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直流辉光放电光谱法测定不锈钢中11种元素 被引量：8
1
作者 韩永平 李小佳 王海舟 《冶金分析》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期11-14,共4页
通过对直流辉光放电光谱法(GD-OES)分析不锈钢样品光谱行为的研究,考察了工作参数如放电电压、电流、预溅射时间和积分时间对光谱强度和稳定性的影响。在此基础上对工作参数进行优化,确定预溅射时间40 s、积分时间6 s、放电电压1 100 V... 通过对直流辉光放电光谱法(GD-OES)分析不锈钢样品光谱行为的研究,考察了工作参数如放电电压、电流、预溅射时间和积分时间对光谱强度和稳定性的影响。在此基础上对工作参数进行优化,确定预溅射时间40 s、积分时间6 s、放电电压1 100 V、放电电流40 mA为最佳分析条件,据此建立了直流辉光放电光谱法测定不锈钢中C,Si,Mn,P,S,Cr,Ni,Cu,Ti,Co,Al的方法,考察了该方法分析不锈钢的精密度和准确度,各元素的测定结果与认定值或化学方法测定值吻合较好。 展开更多
关键词 直流辉光 不锈钢 发射光谱 成分分析
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直流辉光等离子体的边缘效应 被引量：2
2
作者 冯军 陈美艳 +5 位作者 金凡亚 但敏 聂军伟 沈丽如 童洪辉 赖新春 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期89-93,共5页
结合辉光渗氮试验结果,对直流辉光等离子体材料处理中的边缘效应进行了研究,根据相关鞘层理论,对工件边角处及其附近的鞘层厚度S、电场强度E及离子密度n进行了定性分析。结果表明:在边缘效应范围d内,当远离边角时,S将变大、E及n变小。... 结合辉光渗氮试验结果,对直流辉光等离子体材料处理中的边缘效应进行了研究,根据相关鞘层理论,对工件边角处及其附近的鞘层厚度S、电场强度E及离子密度n进行了定性分析。结果表明:在边缘效应范围d内,当远离边角时,S将变大、E及n变小。主等离子体密度n0的减少将使边缘效应的影响范围d变大,因此降低工作气压p及电流I可减弱边缘效应。采用改进措施渗氮后,工件边缘效应得到抑制,且渗氮效果较好。 展开更多
关键词 边缘效应 直流辉光 鞘层理论 辉光渗氮
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在冶金熔体中产生直流辉光等离子体的控制电路 被引量：1
3
作者 孙铭山 丁伟中 +1 位作者 杨松华 鲁雄刚 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第2期52-54,共3页
论述了等离子体的特性以及在冶金熔体中应用直流辉光等离子体的意义 ,阐述了如何根据直流辉光等离子体的电路特性和熔体的特殊条件设计产生直流辉光等离子体的控制电路 ,并用低熔点的熔融金属铅和钢液作为阴极对该电路进行了测试。
关键词 直流辉光 等离子体 熔体 控制电路
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HL-2A装置直流辉光自动调节控制系统 被引量：2
4
作者 高霄雁 崔成和 胡毅 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第11期1027-1032,共6页
直流辉光放电清洗的主要作用是去除HL-2A装置内的低Z杂质C、O,以及放电期间所产生的残余气体和杂质。介绍了直流辉光放电自动调节控制系统。在辉光放电过程中,实现了真空室工作气体气压和放电电压的自动调节和信号采集。本文描述了系统... 直流辉光放电清洗的主要作用是去除HL-2A装置内的低Z杂质C、O,以及放电期间所产生的残余气体和杂质。介绍了直流辉光放电自动调节控制系统。在辉光放电过程中,实现了真空室工作气体气压和放电电压的自动调节和信号采集。本文描述了系统的设计原理,控制方案和系统实现后的具体应用效果。直流辉光放电系统的性能得到了提高,放电电流稳定性得到了显著提高,放电电压的控制精度改善为1%FS,系统从启动到稳定运行状态的时间小于40 s,HL-2A装置的清洗效率也明显获得改善。 展开更多
关键词 HL-2A 器壁条件 直流辉光 自动控制
