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直流弧光放电PCVD金刚石膜制备中基底控温系统的研制与应用 被引量：4
1
作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期75-82,共8页
基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征。结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所... 基于直流弧光放电PCVD金刚石薄膜沉积设备的特点,设计开发了基底自动控温系统。将该系统应用于金刚石薄膜的制备中,并采用SEM、Raman光谱等测试方法对所制备的薄膜的形貌、品质进行了表征。结果证明该系统具有较好的稳定性,其应用时所制备的金刚石薄膜的品质明显得到提高,具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 直流弧光放电 等离子体CVD 金刚石薄膜 基底托架 温度自动控制
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矿物材料合成的直流弧光法 被引量：1
2
作者 陈素纯 傅慧芳 颜恩涛 《大地构造与成矿学》 EI CAS CSCD 1996年第2期186-187,共2页
阐述了Ａｒ＋Ｈ２＋ＣＨ４气体体系中直流弧光放电过程，及其在金刚石膜等矿物材料合成中的应用。
关键词 矿物材料 金刚石膜 直流弧光放电
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用CH_4—H_2直流弧光放电CVD法高速合成金刚石薄膜 被引量：1
3
作者 蒋翔六 张仿清 +3 位作者 李敬超 杨斌 杨映虎 陈光华 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期163-164,共2页
气相人工合成的金刚石薄膜具有与天然金刚石相同的超硬、高热导率、高电阻率及抗蚀性等独特的物理化学性质,具有重要的应用前景。近年来,用热等离子体的化学气相沉积(CVD)方法高生长速率的合成金刚石薄膜,如辉光、弧光转换区放电、弧光... 气相人工合成的金刚石薄膜具有与天然金刚石相同的超硬、高热导率、高电阻率及抗蚀性等独特的物理化学性质,具有重要的应用前景。近年来,用热等离子体的化学气相沉积(CVD)方法高生长速率的合成金刚石薄膜,如辉光、弧光转换区放电、弧光放电和等离子喷射等方法的研究报导,已引起学术界的兴趣和重视。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 直流弧光放电 CVD法
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氩气对直流弧光放电PCVD金刚石薄膜晶体特征的影响 被引量：7
4
作者 张湘辉 汪灵 +1 位作者 龙剑平 常嗣和 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期130-134,共5页
本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响... 本文采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,在YG6硬质合金基体上进行了不同氩气流量下金刚石薄膜的制备研究。采用SEM对金刚石薄膜的晶体特征进行了观察。结果表明,氩气对直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜的晶体特征有明显影响。在CH4/H2恒定时(0.8%),硬质合金基体上制备的金刚石薄膜表面形貌随Ar流量增加而变化的规律,即从以(111)八面体晶面为主→(111)和(100)立方八面体混杂晶面→以(100)立方体晶面为主→菜花状的顺序转变;当Ar流量为420～700mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由1.5μm逐步增大到7μm;Ar流量为700～910mL/min时,金刚石晶粒的平均尺寸由7μm急剧减小到纳米尺度,约50nm。 展开更多
关键词 金刚石薄膜 晶体特征 直流弧光放电等离子体CVD
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直流弧光放电等离子体CVD金刚石薄膜中的晶体类型与特征 被引量：4
5
作者 张湘辉 汪灵 +2 位作者 龙剑平 常嗣和 周九根 《矿物岩石》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期100-104,共5页
采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,以甲烷和氢气为气源,在YG 6硬质合金基体上制备出主显晶面为(100)、(111)以及纳米晶粒的金刚石薄膜涂层。SEM观测其晶体类型主要为立方体、八面体、立方八面体,其中以立方八面体为主。随着... 采用自主研制的直流弧光放电等离子体CVD设备,以甲烷和氢气为气源,在YG 6硬质合金基体上制备出主显晶面为(100)、(111)以及纳米晶粒的金刚石薄膜涂层。SEM观测其晶体类型主要为立方体、八面体、立方八面体,其中以立方八面体为主。随着碳源气体浓度的增加,金刚石晶体的形态会呈现从八面体-立方八面体-立方体顺序转变的趋势;而薄膜的表面形貌呈现从主显(111)晶面-(111)与(100)晶面混杂-主显(100)晶面顺序转变的特征。此外,CVD金刚石薄膜中还存在有许多类似接触孪晶、贯穿孪晶、复合孪晶,以及球形或聚晶晶粒形态的晶体,并且多数孪晶属于类似{111}复合孪晶结构。 展开更多
