期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
大尺寸单层石墨烯图案的金网转移
1
作者 李超 姜萌 《Journal of Donghua University(English Edition)》 CAS 2024年第3期241-248,共8页
当化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法制备的石墨烯被应用于各种高性能器件时,石墨烯的转移和图案化过程通常会降低石墨烯的固有特性。为实现石墨烯图案的高质量和大规模转移,该研究采用了湿法转移和机械剥离相结合的新方... 当化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)法制备的石墨烯被应用于各种高性能器件时,石墨烯的转移和图案化过程通常会降低石墨烯的固有特性。为实现石墨烯图案的高质量和大规模转移,该研究采用了湿法转移和机械剥离相结合的新方法。这种方法需要制备具有一定孔隙的金网以作为剥离带。接触区(金箔和石墨烯之间)能为机械剥离提供足够的黏附力,以形成均匀的单层石墨烯,而非接触区(孔洞和石墨烯之间)的力相对较弱,有利于石墨烯图案从基底上释放。石墨烯表面形貌和电学特性表明,石墨烯表面洁净且均匀,用该石墨烯制备的场效应晶体管具有高的载流子迁移率和小的狄拉克电压。金网格转移方法能有效提高石墨烯图案的质量和转移效率,这为CVD法制备石墨烯的应用开辟了更广阔的前景,同时也为其他二维材料的转移提供了参考。 展开更多
关键词 石墨烯转移 石墨烯图案 金网 光刻 晶体管
下载PDF
硅基石墨烯场效应管关键工艺研究 被引量：1
2
作者 张凤 方新心 +3 位作者 成霁 唐逢杰 金庆辉 赵建龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第B12期344-349,共6页
石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子... 石墨烯由于其独特的电学特性受到关注,工艺的研究促使石墨烯材料的实际应用。着重于石墨烯场效应管关键工艺(目标衬底的预处理、石墨烯的转移、金属沉积、石墨烯刻蚀与退火)的优化。通过实验发现,衬底上硅醇基的密度以及碳氢化合物分子的大小对器件的性能有很大的影响;与热蒸发方式相比,溅射会对石墨烯引入更多的缺陷,降低器件性能;金属上石墨烯的接触电阻率为1.1×104Ω·μm,而金属下石墨烯的电阻率为2.4×105Ω·μm;应用射频和微波等离子体系统对石墨烯进行刻蚀,微波等离子体会造成石墨烯上的光刻胶碳化,使得光刻胶很难用丙酮去除;器件制备完成后,样品需要在(H2/Ar)还原性气氛中退火,以除去吸附在石墨烯表面的杂质,提高器件的性能。 展开更多
关键词 石墨烯 溅射 热蒸发 石墨烯转移 等离子体刻蚀
下载PDF
光刻胶辅助的石墨烯晶圆无损转移
3
作者 廖珺豪 赵一萱 +8 位作者 胡兆宁 补赛玉 陆琪 尚明鹏 贾开诚 裘晓辉 谢芹 林立 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第10期117-124,共8页
为实现石墨烯在光通讯、光互联、太赫兹探测等电子和光电子领域的应用价值,需要在硅基衬底上得到大面积、均一且性能优异的石墨烯薄膜材料。而高品质石墨烯薄膜的制备衬底多为金属,因此制备的石墨烯薄膜不可避免地需要通过合适的转移方... 为实现石墨烯在光通讯、光互联、太赫兹探测等电子和光电子领域的应用价值,需要在硅基衬底上得到大面积、均一且性能优异的石墨烯薄膜材料。而高品质石墨烯薄膜的制备衬底多为金属,因此制备的石墨烯薄膜不可避免地需要通过合适的转移方法,转移到目标应用衬底上。而转移过程通常会引入破损、褶皱和污染物,其原因之一是石墨烯转移和器件加工过程中表面反复涂覆和去除转移介质聚合物和光刻胶类聚合物。为避免反复涂覆与去除高分子聚合物,本文直接利用光刻胶作为转移介质,成功实现了石墨烯的洁净转移。同时,转移后石墨烯的电学性质得到明显改善,平均载流子迁移率可达6200 cm^(2)·V^(−1)·s^(−1)。此方法可实现石墨烯等二维材料无损、洁净转移和高性能器件的构筑,将有助于推动二维材料在电子、光电子器件领域的应用。 展开更多
关键词 石墨烯转移 光刻胶 转移介质 载流子迁移率
下载PDF
PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法:一种改进的石墨烯转移技术 被引量：1
4
作者 王胜涛 卢维尔 +1 位作者 王桐 夏洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期230-233,共4页
石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的... 石墨烯具有高载流子迁移率、高热导率、高力学强度等独特性能,可应用于微电子器件、生物传感器、燃料电池、储能器件等,在许多领域拥有广阔的发展前景。如何转移得到少残胶、无破损的石墨烯是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨烯转移技术存在因聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨烯表面而造成污染的不足。鉴于此,本工作提出了PMMA/PVA双支撑膜辅助铜刻蚀法,即在铜刻蚀法中引入高水溶性的聚乙烯醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石墨烯之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM)、拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶特性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良好的载流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。 展开更多
关键词 石墨烯转移 聚乙烯醇(PVA) 残胶 铜刻蚀法 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA) 支撑膜
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部