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直流电弧等离子体喷射CVD硼掺杂金刚石薄膜的制备及电化学性能研究 被引量：4
1
作者 张聪聪 戴玮 +3 位作者 朱宁 尹振超 吴小国 曲长庆 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1205-1210,共6页
采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表... 采用直流电弧等离子体喷射CVD(Chemical Vapor Deposition)法在硅(100)衬底上制备了(111)占优的掺硼金刚石(BDD)薄膜,研究了压强对薄膜生长的影响,在压强为5500 Pa时得到了(100)占优的金刚石薄膜,并用SEM、XRD及拉曼光谱分析了薄膜的表面形貌、晶体结构、薄膜品质。测试结果表明,掺硼金刚石膜具有较好的成膜质量。霍尔测试表明BDD的电阻率为0.0095Ω.cm,载流子浓度为1.1×1020cm-3;研究了BDD薄膜电极在硫酸钠空白底液、铁氰化钾/亚铁氰化钾溶液和多巴胺溶液中的循环伏安曲线(CVs),发现该金刚石薄膜电极在硫酸钠中具有较宽的电化学窗口(约为4 V)、接近零的背景电流和良好的可逆性,利用BDD电极检测多巴胺溶液,具有明显的氧化还原峰值和较好的稳定性。结果表明利用该方法制备的BDD电极在电化学检测方面具有明显的优势。 展开更多
关键词 直流电弧等离子喷射cvd 硼掺杂金刚石(BDD) 循环伏安法 多巴胺
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直流电弧等离子喷射CVD中控制生长(111)晶面占优的金刚石膜 被引量：3
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作者 周祖源 陈广超 +7 位作者 戴风伟 兰昊 宋建华 李彬 佟玉梅 李成明 黑立富 唐伟忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期478-480,共3页
运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的... 运用光发射谱(OES)技术对大功率直流电弧等离子喷射CVD金刚石膜的气相沉积环境进行了原位诊断,研究了气相环境中主要含碳基团的浓度及分布与沉积参数的关系,发现了C2基元比其他基元对沉积参数更加敏感。利用光发射谱对C2基元发射强度的监测,实时调控沉积各参数,在大功率直流电弧等离子喷射CVD中实现了(111)晶面占优的金刚石膜的可控生长,I(111)/I(220)XRD衍射峰强度的比值达48。 展开更多
关键词 光发射谱 金刚石膜 直流电弧等离子喷射cvd (111)占优晶面
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大面积无衬底自支撑金刚石厚膜沉积 被引量：7
3
作者 黄天斌 刘敬明 +3 位作者 钟国仿 唐伟忠 佟玉梅 吕反修 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期234-237,共4页
讨论了在采用直流电弧等离子体喷射CVD工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题．在制备过程中经常出现的膜炸裂现象，主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力，而衬底表面状态的控制、沉积过程中工... 讨论了在采用直流电弧等离子体喷射CVD工艺沉积大面积无衬底自支撑金刚石厚膜时遇到的若干技术问题．在制备过程中经常出现的膜炸裂现象，主要是由于膜和衬底材料线膨胀系数差异引起的巨大热应力，而衬底表面状态的控制、沉积过程中工艺参数的优化和控制也是一个重要的因素．因此，必须对整个金刚石厚膜沉积过程进行严格而系统的控制，才能有效地保证获得无裂纹大面积金刚石自支撑厚膜． 展开更多
关键词 自支撑金刚石厚膜 直流电弧等离子体喷射cvd
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喷射CVD法制备金刚石厚膜及其内应力分析 被引量：4
4
作者 洪松 杨保和 +1 位作者 李明吉 吴晓国 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期555-558,共4页
采用直流电弧等离子体喷射CVD法制备出金刚石薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱及X射线衍射(XRD)等研究基底温度对金刚石厚膜生长特性及内应力的影响。结果表明:950℃基底温度生长的金刚石厚膜结晶性能较好,纯度较高;而850℃和1... 采用直流电弧等离子体喷射CVD法制备出金刚石薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、Raman光谱及X射线衍射(XRD)等研究基底温度对金刚石厚膜生长特性及内应力的影响。结果表明:950℃基底温度生长的金刚石厚膜结晶性能较好,纯度较高;而850℃和1050℃生长的金刚石厚膜表面呈现大量的孪晶缺陷,结晶度较低,同时出现较多的非金刚石碳,纯度较低。随着基底温度的增加,(111)晶面和(311)晶面的衍射峰强度逐渐增强,(220)晶面的衍射峰强度逐渐降低。850℃和950℃基底温度生长的金刚石厚膜的宏观应力和微观应力都呈现出拉应力,1050℃基底温度生长的金刚石厚膜的宏观应力和微观应力都呈现出压应力。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 直流电弧等离子体喷射cvd 基底温度 内应力
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单晶MgO纳米带的生长特性和发光性能 被引量：1
5
作者 李明吉 王秀锋 +3 位作者 李红姬 吴小国 曲长庆 杨保和 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1199-1205,共7页
本文采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法（DC Arc Plasma Jet CVD）．在氢气和氩气的高温等离子体作用下直接分解硝酸镁，在Mo衬底上制备了单晶MgO纳米带，并采用SEM、TEM及XRD等测试手段进行了形貌与结构表征,研究了生长时间对Mg... 本文采用直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法（DC Arc Plasma Jet CVD）．在氢气和氩气的高温等离子体作用下直接分解硝酸镁，在Mo衬底上制备了单晶MgO纳米带，并采用SEM、TEM及XRD等测试手段进行了形貌与结构表征,研究了生长时间对MgO纳米带形貌的影响。结果表明，生长时间为0．5min时，生长出顶部带有Mo纳米颗粒的“蝌蚪状”MgO纳米带,而整个纳米结构被较多的非晶MgO覆盖；当生长时间增加到2min时，顶部的Mo纳米颗粒几乎脱落,同时长出若干个纳米带．形成“树枝状”；生长时间进一步增加到5min时，形成完整的“带状”,其宽度约30-50nm：而生长时间达到12min时,纳米带又转变为“棒状”。机理分析表明，Mo催化VLS生长模式和VS生长模式共同作用下生长了MgO纳米带。另外,通过FTIR谱结合PL谱分析了缺陷及其引起的光致发光性能。由于MgO纳米带存在低配位氧离子（O_LC2-）空位等结构缺陷．具有紫蓝发光特性，而随着生长时间的增加，结构缺陷变少，随之紫蓝发射峰强度变弱。本文首次采用该方法制备了单晶MgO纳米带,该方法工艺简单，生长速率快,是非常经济、有效和环境友好的方法。 展开更多
关键词 直流电弧等离子体喷射cvd MGO 纳米带 光致发光
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电气和电子工程用材料科学
6
《中国无线电电子学文摘》 2001年第1期3-10,共8页
关键词 材料科学 铁电薄膜 碳纳米管 巨磁阻抗效应 透射电子显微镜 直流电弧等离子体喷射cvd 稀土复合氧化物 真空科学 纳米多层膜 类金刚石碳膜
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