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当前直接覆铜技术的研究进展 被引量：2
1
作者 高陇桥 石明 《真空电子技术》 2011年第4期39-41,共3页
叙述了近期国内外关于直接覆铜(DBC)技术的发展动态,指出DBC技术在电力电子模块、LED器件以及半导体制冷等领域的广泛应用,特别是AlN基片的DBC工艺研究应该引起有关科技人员的关注。
关键词 直接覆铜 AL2O3 ALN 预氧化 原位氧化
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氮化铝陶瓷直接覆铜基板界面空洞控制技术研究 被引量：1
2
作者 高岭 赵东亮 《真空电子技术》 2013年第4期44-47,共4页
氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮... 氮化铝陶瓷直接覆铜基板是将铜箔在高温下直接键合到氮化铝陶瓷表面而制成的一种复合陶瓷基板,具有高导热性、高电绝缘性、大电流容量、高机械强度等特点,广泛应用于智能电网、动力机车、汽车电子等电力电子领域。本文从机理上分析了氮化铝覆铜基板界面空洞产生的原因,研究了影响界面空洞的主要技术参数,得出结论:氮化铝和无氧铜表面氧化层均匀性是影响界面空洞的主要因素;采用纯干氧气氛氧化氮化铝陶瓷可以在其表面形成致密氧化膜,有效减少界面空洞的产生;采用低氧含量高温氧化的方法氧化无氧铜后,有助于减少铜与氮化铝界面空洞;当氮化铝直接覆铜工艺的氧含量为5×10-4时,氮化铝覆铜基板界面空洞比例达到2%。 展开更多
关键词 氮化铝陶瓷 直接覆铜 界面空洞
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车用SiC半桥模块并联均流设计与试制 被引量：2
3
作者 安光昊 谭会生 +1 位作者 戴小平 张泽 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第10期809-816,838,共9页
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响。然后,采... SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响。然后,采用混合优化的均流方法设计并制作了一个多芯片并联的SiC半桥模块,其中,功率端子采用双端结构以减小寄生电感;栅极采用开尔文连接结构以提高芯片开关速度;对芯片位置进行优化使各并联回路的寄生电感尽可能均匀分布。在ANSYS Q3D中提取的主回路寄生电感为6.5 nH;在Simplorer中进行仿真,电流不均衡度小于3%。实物测试结果表明,主回路寄生电感为10 nH,电流不均衡度小于5%,验证了该车用SiC半桥模块并联均流设计的可行性。 展开更多
关键词 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 并联均流 寄生电感 直接覆铜(DBC)基板 封装结构
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铜片氧化法制备Cu_2O层厚度的调控方法 被引量：1
4
作者 蒋盼 彭坤 +2 位作者 周灵平 朱家俊 李德意 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第20期114-117,共4页
采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征。无氧铜片在900～1050℃,氧气体积分数为2%～10%条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化... 采用氧化法在铜片上生成氧化亚铜,研究氧化工艺对氧化亚铜厚度的影响规律,利用X射线衍射仪和扫描电镜分别对氧化产物和氧化层厚度进行表征。无氧铜片在900～1050℃,氧气体积分数为2%～10%条件下氧化可在表面生成一层纯的Cu2O层;当氧化温度和氧气体积分数分别是1000℃和4%时,生成致密的Cu2O层,且厚度易于控制,氧化层厚度（ζ）与时间（t）的关系满足抛物线关系ζ^2=194t-955。 展开更多
关键词 直接覆铜法 氧化 氧化亚铜 厚度
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陶瓷金属化工艺探究
5
作者 国运之 《中国粉体工业》 2023年第5期21-22,28,共3页
陶瓷-金属封接工艺是将陶瓷材料与金属材料结合起来,在性能上可以形成优势互补,从而延伸、拓展各自的应用领域。陶瓷金属化的好坏直接影响到最终陶瓷-金属封接的气密性和强度等,是陶瓷-金属封接工艺中最重要的一环。本文对陶瓷金属化的... 陶瓷-金属封接工艺是将陶瓷材料与金属材料结合起来,在性能上可以形成优势互补,从而延伸、拓展各自的应用领域。陶瓷金属化的好坏直接影响到最终陶瓷-金属封接的气密性和强度等,是陶瓷-金属封接工艺中最重要的一环。本文对陶瓷金属化的几种技术方法进行了详细介绍。 展开更多
关键词 陶瓷金属化 直接覆铜法 Mo-Mn法 活性金属钎焊法
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陶瓷—铜键合基板（DBC）在功率模块的最近发展
6
作者 Dr.JuergenSchulz-Harder Dr.KarlExel Curamikelectronicsgmbh germany 《集成电路应用》 2003年第4期52-56,共5页
DBC基板是功率模块上标准的电路板材料。利用DBC技术、厚铜箔(0．125mm-0.7Dmm)便可覆合在氧化铝或氮化铝陶瓷上。由於这种铜与陶瓷间结合力很强，致使其水平方向热膨胀系数减低到略比陶瓷热膨胀TEC大些。这样，在装配大型硅芯片时，就... DBC基板是功率模块上标准的电路板材料。利用DBC技术、厚铜箔(0．125mm-0.7Dmm)便可覆合在氧化铝或氮化铝陶瓷上。由於这种铜与陶瓷间结合力很强，致使其水平方向热膨胀系数减低到略比陶瓷热膨胀TEC大些。这样，在装配大型硅芯片时，就不需再用控制热膨胀的过渡片，芯片便可直接焊接在此基板上。因为DBC技术使用铜箔，令在陶瓷面上直接引出悬空的铜集成引脚实现。新的微导孔技木、结合此种集成引脚，今工程师们可以设计出轻巧、散热性良的气密封装模块。利用三维微通道式液冷散热基板置於高功率区底部，令高新技术、低热阻性(0．03k／W)的多芯片式模块可开发成功。一种新的、柔韧度高达>1000Mpa、及具有优异的耐高低温循环性的氧化铝DBC基板已经发展完成。 展开更多
关键词 陶瓷-铜键合基板 DBC 功率模块 直接覆铜键合 集成引脚 微导孔 气密封装
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用气相MCVD铜-胍基技术制作陶瓷板
7
作者 刘镇权 邬通芳 吴培常 《印制电路信息》 2017年第11期30-39,共10页
用气相MCVD铜-胍基技术制作的陶瓷板不含有机组分,具有优异的热可靠性和导电性能,同时它还具有很高的抗电迁移能力,介电损耗角也低于0.001和耐宇宙射线的能力,完全适合于航天航空用。
关键词 陶瓷板 前驱体 气相MCVD 直接覆铜陶瓷基板
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