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射频辅助的直流辉光放电清洗在HL-2A装置上的应用 被引量：2
5
作者 蔡潇 曹曾 +3 位作者 黄向玫 崔成和 侯吉来 高霄雁 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期645-649,共5页
本文介绍了一套射频电极系统在HL-2A装置上的相关辉光放电清洗实验研究。本系统主要由具有水冷功能的螺旋结构射频电极和碟形波纹管伸缩传送装置组成。在高频交变电场作用下电子与气体分子发生碰撞的几率增加,射频电极对清除真空室器壁... 本文介绍了一套射频电极系统在HL-2A装置上的相关辉光放电清洗实验研究。本系统主要由具有水冷功能的螺旋结构射频电极和碟形波纹管伸缩传送装置组成。在高频交变电场作用下电子与气体分子发生碰撞的几率增加,射频电极对清除真空室器壁表面的低质量数杂质效率更高。电极通过循环水冷却,使其长时间使用不会产生明显变形,提高了该系统运行的安全性。系统工作时,通过步进电机无极调速来驱动丝杠带动与射频电极相连接传送杆压缩碟形波纹管前后运动快速调整电极位置。实验结果表明,射频天线形式的电极可作为直流辉光的阳极工作,射频辅助启辉降低了直流辉光的启辉气压和电压,提高了装置与抽气机组运行的安全性。射频辅助比纯直流辉光具有更高的清洗效率,为进一步开展与射频相关的壁处理研究提供了条件。 展开更多
关键词 直流辉光 射频 启辉 清洗效率
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磁控直流辉光等离子体放电特性
6
作者 胡明 万树德 +2 位作者 钟雷 刘昊 汪海 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期267-273,共7页
本文利用单探针诊断等离子体参数来研究自行设计的磁控直流辉光等离子体实验装置的放电特性,从而得出电子密度与气体压强、电子密度分布与磁场位型以及磁场强度等的关系.另外,用有限元的方法对线圈通电产生的磁场进行数值计算,模拟出不... 本文利用单探针诊断等离子体参数来研究自行设计的磁控直流辉光等离子体实验装置的放电特性,从而得出电子密度与气体压强、电子密度分布与磁场位型以及磁场强度等的关系.另外,用有限元的方法对线圈通电产生的磁场进行数值计算,模拟出不同接线方式的两种磁场位型分布.通过实验得出这两种不同的位型的磁场均对等离子体的状态有一定的"控制"作用,而且这种"控制"作用与现有理论相符合. 展开更多
关键词 磁场约束 直流辉光 等离子体特性
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直流辉光放电发射光谱法同时测定硅钢中11种元素 被引量：16
7
作者 邓军华 邴一宏 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期24-28,共5页
通过直流辉光放电光谱分析硅钢样品的光谱行为,考察放电电压、放电电流、预溅射时间和积分时间对光谱强度和稳定性的影响。以铁为内标元素,优化分析条件为放电电压1 100V,放电电流50 mA,预溅射时间45 s,积分时间10 s,建立直流辉光放电... 通过直流辉光放电光谱分析硅钢样品的光谱行为,考察放电电压、放电电流、预溅射时间和积分时间对光谱强度和稳定性的影响。以铁为内标元素,优化分析条件为放电电压1 100V,放电电流50 mA,预溅射时间45 s,积分时间10 s,建立直流辉光放电光谱法测定硅钢中11种元素的定量分析方法。考察方法的精密度和准确度,其中Si、Mn、Cr、Ni、Cu、Al、B、Ti的相对标准偏差(RSD)小于2%,C、S、P的相对标准偏差(RSD)小于4%,各元素的测定结果与认定值吻合。 展开更多
关键词 直流辉光放电发射光谱法 硅钢 多元素同时测定
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直流辉光放电质谱法测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子 被引量：14
8
作者 刘洁 钱荣 +2 位作者 斯琴毕力格 卓尚军 何品刚 《分析化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第1期66-71,共6页
