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一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现 被引量:4
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作者 武岳 吕红亮 +1 位作者 张玉明 张义门 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期30-34,共5页
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿... 为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声. 展开更多
关键词 K波段 相位噪声 改进的n形反馈网络 砷化镓异质晶体管 压控振荡器
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GaAs HBT中BC结耗尽区电子渡越时间的修正
2
作者 石瑞英 刘训春 +1 位作者 石华芬 钱永学 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期30-34,共5页
在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非... 在对已发表的 Ga As HBT文献的研究中发现 ,其截止频率 f T 的理论计算结果比实验值小很多 ,而相应的文献中并没有给出 f T的计算结果。针对上述问题 ,文中对产生这种差距的原因进行了分析 ,认为由于速度过冲效应的存在 ,使得电子并非以饱和速度 Vsat渡越 BC结耗尽区 ,而是以更高的速度运动。基于上述理论 ,对产生截止频率误差的 BC结耗尽区电子渡越时间τsc进行了修正。利用修正后的公式对文献中的数据进行了重新计算 ,得到了令人满意的结果。 展开更多
关键词 GAAS HBT 砷化镓异质晶体管 能量弛豫时间 速度过冲 BC耗尽区电子渡越时间
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GaAs HBT功率放大器在5 GHz无线局域网的应用 被引量:1
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作者 刘磊 南敬昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期31-33,44,共4页
采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用。在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在PCB上实现。在单独供电3.3 V的情况下,功率放大器的... 采用2μm GaAs HBT技术实现了单片集成线性功率放大器(PA)在5 GHz无线局域网中的应用。在单端三级功率放大器中应用片上电感和键合线电感对输入,级间网络进行匹配设计,输出匹配网络在PCB上实现。在单独供电3.3 V的情况下,功率放大器的仿真结果是线性输出功率24 dB(1 dB压缩点),小信号增益35 dB,1 dB压缩点处功率附加效率(PAE)39%;GaAsHBT MMIC功率放大器测试呈现线性输出功率20.5 dB(1 dB压缩点),小信号增益27 dB,1 dB压缩点处功率附加效率(PAE)36%;芯片尺寸仅480μm×450μm。 展开更多
关键词 砷化镓异质晶体管 无线局域网 功率放大器 匹配网络
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一种砷化镓HBT高速预分频器的设计
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作者 瞿小峰 陆科杰 +1 位作者 栗成智 隋文泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期59-63,共5页
介绍了一种采用砷化镓HBT工艺实现的数字静态除8高速预分频器。该预分频器采用D触发器高速分频和多级供电驱动电路结构。测试结果表明,最高工作频率达到18GHz。预分频器芯片在5V的电源电压下的静态电流为85mA。
关键词 砷化镓异质晶体管 静态预分频器 D触发器
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推推式压控振荡器的分析与设计
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作者 严婷 《电子世界》 2017年第3期137-139,共3页
本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款推推式压控振荡器(VCO)。该压控振荡器以交叉耦合差分结构为基础,将交叉耦合晶体管基极电容的连接点作为频率输出点,利用ADS和cadence完成了原理图仿真、版图设计及原理图电磁场联合... 本文采用1μm砷化镓异质结双极晶体管工艺,设计了一款推推式压控振荡器(VCO)。该压控振荡器以交叉耦合差分结构为基础,将交叉耦合晶体管基极电容的连接点作为频率输出点,利用ADS和cadence完成了原理图仿真、版图设计及原理图电磁场联合仿真。联合仿真结果表明:该结构成功实现了推推功能,且相位噪声性能良好。振荡核心频率为14.26GHz^14.89GHz,输出频率为28.52GHz^29.77GHz,中心频率处相位噪声为-112d Bc/Hz@1MHz。版图面积为0.7mm×0.7mm。 展开更多
关键词 砷化镓异质晶体管 推推式VCO 交叉耦合 输出频率 相位噪声
