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1200V沟槽栅/平面栅场截止型IGBT短路耐量特性研究 被引量：1
1
作者 陈天 杨晓鸾 季顺黄 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期111-119,共9页
研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因... 研究了沟槽栅与平面栅结构1 200V/20A场截止(Field-stop)型(绝缘栅双极型晶体管)(IGBT)的短路耐量特性,从测试电路参数与器件本身的结构与工艺两方面对具有沟槽栅及平面栅结构的场截止型IGBT进行了探究,其中热耗散为引起击穿的主要原因。实际制作了沟槽栅-场截止型IGBT,采用优化的正面沟槽结构结合背面场截止薄片工艺,选择了合适的集电极-发射极间的饱和电流保证器件具有较低的导通压降的同时减少了焦耳热的产生,提升了芯片自身的抗短路能力(tsc>12μs),有利于沟槽栅IGBT应用的可靠性。 展开更多
关键词 绝缘栅双极型晶体管 短路耐量 沟槽栅 平面栅 场截止
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IPM短路耐量测试方法研究
2
作者 徐世明 《家电科技》 2017年第2期41-43,共3页
智能功率模块IPM的应用越来越广泛,IGBT(绝缘双级型晶体管)作为其中重要的组成部件,其短路耐量特性在很大程度上决定了IPM的可靠性和故障率。本文从原理上分析了IPM的短路耐量特性,并提出模拟测试方法,为筛选短路耐力不足产品提供了方... 智能功率模块IPM的应用越来越广泛,IGBT(绝缘双级型晶体管)作为其中重要的组成部件,其短路耐量特性在很大程度上决定了IPM的可靠性和故障率。本文从原理上分析了IPM的短路耐量特性,并提出模拟测试方法,为筛选短路耐力不足产品提供了方法和思路。 展开更多
关键词 IPM IGBT 短路耐量
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仿真研究NPT-IGBT器件的瞬态特性
3
作者 刘钺杨 金锐 +1 位作者 赵哿 于坤山 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期347-351,共5页
绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另... 绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有驱动简单、易于并联的优点,在高端领域得到广泛应用。以1 200 V非穿通型IGBT(NPT-IGBT)为例,仿真研究IGBT的器件结构对瞬态特性的影响(主要是开关特性和短路特性),并探讨器件短路工作过程中的自升温效应。另外,在保证导通沟道长度不变的前提下,研究pin区与MOS区所占元胞尺寸比例k对IGBT通态电压与关断损耗折衷关系的影响,以及采用自对准工艺进行元胞设计对器件短路特性的影响。研究发现:合理设计氧化隔离层的尺寸能明显提高IGBT的抗短路能力,从而提高器件坚固性;比例系数k越大,通态损耗越低,而开关损耗越高,设计时需综合考虑通态电压和关断损耗的折衷。适当选取k值能完成最优化的器件设计。 展开更多
关键词 绝缘栅双极晶体管 氧化隔离层 开关损耗 短路耐量 折衷设计
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