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真空烤盘炉研制及石墨盘清洁效果检测方法
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作者 马昊鹏 张革 +3 位作者 邓蕊 杜程 陈世斌 谢力 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第4期353-357,共5页
在金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长过程中作为衬底片承载器的石墨盘表面不可避免地会附着GaN、AlN等残留沉积物,其会导致外延生长异常甚至失败,因此石墨盘表面清洁十分重要。介绍了所研制真空烤盘炉的结构、功能以及烤盘工艺,并提... 在金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长过程中作为衬底片承载器的石墨盘表面不可避免地会附着GaN、AlN等残留沉积物,其会导致外延生长异常甚至失败,因此石墨盘表面清洁十分重要。介绍了所研制真空烤盘炉的结构、功能以及烤盘工艺,并提出一种利用X射线荧光(XRF)光谱分析法量化盘面清洁效果的方法。以单片6英寸(1英寸≈2.54 cm)衬底片的石墨盘为例,利用XRF光谱分析方法对石墨盘清洁前后的盘面元素组成进行测试,结果显示XRF光谱分析法可准确且稳定地表征石墨盘清洁效果,并且该真空烤盘炉可几乎完全清除石墨盘表面Ga的化合物,为石墨烤盘工艺和行业制定石墨盘清洁的合格标准提供参考。 展开更多
关键词 真空烤盘炉 石墨盘 清洁效果 X射线荧光(XRF)光谱分析法 GaN ALN
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