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基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究
6
作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 李娜 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第2期165-172,共8页
建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。 展开更多
关键词 砷化镓异质晶体管器件 径向基函数神经网络 反向传播神经网络 器件模型
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应用于LTE band1的高效率功率放大器设计
7
作者 刘祖华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期450-454,共5页
设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器。该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对高功率模式仿真和测试结果进行分析。通过调试,最终高功率模... 设计了一种应用于LTE band1的带有自适应线性化偏置电路的高效率双链式HBT功率放大器。该电路基于InGaP/GaAs HBT工艺设计,通过控制偏置电路电压来选择高功率和低功率模式,对高功率模式仿真和测试结果进行分析。通过调试,最终高功率模式输出功率为28dBm时,增益为27.5dB,功率附加效率为43%,ACPR为-38dBc。在低功率模式输出功率为16dBm时有21%的功率附加效率。 展开更多
关键词 长期演进 功率放大器 铟镓磷/砷化镓异质晶体管 功率附加效率
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应用于WiFi6的新型高线性度功率放大器设计
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作者 姚凤薇 焦凌彬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第1期93-98,共6页
针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改... 针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改进,有效降低了射频系统的功耗。针对各次谐波分量产生的影响,对输出匹配网络进行了优化。仿真结果表明:该射频功率放大器芯片小信号增益达到了32.6 dB;在中心频率5.5 GHz时1 dB压缩点功率为30.4 dBm,功率附加效率超过27.9%;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-40 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.4 dB;5.5 GHz时1 dB压缩点功率为29.06 dBm;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-30 dBc。当输出功率为20 dBm时,二次三次谐波抑制到-30 dBc和-45 dBc。 展开更多
关键词 砷化镓异质晶体管 偏置电路 功率检测电路 匹配网络 高线性度
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一种新型微波宽带压控振荡器的设计 被引量:4
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作者 孙高勇 要志宏 +1 位作者 郭文胜 张加程 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期586-589,635,共5页
提出了一种提高微波宽带压控振荡器(VCO)稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT... 提出了一种提高微波宽带压控振荡器(VCO)稳定性的方法。压控振荡器采用了从谐振电路输出的结构,并与后级缓冲放大电路之间加入了一个匹配电路,从而可有效提高宽带振荡器的稳定性,改善振荡器的温度特性。基于此电路结构,采用Ga As HBT工艺设计了一款微波宽带压控振荡器芯片。为拓宽振荡器的工作频带和降低相位噪声,使用片外Ga As超突变结、高Q值变容二极管。该宽带压控振荡器芯片实测结果显示,在调谐电压为1.5~15 V内,可实现输出频率覆盖13~19 GHz,调谐线性度≤2.5∶1,调谐电压8 V时相位噪声为-89 d Bc/Hz@100 k Hz。该压控振荡器工作电压为5 V,工作电流为65 m A,19 GHz频率点处输出功率在85℃环境温度下比在25℃环境温度下仅下降2 d B,具有良好的温度稳定性。 展开更多
关键词 宽带 压控振荡器(VCO) 匹配电路 稳定性 砷化镓异质晶体管
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电子辐照对GaAs HBT残余电压与饱和电压的影响
10
作者 田野 石瑞英 +3 位作者 龚敏 何志刚 蔡娟露 温景超 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第3期362-365,401,共5页
