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场发射显示技术 被引量：7
1
作者 柯春和 彭自安 《真空电子技术》 北大核心 1996年第6期52-60,共9页
场发射显示器件（ＦＥＤ）正在成为新一代平板显示器件。本文简要介绍ＦＥＤ的发展历史，列举出ＦＥＤ与ＣＲＴ及ＬＣＤ相比的优点。介绍ＦＥＤ的工作原理、制作技术及其发展动态。还讨论了ＦＥＤ制作中的一些重要问题。
关键词 真空微电子学 场发射显示器件 场发射阵列
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集成真空电子学 被引量：15
2
作者 冯进军 《真空电子技术》 2010年第2期1-7,共7页
本文简述了集成真空电子学的基本概念和研究内容,综述了国内外集成真空电子学,利用微加工的太赫兹真空器件的发展状况,对相关的技术进行了分析和评述。
关键词 太赫兹 集成真空电子学 微加工 真空微电子学 微波管 LIGA技术
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真空微电子学的新发展 被引量：6
3
作者 廖复疆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期89-96,共8页
本文描述了正在兴起的一门新学科——真空微电子学——的发展概况,它的工作原理,微型真空三极管的构造及集成加工技术。详细给出了薄膜场致发射阴极的制造过程,讨论了这类器件的应用领域及需进一步研究的问题。
关键词 微电子学 真空微电子学 真空电子学
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真空微电子学的现状及其应用 被引量：2
4
作者 李静 《微电子技术》 2002年第5期16-21,共6页
本文综述了真空微电子学近年来的发展及其应用。主要包括FEA、材料及在FED、微波器件和其它方面的应用。
关键词 真空微电子学 现状 场发射 FEA FED 微波器件
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场发射平板显示器件的进展 被引量：6
5
作者 柯春和 彭自安 +1 位作者 陈其略 胡汉泉 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期119-128,共10页
概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。
关键词 真空微电子学 场致发射 FED 平板显示器件
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真空微电子学的研究和进展 被引量：2
6
作者 刘敏 雷威 +1 位作者 张晓兵 王保平 《电子器件》 CAS 2003年第4期428-433,共6页
真空微电子学是迅速发展的一门新学科,近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射... 真空微电子学是迅速发展的一门新学科,近年来国内外的研究已取得了一系列的成果。本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展。真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段,相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展。 展开更多
关键词 真空微电子学 场致发射 新材料 场发射显示器
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真空微电子学综述 被引量：1
7
作者 陈祖平 《光电子技术》 CAS 1995年第2期109-115,共7页
本文简要介绍真空微电子学几个发展领域──场发射材料、平板显示、传感器以及微波和毫米波放大器的现状。
关键词 真空微电子学 场发射 平板显示 传感器
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从真空微电子学到真空纳电子学 被引量：5
8
作者 冯进军 《电子器件》 EI CAS 2005年第4期958-962,共5页
微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议(... 微细加工技术和场发射作为电子源促成了真空微电子学的诞生,许多从事微细加工技术、真空电子技术、微波电子学、材料科学、表面科学、薄膜科学等领域的研究人员也开始了这方面的研究工作,1988年在美国召开了第一届国际真空微电子学会议(IVMC),随后每年一届在世界各地轮流召开。科学技术的发展非常之快,纳米结构、纳米加工技术、纳米材料等也渗透到这个领域,真空微电子学的研究领域也随之扩展,所以2004年在美国召开的第17届国际真空微电子学会议改名为国际真空纳电子学会议(IVNC)。本文就真空微电子学的发展历史,该领域的技术发展做了综述和分析,对目前真空纳电子学的兴起、研究内容的变化做了分析。 展开更多
关键词 真空微电子学 真空纳米电子学
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真空微电子学的研究方向与主要内容
9
作者 沈一喆 皮德富 《真空电子技术》 北大核心 1996年第5期22-27,共6页
综述了真空微电子学这一新兴学科的研究方向和主要内容，基本的理论基础，总结了近年来国内外在模拟数值计算和工艺实践中报道的对现有理论体系的一些补充性成果，以期对该学科有一比较完整的了解和认识。
关键词 真空微电子学 Spindt阴极 几何因子 尖端效应
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场发射平板显示器件 被引量：6
10
作者 柯春和 彭自安 +1 位作者 冯进军 李兴辉 《真空电子技术》 北大核心 1994年第2期10-15,共6页
综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。
关键词 真空微电子学 平板显示器 发射阴极
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真空微电子器件发射体材料研究概况 被引量：5
11
作者 刘卫东 罗恩泽 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期1-4,共4页
改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料、合金材料、金刚石薄膜、碳化物、硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一... 改善真空微电子器件发射体材料的性能，有助于大大提高真空微电子器件的性能。本文概述了近年来真空微电子器件发射体材料研究状况，认为目前对金属薄膜材料、合金材料、金刚石薄膜、碳化物、硅化物等的场发射特性的研究工作，将产生一些性能优异的发射体材料。 展开更多
关键词 真空微电子学 阴极材料 金刚石薄膜
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真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景 被引量：4
