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Charicteristic of a novel optoelectronic polymer and related device fabrication 被引量:1
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作者 SUN Jian-yuan HE Zhi-qun +4 位作者 HAN Xiao WANG Bin WANG Yong-sheng LIU Ying-liang CAO Shao-kui 《Optoelectronics Letters》 EI 2007年第2期103-105,共3页
In this paper a preliminary investigation of a novel optoelectronic polymer, poly (p-phenylene N-4-n-butylphenyl-N,N-bis- 4-vinylenephenylamine) (PNB), is reported. A single layer structure of ITO/PNB/Al was prepared ... In this paper a preliminary investigation of a novel optoelectronic polymer, poly (p-phenylene N-4-n-butylphenyl-N,N-bis- 4-vinylenephenylamine) (PNB), is reported. A single layer structure of ITO/PNB/Al was prepared via spin-coating of PNB solution as a thin film on the top of an ITO substrate, while aluminum top electrode was vacuum evaporated. Dark current- voltage characteristics of this device showed a typical rectifying behaviour. Photovoltaic response under a monochromatic illumination at 420 nm was observed, with an open circuit voltage of 0.3 V and fill factor of 0.21. Spectral response and optical absorption were found to be matched well. It was also discovered that the device showed a green electroluminescent emission at a forward bias. Turn-on voltage of the device was about 6 V and light output about 22.6 nW at a forward bias of 10 V. The work demonstrated that the PNB material might possess dual exciton sites resulting in a competition for excitons to be either separated or recombined. Both effects were associated with each other, which limited the photovoltaic or electroluminescence to some degrees. 展开更多
关键词 光电子聚合物 p-亚苯基N-4-n-丁苯基-N N-bis-4-次亚乙烯基苯胺聚合物 PNB 相关器 制造
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InP基材与相关器件
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作者 刘式墉 《国际学术动态》 1996年第1期44-46,共3页
第7届InP和相关材料会议于1995年5月9—13日在日本北海道札幌市举行,来自世界各地的近500人参加了这次会议。我国大陆共有两篇论文被录取(吉林大学和复旦大学各一篇),有一名代表出席了会议。 InP基光电子器件不论是在干线光通讯,还是在... 第7届InP和相关材料会议于1995年5月9—13日在日本北海道札幌市举行,来自世界各地的近500人参加了这次会议。我国大陆共有两篇论文被录取(吉林大学和复旦大学各一篇),有一名代表出席了会议。 InP基光电子器件不论是在干线光通讯,还是在未来的光纤到户系统中都占有重要地位。InP基电子器件在低噪声接收机、毫米波功率源和A/D转换器中的作用也都优于其他材料,使InP材料倍受重视。 展开更多
关键词 InP基材 相关器 工程材料 学术会议
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在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件 被引量:3
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作者 王文樑 李国强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期863-868,共6页
通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义。详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物... 通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金属作为衬底外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的重大意义。详细介绍了国内外在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的研究状况及所发展的相关外延技术。相比金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术,脉冲激光沉积技术可以实现Ⅲ族氮化物的低温外延生长,从而克服金属有机物气相沉积技术和分子束外延技术采用的高温生长而导致金属衬底与外延薄膜间发生的剧烈界面反应,可以直接在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件。脉冲激光沉积技术为在金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件开拓了广阔的前景。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物及相关器 金属衬底 脉冲激光沉积技术 外延生长 界面反应
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