采用直流辉光放电质谱(dc-GD-MS)测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子(RSF)。标样制作过程中主要是在连续通入氩气条件下将固定量的非标准多晶硅样品熔化,向硅熔体中均匀掺入浓度范围为1～30μg/g的关键杂质元素(如B和P),采用快... 采用直流辉光放电质谱(dc-GD-MS)测定多晶硅中关键杂质元素的相对灵敏度因子(RSF)。标样制作过程中主要是在连续通入氩气条件下将固定量的非标准多晶硅样品熔化,向硅熔体中均匀掺入浓度范围为1～30μg/g的关键杂质元素(如B和P),采用快速固化法制成标样;再将制成的标准样品加工成一系列适合GD-MS扁平池(Flat Cell)的片状样品(20 mm×20 mm×2 mm)。采用二次离子质谱法(SI-MS)对标准样品中关键掺杂元素进行多次定量测定,取平均值作为关键杂质元素的精确含量。优化一系列质谱条件后,运用GD-MS对标样中关键掺杂元素的离子强度进行多次测定,计算平均结果,得到未校正的表观浓度,利用标准曲线法计算出关键杂质元素的相对灵敏度因子。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱 多晶硅 杂质元素 相对灵敏度因子
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直流辉光放电质谱法测定高纯氧化镧中25种杂质元素 被引量：14
9
作者 胡芳菲 王长华 李继东 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 2014年第3期24-29,共6页
利用铜粉作为导电介质，与氧化镧粉末混合均匀，压片，采用直流辉光放电质谱法（dc—GDMS）测定了高纯氧化镧粉末中的部分杂质元素含量。考察了辉光放电条件，如放电电流、放电气体流量、离子源温度以及压片条件，如两种粉末的混合比例... 利用铜粉作为导电介质，与氧化镧粉末混合均匀，压片，采用直流辉光放电质谱法（dc—GDMS）测定了高纯氧化镧粉末中的部分杂质元素含量。考察了辉光放电条件，如放电电流、放电气体流量、离子源温度以及压片条件，如两种粉末的混合比例、压片机压力等因素对放电稳定性以及灵敏度的影响，优化了实验条件；尝试了将镧，氧和铜的总信号归一化进行计算的方法，用差减法计算了高纯氧化镧粉末中的杂质元素含量。将铜粉作为试剂空白，连续测定11次，统计各待测元素检出限为0．005～0．34μg／g；对高纯氧化镧粉末样品独立测定6次，测定结果与电感耦合等离子体质谱法基本吻合，相对标准偏差在20％以内。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法 高纯氧化镧 杂质元素
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N_2^+离子在氮直流辉光放电中碰撞离解的作用 被引量：8
10
作者 张连珠 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期920-924,共5页
采用氮辉光放电等离子体快电子和各种重粒子 (N+2 ,N+ ,Nf)的混合MonteCarlo模型 ,从不同放电条件的离解碰撞率 ,快原子态粒子 (N+ ,Nf)在阴极鞘层区的输运过程及轰击阴极的能量及角分布三个方面研究了N+2 +N2 →N+ +N +N2f反应在氮气... 采用氮辉光放电等离子体快电子和各种重粒子 (N+2 ,N+ ,Nf)的混合MonteCarlo模型 ,从不同放电条件的离解碰撞率 ,快原子态粒子 (N+ ,Nf)在阴极鞘层区的输运过程及轰击阴极的能量及角分布三个方面研究了N+2 +N2 →N+ +N +N2f反应在氮气直流辉光放电中的作用 .该过程在电压较高时为阴极鞘层区的重要离解过程 ,且主要发生在阴极附近 ,其碰撞率随电压和气压增加而增加 ;阴极表面附近的活性粒子 (N+ ,Nf)主要由该离解过程产生 (而不是e- N2 离解电离过程 ) ,而且这些粒子具有中等的平均能量且小角入射 ,是阴极表面氮化反应中主要原子态粒子 . 展开更多
关键词 氮直流辉光放电 碰撞离解 离解碰撞率 等离子体 MONTE CARLO模拟
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氮气空心阴极辉光放电等离子体离子的蒙特卡罗模拟研究 被引量：8
11