12
作者 彭自安 冯进军 《真空电子技术》 北大核心 1995年第5期25-29,共5页
真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。
关键词 场致发射阵列 真空微电子学 微波 毫米波
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真空微电子微三极管特性的计算机模拟 被引量：5
13
作者 杨中海 周勇 杨存宇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期299-305,共7页
用计算机模拟方法研究了真空微电子场致发射微三极管的特性，建立了数理模型。用差分方法求解泊松方程，以福勒──诺德海姆理论处理场致发射特性。细致处理了阴极表面电场，考虑了空间电荷效应的影响，并对模拟结果进行了分析讨论。
关键词 真空微电子学 微三极管 计算机模拟
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真空微电子学的研究与发展 被引量：5
14
作者 黄庆安 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期134-138,133,共6页
本文系统介绍了近年来真空微电子学的研究内容、达到的水平和亟待解决的问题：包括真空微电子器件的基本结构、场发射阵列、微尖结构物理、新材料和新器件的探索以及真空微电子学的主要应用。
关键词 真空微电子学 场发射 场发射阵列 平板显示
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同心圆环型场发射阵列阴极的粒子模拟 被引量：5
15
作者 曾葆青 杨中海 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期611-615,共5页
模拟了同心圆环型场发射阵列阴极的特性。采用时域有限差分法计算了电场，利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ方程计算锥尖处的发射电流，利用Ｌｏｒｅｎｔｚ方程计算了电子的运动轨迹。得到了微阴极电子的运动轨迹、相空间图以及电子... 模拟了同心圆环型场发射阵列阴极的特性。采用时域有限差分法计算了电场，利用Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ方程计算锥尖处的发射电流，利用Ｌｏｒｅｎｔｚ方程计算了电子的运动轨迹。得到了微阴极电子的运动轨迹、相空间图以及电子束的发散度、亮度等，结果表明该结构能形成良好的聚焦电子束。 展开更多
关键词 粒子模拟 场致发射 阴极 真空微电子学
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金刚石薄膜场发射进展 被引量：4
16
作者 黄庆安 秦明 章彬 《物理》 CAS 1997年第7期414-417,共4页
评述了国际上金刚石薄膜场发射的研究进展和存在的问题．主要包括金刚石薄膜场发射现象。
关键词 金刚石 场发射 真空微电子学 薄膜 阴极材料
原文传递
无氧铜基金刚石薄膜场致发射特性研究 被引量：3
17
作者 曾葆青 谢扩军 +3 位作者 杨中海 季天仁 黄金源 杨崇峰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页
采用微波等离子体方法在铜片上沉积了多晶金刚石薄膜 ,用该薄膜制成的场致发射体的开启电压较低 ,发射电流密度较高。利用自制的场致发射阵列阴极高真空测试台测试了 1～ 10 0mA/cm2 的发射电流密度特性 ,对应的电场强度为 2 0～ 3 5M... 采用微波等离子体方法在铜片上沉积了多晶金刚石薄膜 ,用该薄膜制成的场致发射体的开启电压较低 ,发射电流密度较高。利用自制的场致发射阵列阴极高真空测试台测试了 1～ 10 0mA/cm2 的发射电流密度特性 ,对应的电场强度为 2 0～ 3 5MV/m。从拟合F N公式得到的功函数Φ≈ 0 0 2 5eV ,所发射电子轰击荧光屏后能产生明亮的光斑。 展开更多
关键词 场致发射 金刚石薄膜 真空微电子学 冷阴极 铜 微波等离子体
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Spindt型真空微三极管按比例缩小的CE规则 被引量：5
18
作者 黄庆安 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期85-87,共3页
本文根据恒定电场原理，提出了Ｓｐｉｎｄｔ型真空微三极管按比例缩小规则．研究指出，Ｓｐｉｎｄｔ型真空微三极管按比例缩小后，性能明显改进，工作电压降低。
关键词 真空微电子学 场发射阵列 按比例缩小
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真空微电子微波管 被引量：2
19
作者 庄学曾 《真空电子技术》 北大核心 1996年第2期9-12,共4页
本文在扼要地提及真空微电子学的主要进展（如：场发射阵列，场发射显示器和微波毫米波器件等）后，主要叙述了发展真空微电子微波管的主要内容、问题及其意义。场发射阵列的三个重要特点（冷阴极、高发射能力和栅极控制）可用于发展新... 本文在扼要地提及真空微电子学的主要进展（如：场发射阵列，场发射显示器和微波毫米波器件等）后，主要叙述了发展真空微电子微波管的主要内容、问题及其意义。场发射阵列的三个重要特点（冷阴极、高发射能力和栅极控制）可用于发展新一代的高频率、高效率、高功率、超小型和长寿命的面向２１世纪的高性能微波管：真空微电子微波管。双栅极场发射阵列、电子流的形成与维持、与其相匹配的互作用电路、特殊的器件结构和相关的制管工艺技术等，是发展真空微电子微波管的主要课题。 展开更多
关键词 真空微电子学 微波管 毫米波管 真空电子器件
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全玻璃平板型真空荧光光源的工艺探讨 被引量：4
20
作者 刘光诒 夏善红 +4 位作者 吕永积 陈绍凤 李宏彦 罗运良 王建英 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第4期294-299,共6页
提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（ＶＦＬＳ）管，与国际上传统的真空荧光光源管比较，新的器件在大面积碳场发射阴极，厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发，分析了该器件工作时管内... 提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（ＶＦＬＳ）管，与国际上传统的真空荧光光源管比较，新的器件在大面积碳场发射阴极，厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发，分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程，详细介绍了研制ＶＦＬＳ管的制造工艺，并讨论了此工作目前存在的问题及前景。 展开更多
关键词 真空微电子学 全玻璃平板型真空荧光光源 工艺 VFLS管
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