关键词 金刚石 金刚石薄膜 直流弧光放电等离子体CVD YG6硬质合金 晶体类型
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氮化铝纳米晶和纳米线的研究进展 被引量：1
6
作者 杨金香 《山西师范大学学报（自然科学版）》 2003年第2期49-52,共4页
本文总结了氮化铝 (Al N)纳米晶和纳米线研究的最新进展 ,详细讨论了直流弧光放电蒸发、化学气相沉积、磁控溅射、脉冲辅助激光刻蚀和有机溶液相反应等方法合成氮化铝纳米晶的最新研究成果 ,并对 Al
关键词 氮化铝纳米晶 氮化铝纳米线 研究进展 直流弧光放电蒸发 化学气相沉积 磁控溅射 脉冲辅助激光刻蚀 有机溶液相反应
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基底温度控制方式对直流弧光放电PCVD金刚石膜的影响 被引量：2
7
作者 张湘辉 汪灵 龙剑平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1554-1560,共7页
如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜... 如何精确、高效地实现对基底温度的测控,并获得优化的温度参数,对于CVD金刚石制备技术至关重要。本文采用自主研制的具有新型基底温度自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,分别进行了基底温度开环、闭环及开闭环复合控制下的金刚石薄膜制备研究,并采用SEM,激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌品质进行了分析。研究结果表明:基底温控方式的不同会明显影响CVD金刚石膜的晶体、生长特征及品质,尤其造成了薄膜生长中二次形核密度以及非金刚石成分的显著变化;在保证系统稳定运行的前提下,当其它沉积参数恒定时,受控下的基底温度控制精度及控制品质的实时变化是影响CVD金刚石膜生长性能的主要因素,其中控制精度介于±5℃～±15℃间变化,而控制品质受控制方式的影响较大;相对于控制精度而言,控制品质的变化对常规金刚石薄膜生长性能的影响更为明显。对于此系统,只有采用开-闭环复合控制,且开环流量维持在其单独工作流量的20%时,才能保证基底温度控制精度、控制品质及所制备的CVD金刚石薄膜的质量最佳。 展开更多
关键词 直流弧光放电PCVD法 金刚石薄膜 基底温度 开环、闭环及开闭环复合控制方式
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电化学两步处理对精磨YG6硬质合金性能及金刚石涂层的影响
8
作者 张湘辉 汪灵 +4 位作者 龙剑平 常嗣和 朱必武 陈伟 冯艳华 《工具技术》 2011年第8期43-48,共6页
采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电... 采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电动轮廓仪、洛氏硬度计等进行了表征。结果表明:直、交电化学腐蚀都可以有效地去除YG6硬质合金基体表面因开刃精磨而形成的结构复杂的WC"表皮"。但交流电化学对精磨基体的腐蚀效率较低,处理后基体表面性能较差,不利于金刚石薄膜的形核与生长。而直流电化学两步法可以通过电化学腐蚀时间、酸蚀时间来有效调控基体表面微观结构、Co含量与机械性能,在直流1 A电化学腐蚀5min,王水再腐蚀90s后的精磨硬质合金基体上获得了较高品质、膜基附着性能的金刚石涂层,适合作为精磨基体前处理技术。 展开更多
关键词 电化学两步腐蚀法 金刚石薄膜涂层 直流弧光放电等离子体化学气相沉积 精磨硬质WC-6%wt- CO合金
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基底温度复合控制对化学气相沉积纳米金刚石薄膜的影响
9
作者 张湘辉 汪灵 +2 位作者 龙剑平 邓苗 冯珊 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期3018-3022,共5页
采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研... 采用自主研制的具有基底温度开-闭环复合自动控制系统的直流弧光放电PCVD设备,当开环流量不同时,在硬质合金基体表面分别进行了纳米金刚石薄膜制备研究。并采用SEM、XRD、激光Raman光谱仪对所制备薄膜的形貌、物相和品质进行了分析。研究结果表明,当开环流量从10→5→15→20mL/min变化时,所制备纳米金刚石薄膜的表面粗糙度及石墨成分会随之增加,金刚石晶粒转变为以(110)面生长为主,且尺寸增大;并加剧了硬质合金基体中Co相粘结剂向基体表面的扩散。温控中基底温度的波动(稳定性)是影响纳米金刚石薄膜生长性能的主要原因。 展开更多
关键词 直流弧光放电等离子体化学气相沉积法 纳米金刚石薄膜 基底温度 开-闭环复合控制
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