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题名耐高过载LTCC一体化LCC封装的研制
被引量：2
- 1
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作者
何中伟
李杰
周冬莲
贺彪
卢道万
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机构
北方通用电子集团有限公司微电子部
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出处
《电子工艺技术》
2014年第6期334-336,340,共4页
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文摘
通过封装结构设计及其制造工艺流程和LTCC基板加工、围框与基板共晶焊接、平行缝焊封盖等制造工艺的研究,成功研制了适于多芯片、多元器件微电子模块的LTCC一体化LCC封装外壳,封装气密性满足国军标要求,能够达到抗25000g机械冲击应力的耐高过载水平。
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关键词
LTCC
一体化LCC封装
真空共晶焊
平行缝焊
气密性
耐高过载
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Keywords
LTCC
Integral LCC package
Vacuum eutectic soldering
Parallel seam sealing
Gastightness
High overload resistant
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分类号
TN45
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名真空共晶焊接工艺参数对焊点空洞率的影响
被引量：2
- 2
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作者
庞天生
陈小勇
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机构
桂林电子科技大学机电工程学院
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出处
《桂林电子科技大学学报》
2016年第3期190-193,共4页
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基金
预研项目"多能量***研究"
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文摘
为了降低大功率芯片的焊点空洞率,改善大功率芯片的散热效果,运用ANSYS软件建立了砷化镓芯片与热沉的焊接三维有限元仿真模型。通过单因素试验设置镀金层厚度、降温速率和升温速率进行仿真,分析工艺参数对焊点空洞率的影响规律,得到最小的焊点空洞率工艺参数组合。仿真结果表明,对真空共晶焊焊点空洞影响最显著的是降温速率,其次是镀金层厚度,升温速率无影响,真空共晶焊焊点空洞率最小的工艺参数组合为镀金层厚度8μm、降温速率1.5℃/s、升温速率0.7-1.1℃/s。
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关键词
真空共晶焊
空洞
空洞率
工艺参数
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Keywords
vacuum eutectic welding
void
void ratio
process parameter
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分类号
TN605
[电子电信—电路与系统]
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题名LTCC一体化LCC封装共晶焊密封工艺研究
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作者
何中伟
李杰
周冬莲
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机构
北方通用电子集团有限公司微电子部
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出处
《集成电路通讯》
2014年第4期1-6,共6页
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文摘
通过LTCC基板与金属围框的真空共晶焊攻关工艺研究、平行缝焊封盖工艺实验，优化了真空共晶焊气氛控制曲线和焊接温度曲线以及封装工艺流程、工艺方法，使LTCC一体化LCC封装的气密性、外观质量达到了国军标的规定和MEMS器件的应用要求。
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关键词
LTCC基板
一体化LCC封装
真空共晶焊
气密性
平行缝焊
共晶焊接曲线
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分类号
TN405.94
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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