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扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的开关电流及复能带结构
1
作者
王宇
夏同生
+1 位作者
张留军
李洪革
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期424-427,共4页
基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值。对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应管,为了获得最佳性能,指出在关状态下的泄...
基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值。对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应管,为了获得最佳性能,指出在关状态下的泄漏电流与开电流之间存在某种折衷,也就是说,ID-VG曲线给出的较小/大的关状态泄漏电流可能伴随着ID-VD曲线的一个较小/大的开电流。随后利用复能带的特性对此作了解释。
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关键词
复能
带
结构
量子输运
石墨
烯
纳米
带
场效应管
开关电流
下载PDF
职称材料
GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究
2
作者
黄川
邓迟
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期537-541,共5页
利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应。分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输...
利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应。分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输运特性;十字型GNRFET由于中间的干破坏了原来两边缘的输运路径,其传输系数均不超过1。十字型GNRFET的输出特性具有明显的负微分电阻效应,且栅电压对此有调控作用。从传输谱的角度给出了GNRFET负微分电阻特性的理论解释和栅压调控的能量图,为微纳器件负微分电阻效应的研究提供了一定的理论依据。
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关键词
石墨
烯
纳米
带
场效应管
负微分电阻
效应
输运特性
密度泛函理论
传输谱
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职称材料
石墨烯纳米带场效应管结构优化
被引量：
1
3
作者
赵磊
赵柏衡
+2 位作者
常胜
王豪
黄启俊
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第8期474-478,522,共6页
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注。以数字电路应用为指向,基于密度泛函理论的计算仿真,对GNRFET的结构设计优化进行了研究。分析了...
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注。以数字电路应用为指向,基于密度泛函理论的计算仿真,对GNRFET的结构设计优化进行了研究。分析了宽度N=3m和N=3m+1(m为正整数)两系列半导体型石墨烯纳米带的传输特性,结果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯纳米带(armchair GNR,AGNR)更适合作为晶体管的沟道。研究了掺杂对GNRFET性能的影响,得到明显n型特性,并确定了掺杂位置;探讨了沟道长度对器件的影响,得到了较大的开关电流比(约1 700)和较小的亚阈值摆幅(30～40 mV/decade)。这些优化手段有效提高了GNRFET的性能,可指导其设计和制备。
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关键词
石墨
烯
纳米
带
场效应管
(GNRFET)
结构优化
掺杂
开关电流比
亚阈值摆幅
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职称材料
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
4
作者
蒋嗣韬
肖广然
王伟
《南京邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2013年第5期21-27,共7页
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(G...
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
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关键词
石墨
烯
纳米
条
带
场效应管
非对称HALO-LDD掺杂
非平衡格林函数
掺杂策略
DIBL
效应
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职称材料
题名
扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的开关电流及复能带结构
1
作者
王宇
夏同生
张留军
李洪革
机构
北京航空航天大学电子信息工程学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第5期424-427,共4页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(YWF-10-02-040)
北京市自然科学基金资助项目(4122045)
文摘
基于对复能带结构的考虑,给出了扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的量子输运计算结果,并比较了ID-VG曲线所给出的最小泄漏电流值与ID-VD曲线所给出的开电流值。对于纳米尺度下的石墨烯纳米带场效应管,为了获得最佳性能,指出在关状态下的泄漏电流与开电流之间存在某种折衷,也就是说,ID-VG曲线给出的较小/大的关状态泄漏电流可能伴随着ID-VD曲线的一个较小/大的开电流。随后利用复能带的特性对此作了解释。
关键词
复能
带
结构
量子输运
石墨
烯
纳米
带
场效应管
开关电流
Keywords
complex band structure
quantum transport
graphene nanoribbon fieldeffect transistor
on-off current
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究
2
作者
黄川
邓迟
机构
乐山师范学院物理与电子工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第4期537-541,共5页
基金
四川省教育厅2014年度科研资助项目(0300037000957)
文摘
利用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的数值分析方法,以均匀型和十字型两种不同类型的石墨烯纳米带作为沟道,研究了石墨烯纳米带场效应管(GNRFET)的负微分电阻效应。分析了不同类型GNRFET的端口输运性质:均匀型GNRFET具有良好的输运特性;十字型GNRFET由于中间的干破坏了原来两边缘的输运路径,其传输系数均不超过1。十字型GNRFET的输出特性具有明显的负微分电阻效应,且栅电压对此有调控作用。从传输谱的角度给出了GNRFET负微分电阻特性的理论解释和栅压调控的能量图,为微纳器件负微分电阻效应的研究提供了一定的理论依据。
关键词
石墨
烯
纳米
带
场效应管
负微分电阻
效应
输运特性
密度泛函理论
传输谱
Keywords
GNRFET
NDR
Transport properties
Density functional theory（DFT）
Transmission spectrum
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
石墨烯纳米带场效应管结构优化
被引量：
1
3
作者
赵磊
赵柏衡
常胜
王豪
黄启俊
机构
武汉大学物理科学与技术学院
武汉大学微电子与信息技术研究院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013年第8期474-478,522,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61204096
J1210061)
+1 种基金
高等学校博士点专项科研基金资助项目(20100141120040
20110141120074)
文摘
石墨烯纳米带场效应管(graphene nanoribbon field effect transistor,GNRFET)作为后硅基时代集成电路基础器件的有力竞争者受到广泛关注。以数字电路应用为指向,基于密度泛函理论的计算仿真,对GNRFET的结构设计优化进行了研究。分析了宽度N=3m和N=3m+1(m为正整数)两系列半导体型石墨烯纳米带的传输特性,结果表明N=3m系的扶手椅型石墨烯纳米带(armchair GNR,AGNR)更适合作为晶体管的沟道。研究了掺杂对GNRFET性能的影响,得到明显n型特性,并确定了掺杂位置;探讨了沟道长度对器件的影响,得到了较大的开关电流比(约1 700)和较小的亚阈值摆幅(30～40 mV/decade)。这些优化手段有效提高了GNRFET的性能,可指导其设计和制备。
关键词
石墨
烯
纳米
带
场效应管
(GNRFET)
结构优化
掺杂
开关电流比
亚阈值摆幅
Keywords
graphene nanoribbon field effect transistor （GNRFET）
structure optimization
doping
switch current ratio
subthreshold swing
分类号
O472.4 [理学—半导体物理]
TN386.2 [理学—物理]
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职称材料
题名
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
4
作者
蒋嗣韬
肖广然
王伟
机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
出处
《南京邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2013年第5期21-27,共7页
基金
国家自然科学基金(60806027)
江苏省高校自然科学基金(10KJD510005
+1 种基金
10KJD510006)
南京邮电大学科研基金(NY211094)资助项目
文摘
基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。
关键词
石墨
烯
纳米
条
带
场效应管
非对称HALO-LDD掺杂
非平衡格林函数
掺杂策略
DIBL
效应
Keywords
graphene nanoribbon field effect transistors
asymmetric HALO-LDD doping
non-equilibrium Green＇s function
doping strategy
drain induced barrier lowering effect
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
扶手椅型石墨烯纳米带场效应管的开关电流及复能带结构
王宇
夏同生
张留军
李洪革
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2012
0
下载PDF
职称材料
2
GNRFET输运特性中的负微分电阻效应研究
黄川
邓迟
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
3
石墨烯纳米带场效应管结构优化
赵磊
赵柏衡
常胜
王豪
黄启俊
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2013
1
下载PDF
职称材料
4
基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究
蒋嗣韬
肖广然
王伟
《南京邮电大学学报（自然科学版）》
北大核心
2013
0
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职称材料
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