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题名工艺参数对低压TVS器件耐压的影响
被引量：1
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作者
陈天
谷健
郑娥
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机构
上海新进半导体制造有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第2期106-111,共6页
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文摘
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究了工艺条件对低击穿电压的影响。当DP注入剂量小于6.0×1014cm-2时,pn结以雪崩击穿为主,耐压大于6 V。DP注入能量在50 ke V以下与高浓度n+区复合形成的pn结雪崩击穿耐压大于6 V;当控制基区尺寸使n+集电区与DP基区的间距大于1.2μm时击穿电压保持为7 V,但是随着n+与DP基区的间距增加,电流导通路径受到挤压变窄,在相同的反向测试电流下,器件耐压略有提升。通过对单向TVS工艺仿真优化,选择了关键工艺参数,并进行了工程实验,制备了兼具低电容和高抗ESD能力的TVS器件,保证了对主器件实施可靠的保护。
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关键词
瞬间电压抑制(tvs)二极管
击穿电压
工艺参数
静电放电(ESD)
齐纳击穿
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Keywords
transient voltage suppressor（tvs） diode
break voltage
process parameter
electro-static discharge（ESD）
Zener breakdown
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分类号
TN312.4
[电子电信—物理电子学]
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