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半导体材料研究的新进展
被引量：
19
1
作者
王占国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期8-12,14,共6页
首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维...
首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se2、CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等。
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关键词
半导体材料
量子线
量子点材料
光子晶体
现状
硅材料
砷
化钾
磷化铟
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职称材料
一种星载毫米波平板发射阵列天线
2
作者
毛睿杰
梁平
+2 位作者
揭海
聂政航
张浩斌
《电子信息对抗技术》
2024年第2期85-92,共8页
针对星载毫米波阵列天线重量大、成本高的问题,设计了一种平板发射阵列天线。单机采用板上天线架构和集成实现技术,与传统砖式阵列相比,重量减小约50%,成本降低70%。阵列天线具备良好的宇航适应性,扩展性强,可在卫星载荷中推广应用。
关键词
阵列天线
板上天线
砷
化钾
毫米波
卫星通信
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职称材料
GaAs太阳电池的体电阻及旁路漏电对电池结特性的影响
3
作者
施小忠
夏冠群
汪乐
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期392-398,共7页
复合电流是液相外延GaAs太阳电池暗电流的主要成分。扫描电镜观察表明,旁路电流主要来源于太阳电池结区的杂质。串联电阻主要来源于电池p型GaAs层的薄层电阻及正面电极的体电阻。串联电阻降低了电池的短路电流,旁路电阻降低了电池的开...
复合电流是液相外延GaAs太阳电池暗电流的主要成分。扫描电镜观察表明,旁路电流主要来源于太阳电池结区的杂质。串联电阻主要来源于电池p型GaAs层的薄层电阻及正面电极的体电阻。串联电阻降低了电池的短路电流,旁路电阻降低了电池的开路电压。减小电池p-GaAs层的薄层电阻是提高电池效率的重要途径。
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关键词
太阳电池
结特性
体电阻
旁路漏电
砷
化钾
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职称材料
题名
半导体材料研究的新进展
被引量：
19
1
作者
王占国
机构
中国科学院半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期8-12,14,共6页
基金
国家基础研究发展规划项目(G2000068300)
文摘
首先对作为现代信息社会的核心和基础的半导体材料在国民经济建设、社会可持续发展以及国家安全中的战略地位和作用进行了分析,进而介绍几种重要半导体材料如,硅材料、GaAs和InP单晶材料、半导体超晶格和量子阱材料、一维量子线、零维量子点半导体微结构材料、宽带隙半导体材料、光学微腔和光子晶体材料、量子比特构造和量子计算机用材料等目前达到的水平和器件应用概况及其发展趋势作了概述。最后,提出了发展我国半导体材料的建议。本文未涉及II-VI族宽禁带与II-VI族窄禁带红外半导体材料、高效太阳电池材料Cu(In,Ga)Se2、CuIn(Se,S)等以及发展迅速的有机半导体材料等。
关键词
半导体材料
量子线
量子点材料
光子晶体
现状
硅材料
砷
化钾
磷化铟
Keywords
semiconductor materials
quantum wire
quantum dot materials
photonicmaterials
分类号
TN304.01 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种星载毫米波平板发射阵列天线
2
作者
毛睿杰
梁平
揭海
聂政航
张浩斌
机构
中国电子科技集团公司第二十九研究所
出处
《电子信息对抗技术》
2024年第2期85-92,共8页
文摘
针对星载毫米波阵列天线重量大、成本高的问题,设计了一种平板发射阵列天线。单机采用板上天线架构和集成实现技术,与传统砖式阵列相比,重量减小约50%,成本降低70%。阵列天线具备良好的宇航适应性,扩展性强,可在卫星载荷中推广应用。
关键词
阵列天线
板上天线
砷
化钾
毫米波
卫星通信
Keywords
phased array antenna
antenna on board(AoB)
GaAs
millimeter wave
satellite communication
分类号
TN821.8 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
GaAs太阳电池的体电阻及旁路漏电对电池结特性的影响
3
作者
施小忠
夏冠群
汪乐
机构
中国科学院上海冶金研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第4期392-398,共7页
文摘
复合电流是液相外延GaAs太阳电池暗电流的主要成分。扫描电镜观察表明,旁路电流主要来源于太阳电池结区的杂质。串联电阻主要来源于电池p型GaAs层的薄层电阻及正面电极的体电阻。串联电阻降低了电池的短路电流,旁路电阻降低了电池的开路电压。减小电池p-GaAs层的薄层电阻是提高电池效率的重要途径。
关键词
太阳电池
结特性
体电阻
旁路漏电
砷
化钾
Keywords
Solar Cell
Junction Charactcristic
Bulk Resistance
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体材料研究的新进展
王占国
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
19
下载PDF
职称材料
2
一种星载毫米波平板发射阵列天线
毛睿杰
梁平
揭海
聂政航
张浩斌
《电子信息对抗技术》
2024
0
下载PDF
职称材料
3
GaAs太阳电池的体电阻及旁路漏电对电池结特性的影响
施小忠
夏冠群
汪乐
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
已选择
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