作者 张连珠 傅凤清 +1 位作者 王增波 刘俊红 《核聚变与等离子体物理》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-139,共5页
采用蒙特卡罗模型对氮空心阴极放电等离子体鞘层离子(N2+、N+)的输运过程进行了模拟研究,计算了阴极鞘层中氮离子(N2+、N+)的能量及角分布的空间变化和粒子密度及平均能量随放电参数的变化规律。研究结果表明:空心阴极放电产生的氮离子... 采用蒙特卡罗模型对氮空心阴极放电等离子体鞘层离子(N2+、N+)的输运过程进行了模拟研究,计算了阴极鞘层中氮离子(N2+、N+)的能量及角分布的空间变化和粒子密度及平均能量随放电参数的变化规律。研究结果表明:空心阴极放电产生的氮离子,在鞘层输运过程中,N2+是密度几乎不变的低能粒子;N+是密度逐渐减少的高能粒子。随着电压增加,N+密度减小,平均能量增加;N2+密度和平均能量变化不明显。能量及入射角的相对分布规律与平板电极氮直流辉光放电基本类似,但圆筒空心阴极放电更有利于氮离子的产生。 展开更多
关键词 氮圆筒空心阴极放电 氮离子 蒙特卡罗模型 直流辉光放电
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尘埃粒子在直流辉光放电阴极鞘层中的运动及悬浮 被引量：10
12
作者 刘德泳 王德真 刘金远 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1094-1099,共6页
研究尘埃粒子在直流辉光放电阴极鞘层中的运动特性 ,并讨论了尘埃粒子携带的电荷、受到的各种力及悬浮位置等 .尘埃粒子在鞘层中的运动特性及悬浮位置主要由它的尺寸大小和它所受到的各种力 (重力、电场力、离子拖拽力、中性粒子拖拽力 ... 研究尘埃粒子在直流辉光放电阴极鞘层中的运动特性 ,并讨论了尘埃粒子携带的电荷、受到的各种力及悬浮位置等 .尘埃粒子在鞘层中的运动特性及悬浮位置主要由它的尺寸大小和它所受到的各种力 (重力、电场力、离子拖拽力、中性粒子拖拽力 )决定 .比较无碰撞鞘层和碰撞鞘层发现 ,尘埃粒子在碰撞鞘层中的悬浮位置更加靠近极板 ;比较下鞘 (阴极板放在下方时的鞘层 )和上鞘 (阴极板放在上方时的鞘层 )发现 ,在下鞘中只有同一半径的尘埃粒子悬浮在鞘层中的同一位置 ,而在上鞘中两种不同半径的尘埃粒子可以悬浮在鞘层中的同一位置 .悬浮在鞘层中的尘埃粒子只可能是携带负电荷的 ,并满足合力Fnet=0及dFnet/dx <0 ,但满足上述条件的尘埃粒子能否悬浮在鞘层中 。 展开更多
关键词 等离子体 尘埃粒子 直流辉光放电阳极鞘层 运动
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直流辉光放电质谱法测定氧化铝中的杂质元素 被引量：11
13
作者 胡芳菲 王长华 李继东 《质谱学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期335-340,共6页
为了探索采用直流辉光放电质谱法（dc-GDMS）测定非导体样品中的杂质含量,建立了de-GDMS法测定α-Al2O3粉末中杂质元素的方法.以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片,考察辉光放电条件（放电电流、放电气体流量、离子源温度... 为了探索采用直流辉光放电质谱法（dc-GDMS）测定非导体样品中的杂质含量,建立了de-GDMS法测定α-Al2O3粉末中杂质元素的方法.以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片,考察辉光放电条件（放电电流、放电气体流量、离子源温度）和压片条件（两种粉末的混合比例、压片机压力等因素）对放电稳定性和灵敏度的影响,同时优化了实验条件.尝试将Al、O、Cu的总信号归一化进行计算,并用差减法计算了Al2O3粉末中的杂质含量.方法精密度在54％以内,元素检出限为0.005～0.57 μg/g.该方法的测定结果与直流电弧发射光谱法的测定结果基本吻合. 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法(dc-GDMS) 氧化铝粉末 压片 归一化 杂质元素
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EAST超导托卡马克装置真空室壁处理的研究 被引量：10