研究了GaAs HBT高能电子(~1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电... 研究了GaAs HBT高能电子(~1MeV)辐照的总剂量效应。结果表明,电子辐照后GaAs HBT的基极电流增大,辐照损伤程度随辐照总剂量增加而增加,这和其他研究观察到的现象相同。所不同的是,实验中发现随辐照剂量增大器件集电极饱和电压、残余电压均增大。因此认为,高能电子辐照造成的位移损伤在GaAs HBT集电区和BC结内诱生的大量复合中心使集电极串联电阻增大,以及BE、BC结内形成的复合中心俘获结内载流子使载流子浓度降低造成BE、BC结自建电势差下降是集电极饱和电压和残余电压增加的主要原因。 展开更多
关键词 电子辐照 砷化镓异质晶体管 残余电压 集电饱和电压
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基于SDD技术的简单精确的GaAs HBT经验模型
11
作者 程林 张金灿 +2 位作者 刘敏 刘博 李娜 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2020年第9期894-899,共6页
Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型。该模型直流部分采用VBIC模型中的... Agilent模型的等效电路可以较好地表征器件的物理特性,但是其中的直流和交流表达式较为复杂,鉴于此,文中在Agilent HBT模型等效电路的基础上,利用符号自定义(SDD)技术,提出了一种简单且精确的经验模型。该模型直流部分采用VBIC模型中的直流表达式,交流部分采用经验表达式,使得模型得以简化,参数提取难度大大降低。采用1μm Ga As HBT器件,对本文所提出的经验的Ga As HBT器件模型进行验证。在对模型的参数进行完整提取的基础上,通过将Agilent HBT模型和所提出的经验模型的仿真结果与测试结果相对比,验证了所提出的经验模型的精确性。 展开更多
关键词 Agilent HBT模型 VBIC模型 砷化镓异质晶体管 经验模型 参数提取
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基于HBT工艺的北斗手持终端功率放大器设计 被引量:1
12
作者 陈思弟 郑耀华 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期334-339,共6页
针对北斗卫星通信手持终端,基于InGaP/GaAs HBT工艺,采用功率合成的方式设计了两种输出功率为5 W的功率放大器,其中一种采用两路完全对称的功率放大器合成,另一种在两路功率放大器的输出端引入了90°的相位差。实测结果表明,在输出... 针对北斗卫星通信手持终端,基于InGaP/GaAs HBT工艺,采用功率合成的方式设计了两种输出功率为5 W的功率放大器,其中一种采用两路完全对称的功率放大器合成,另一种在两路功率放大器的输出端引入了90°的相位差。实测结果表明,在输出端引入90°相移的功率放大器获得了极好的抗烧毁能力,其在负载开路情况下仍能可靠工作。该功率放大器的功率附加效率为43%,增益为30dB,饱和输出功率为37.8dBm。 展开更多
关键词 北斗卫星通信 功率放大器 可靠性 磷化铟镓/砷化镓异质晶体管
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5.8~6.2GHz高效率InGaP/GaAs HBT J类功率放大器 被引量:1
13
作者 郑瑞青 郑耀华 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期340-345,共6页
介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术和射频基板封装技术得以实现。在5.... 介绍了一个工作在5.8~6.2GHz的高效率磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器。设计了具有良好带宽性能的J类输出匹配网络,并通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术和射频基板封装技术得以实现。在5.8~6.2GHz的频率范围内,用连续波(CW)信号测试放大器得到的1dB压缩点输出功率都大于31dBm,饱和输出功率都大于32dBm、最大的附加功率效率(PAE)都大于56%。 展开更多
关键词 J类功率放大器 效率 磷化镓铟/砷化镓异质晶体管 单片微波集成电路
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应用于2G/3G移动通讯的多频多模高谐波抑制功率放大器 被引量:1
14
作者 郑瑞青 章国豪 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期531-536,共6页
介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915... 介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成。该模块包含两个功率放大器,工作在824~915 MHz的低频段时,功率放大模块支持2G的GSM850与GSM900频段;工作在1 710~2 025 MHz的高频段时,功率放大器模块支持2G的DCS1800、PCS1900频段与3G的TD-SCDMA频段。文中引入一种由二极管、电容和电阻组成的负反馈增益控制电路,用于改变放大器的功率增益大小与增益平坦度。利用射频基板与芯片封装技术,提出了一种易于实现且可调性很大的谐波抑制结构。 展开更多
关键词 功率放大器 多模多频 谐波抑制 磷化镓铟/砷化镓异质晶体管 单片微波集成电路
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