温度、尺寸对纳米线晶格热导率的影响规律。结果表明,纳米线的热导率有明显的温度与尺度效应。随温度升高,其晶格热导率先逐渐增大后减小,300 K左右达到最大值1.6 W/(m·K);晶格热导率随长度、直径的增大均先增加后趋于稳定。砷化镓纳米线晶格热导率的温度和尺度效应均可用声子非弹性散射解释。模拟的热导率比体材料的值小一个数量级,模拟结果可为改善半导体材料的热电性能提供指导。 展开更多
关键词 砷化镓纳米线 晶格热导率 态密度 热流自相关函数 声子非弹性散射
原文传递
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部