14
作者 李加宏 胡建生 +4 位作者 王小明 余耀伟 吴金华 陈跃 王厚银 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第20期310-316,共7页
壁处理技术被广泛应用于托卡马克装置上,以降低装置本底杂质水平,改善器壁的再循环.自2008年起,EAST面向等离子体的第一壁采用全碳材料,由于特殊的石墨晶体多孔结构,具有高放气率以及对H_2O,H_2等杂质气体的高吸附性,从而使等离子体放... 壁处理技术被广泛应用于托卡马克装置上,以降低装置本底杂质水平,改善器壁的再循环.自2008年起,EAST面向等离子体的第一壁采用全碳材料,由于特殊的石墨晶体多孔结构,具有高放气率以及对H_2O,H_2等杂质气体的高吸附性,从而使等离子体放电前期的装置真空室壁处理尤为关键.本文介绍了EAST装置真空室壁处理的实验系统,并研究了装置烘烤与不同工作气体及工作参数下的直流辉光放电清洗对杂质粒子的清除效果.实验结果表明:EAST装置真空室在经过长时问的前期壁处理后,显著地降低了真空室内壁的出气率与本底杂质浓度,这对随后进行的等离子体放电实验非常有必要. 展开更多
关键词 壁处理 直流辉光放电清洗 烘烤
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用发射光谱法测量氮气直流辉光放电的转动温度 被引量：7
15
作者 刘莉莹 张家良 +1 位作者 马腾才 邓新绿 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1013-1018,共6页
本文报道了氮气气压分别为 10和 2 0Pa时 ,对直流辉光放电的发射光谱进行测量和分析的结果。选择的研究对象为N2 放电中形成的N+2 B2 Σ+u →X2 Σ+g 跃迁的Δν=ν′-ν″ =0谱带系中ν′=0→ν″=0谱带的R支。在阴极背面辉光区、阴极... 本文报道了氮气气压分别为 10和 2 0Pa时 ,对直流辉光放电的发射光谱进行测量和分析的结果。选择的研究对象为N2 放电中形成的N+2 B2 Σ+u →X2 Σ+g 跃迁的Δν=ν′-ν″ =0谱带系中ν′=0→ν″=0谱带的R支。在阴极背面辉光区、阴极鞘层区、正柱区以及阳极辉光区中分别选择一点进行了转动分辨的发射光谱的测量。利用自己编写的光谱拟合程序 ,获得了相应的实验条件下N+ 2 的转动温度 ,给出了转动温度随放电电压的变化趋势 ,其结果可以用直流放电的帕邢定律得到很好的解释。在 10和 2 0Pa气压下 ,放电的阴极鞘层区、正柱区、阳极辉光区中的转动温度都随放电电压呈现出了不同的变化趋势 ,甚至是完全相反的变化趋势。我们认为这是由于气压不同时 ,放电状态不同所致 :气压为 10Pa时的放电是正常辉光放电 ,而气压为时 2 0Pa的放电为反常辉光放电。 展开更多
关键词 发射光谱法 测量 氮气 直流辉光放电 转动温度 等离子体 温度测量
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磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响 被引量：8
16
作者 魏合林 刘祖黎 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期225-232,共8页
采用Monte Carlo模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响.磁场垂直于阴极鞘层中电场的方问.模型中,电子与中性粒子的碰撞过程有三种(弹性碰撞;激发碰撞和电离碰撞).电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频... 采用Monte Carlo模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响.磁场垂直于阴极鞘层中电场的方问.模型中,电子与中性粒子的碰撞过程有三种(弹性碰撞;激发碰撞和电离碰撞).电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定.计算了电子的密度分布,电子与中性粒子的非弹性碰撞速率,以及电子能量和电子通量分布等.结果表明,横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程.磁场中电子与中性粒于的非弹性碰撞速率被增强,这一结果与实验结果符合较好. 展开更多
