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中红外与短波红光综合治疗仪的临床应用与实验研究 被引量:11
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作者 杨景发 刘玉颖 李同锴 《红外技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期56-58,共3页
说明了“双红治疗仪”在理疗科的四大类疾病患者的临床应用及结果 ;
关键词 双红治疗仪 中红外 短波红光 临床应用 红外理疗 红光治疗
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中红外与短波红光综合治疗仪的研制 被引量:1
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作者 徐景智 杨景发 +2 位作者 陈永申 赵庆勋 葛大勇 《红外》 CAS 2000年第5期22-26,共5页
本文论述了中红外与短波红光综合治疗仪的设计原理;描述了该治疗仪的系统结构;最后对该治疗仪的功能与适应范围进行了介绍。
关键词 中红外 短波红光 微循环 综合治疗仪
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医用光学仪器
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《中国光学》 EI CAS 2001年第1期102-102,共1页
TH773 2001010691中红外与短波红光综合治疗仪的研制:Developmentof middle and short wave IR synthetictreatmenters[刊,中]/徐景智,杨景发,陈永申,赵庆勋,葛大勇(河北大学物理系.河北,石家庄(070002))∥红外.-2000,(5).-22-26论述了... TH773 2001010691中红外与短波红光综合治疗仪的研制:Developmentof middle and short wave IR synthetictreatmenters[刊,中]/徐景智,杨景发,陈永申,赵庆勋,葛大勇(河北大学物理系.河北,石家庄(070002))∥红外.-2000,(5).-22-26论述了中红外与短波红光综合治疗仪的设计原理,描述了该治疗仪的系统结构,并对该治疗仪的功能与适应范围进行了介绍。图7参4(董玉敏) 展开更多
关键词 治疗仪 短波红光 中红外 系统结构 河北大学 设计原理 石家庄 光学仪器 综合 物理系
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Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底620 nm半导体激光器的特性 被引量:1
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作者 林涛 解佳男 +5 位作者 穆妍 李亚宁 孙婉君 张霞霞 杨莎 米帅 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2022年第19期227-233,共7页
短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及Si_(x)Ge_(1-x)基体层,通过改变Si_(x)Ge_(1-x)层中... 短波长红光激光是激光显示、生物医学等应用领域急需开发的一种新波段光源。基于Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底设计并模拟分析了一种波长为620 nm的红光半导体激光器。该激光器使用Ge衬底以及Si_(x)Ge_(1-x)基体层,通过改变Si_(x)Ge_(1-x)层中的Si摩尔分数调整激光器结构中每层AlGaInP系材料的晶格常数,从而实现高Ga摩尔分数的GaInP量子阱并将GaInP量子阱的激光波长缩短至620 nm。通过计算SiGe、AlGaInP系材料的物理参数,研究了GaInP量子阱有源区结构和Si_(x)Ge_(1-x)基体层组分对输出特性的影响规律,优化了激光器的结构参数。模拟结果表明,298 K温度下设计的激光器输出波长为620 nm,阈值电流为0.58 A,输出功率为1.20 W,转换效率为38.3%。 展开更多
关键词 激光器 半导体激光器 短波红光激光 晶格调制 Ge/Si_(x)Ge_(1-x)衬底
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