关键词 磁场 直流辉光放电 阴极鞘层 电子输运
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直流辉光放电等离子体特性研究 被引量：4
17
作者 林立中 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1999年第4期13-17,共5页
研究了直流辉光放电中各区域的特性， 测量了正柱区的等离子体参数，
关键词 直流辉光放电 正柱区 等离子体
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直流辉光放电质谱法测定高纯二氧化锗中的16种杂质元素及其相对灵敏度因子的求取 被引量：8
18
作者 谭秀珍 李瑶 +2 位作者 林乾彬 朱刘 邓育宁 《理化检验（化学分册）》 CAS CSCD 北大核心 2019年第7期859-864,共6页
取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘... 取高纯GeO2粉末5.00g(颗粒度小于30μm)5份,其中一份作为空白,其余4份中依次加入Li、Be、Mg、Al、Ti、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu、Zn、Sn、Sb、Tl、Pb等16种元素的标准溶液,使其浓度梯度为0,0.4,1.0,2.0,5.0μg·g^-1,于烘箱中100℃烘干。充分研磨混匀后制得GeO2粉末中含16种杂质元素的控制样品。取高纯铟按方法规定压制成直径约为15mm的In薄片。取5片铟薄片,取适量上述5个GeO2控制样品分别置于铟薄片上,盖上数层称量纸后用手动压紧压实,使铟薄片上的控制样品的直径约为4mm,并分别进行直流辉光放电质谱法(dc-GD-MS)测定。选择放电电流为1.8mA,放电电压为850V,采用电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定控制样品中各杂质元素的含量,并将这些测定值作为标准值。将ICP-MS测定所得待测元素和基体元素的离子束强度比值为横坐标,以与其对应的信号强度为纵坐标绘制校准曲线,曲线的斜率即为各元素的相对灵敏度因子(RSF)值。所得16种元素的校准RSF(calRSF)值和仪器自带的标准RSF(stdRSF)值之间存在显著的差异,其比值大都在2~3之间。由此可见制备的一组GeO2粉末控制样品不仅建立了各元素的工作曲线,而且获得了与基体相匹配的RSF值,解决了用GD-MS测定高纯GeO2中16种杂质元素的问题。 展开更多
关键词 直流辉光放电质谱法 高纯二氧化锗粉末 控制样品 相对灵敏度因子
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直流辉光放电冷等离子体在高分子材料表面改性上的应用 被引量：5
19
作者 林立中 《物理》 CAS 1999年第7期417-421,共5页
报道了利用直流辉光放电正柱区产生冷等离子体对高分子材料进行表面改性的工作，阐述了它在纺织材料和非极性塑料制品表面改性上的应用。
关键词 直流辉光放电 正柱区 等离子体 表面改性 高分子
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直流辉光放电发射光谱法测定电工钢中多元素含量 被引量：7
20
作者 邓军华 曹新全 李化 《化学分析计量》 CAS 2010年第6期39-41,共3页
采用直流辉光发电发射光谱法对电工钢中15种元素的含量进行测定。以铁为内标元素,确定实验条件为:激发电压1200 V,激发电流50 mA,预溅射时间45 s,积分时间10 s。15种元素测定结果的相对标准偏差小于2.0%(n=11),方法的检出限小于3μg/g,... 采用直流辉光发电发射光谱法对电工钢中15种元素的含量进行测定。以铁为内标元素,确定实验条件为:激发电压1200 V,激发电流50 mA,预溅射时间45 s,积分时间10 s。15种元素测定结果的相对标准偏差小于2.0%(n=11),方法的检出限小于3μg/g,各元素的测定结果与标准物质的认定值吻合。 展开更多
关键词 直流辉光放电发射光谱法 电工钢 多元素测定
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