AlN陶瓷粉末制备方法特点和进展 被引量：23

1

作者 林健凉 曲选辉 +2 位作者 黄栋生 秦明礼 李笃信 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期576-579,共4页

本文就国内外AlN粉末合成的研究情况 ,综述了直接氮化法、Al2 O3 碳热还原法、自蔓延高温合成法、等离子体法、气溶胶法等主要的几种AlN粉末制备方法的特点和研究进展 。

关键词 制备 直接氮化法 碳热还原法 氮化铝陶瓷粉末

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铝粉直接氮化法制备氮化铝粉末 被引量：16

2

作者 姜珩 康志君 +2 位作者 谢元锋 夏扬 吕宏 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期396-400,共5页

采用直接氮化法对铝粉进行氮化,分别研究了添加剂、反应温度、保温时间对合成产物的影响。运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线荧光光谱分析(XRF)对合成产物进行了表征,研究结果表明:提高反应温度、延长保温时间可以有效... 采用直接氮化法对铝粉进行氮化,分别研究了添加剂、反应温度、保温时间对合成产物的影响。运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线荧光光谱分析(XRF)对合成产物进行了表征,研究结果表明:提高反应温度、延长保温时间可以有效促进铝粉转化为氮化铝,提高合成产物的氮含量。同时提高反应温度可以促进添加剂的挥发,减小杂质元素的残留量。在1000℃下保温3 h后,对多孔疏松的合成产物进行球磨24 h处理,最终可以得到氮含量大于32%,Cl的残余含量低于0.3%,K的残余含量低于0.1%,平均粒度小于2μm氮化铝粉末。同时在多孔疏松状合成产物表面观察到了氮化铝晶须的存在,这说明铝粉直接氮化法也可以制备出氮化铝晶须。 展开更多

关键词 氮化铝粉末 直接氮化法 添加剂 氮化铝晶须

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氮化硅粉体制备方法研究进展 被引量：8

3

作者 刘萍 徐恩霞 +1 位作者 谢宏旭 曹雨后 《耐火材料》 CAS 北大核心 2020年第5期457-460,共4页

综述了氮化硅粉体的制备方法和国内外研究现状,并对目前大规模采用的硅粉直接氮化法和碳热还原二氧化硅法存在的问题进行了分析。

关键词 氮化硅粉体 制备方法 研究现状 直接氮化法 碳热还原法

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直接氮化法制备氮化铝粉末的结构特性 被引量：6

4

作者 马超 陈光德 +1 位作者 苑进社 刘菲菲 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1599-1600,1605,共3页

用金属镁(Mg)作催化剂,氮气和铝块为反应物,采用直接氮化法制备出氮化铝(AlN)粉末样品。运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱仪(Raman)对样品进行结构特性分析发现,AlN样品为纯六方相结构,呈现纳米线堆积形貌,纳米线... 用金属镁(Mg)作催化剂,氮气和铝块为反应物,采用直接氮化法制备出氮化铝(AlN)粉末样品。运用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱仪(Raman)对样品进行结构特性分析发现,AlN样品为纯六方相结构,呈现纳米线堆积形貌,纳米线直径约60nm,且尺寸均匀。拉曼散射光谱峰值较单晶AlN向低波数方向移动,表明此方法制备的AlN纳米线存在表面拉应力。 展开更多

关键词 氮化铝 纳米线 直接氮化法 金属催化

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氮化温度对直接氮化法制备氮化硅纤维材料显微结构的影响 被引量：5

5

作者 赵鑫 王刚 +1 位作者 韩建燊 张琪 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第6期414-418,共5页

用工业硅粉为原料,首先通过发泡法结合凝胶注模制备硅的多孔坯体,然后高温氮化制备氮化硅纤维材料,借助XRD和SEM研究氮化温度对该材料显微结构的影响。结果表明:在1400℃氮化5 h,已经基本完全氮化,并且坯体在1375℃发生了剧烈的反应。... 用工业硅粉为原料,首先通过发泡法结合凝胶注模制备硅的多孔坯体,然后高温氮化制备氮化硅纤维材料,借助XRD和SEM研究氮化温度对该材料显微结构的影响。结果表明:在1400℃氮化5 h,已经基本完全氮化,并且坯体在1375℃发生了剧烈的反应。氮化硅纤维主要在气孔中生长,生成的氮化硅纤维均为纳米纤维,其直径在50~250 nm,长度约10μm。随着氮化温度的升高,氮化硅纤维逐渐增多,泡沫孔壁趋于消失,孔壁的消失是由于SiO的生成。氮化硅纤维生长遵循VS和VLS机制。 展开更多

关键词 氮化硅纳米纤维 直接氮化法 发泡法 氮化温度

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直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜 被引量：4

6

作者 姜洪波 高濂 李景国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期495-499,共5页

首先采用溶胶-凝胶法在Al_2O3_基体上制备了TiO_2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO_2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al_2O_3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的... 首先采用溶胶-凝胶法在Al_2O3_基体上制备了TiO_2纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO_2纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al_2O_3陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h. 展开更多

关键词 直接氮化法 纳米晶TiN薄膜 TIO2薄膜

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原位直接氮化法制备片状AlN粉体

7

作者 庞皓然 李康 +2 位作者 赵蕾 魏智磊 史忠旗 《铸造技术》 CAS 2023年第5期405-410,共6页

片状AlN粉体作为热界面材料的填料应用前景广阔,但制备工艺难度大、成本高限制了其实际应用。本文以球磨处理后得到的片状Al粉为铝源,在氮气气氛中通过原位直接氮化法成功制备出由等轴状微米颗粒结合而成的片状AlN粉体,并研究了球磨处... 片状AlN粉体作为热界面材料的填料应用前景广阔,但制备工艺难度大、成本高限制了其实际应用。本文以球磨处理后得到的片状Al粉为铝源,在氮气气氛中通过原位直接氮化法成功制备出由等轴状微米颗粒结合而成的片状AlN粉体,并研究了球磨处理、氮化温度和升温速率对产物物相组成及显微形貌的影响。结果表明,球磨处理可增强Al粉的反应活性、提升氮化速率。升高氮化温度可提升Al粉的氮化率,但过高的氮化温度则会导致产物无法保持片状形貌;提高升温速率会增大等轴状微米颗粒的粒径。当氮化温度为640℃、升温速率为5℃/min时,制备的片状AlN粉体表面最为致密、平整,有望作为热界面材料的填料使用。 展开更多

关键词 氮化铝粉体 直接氮化法 填料 粉体形貌

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TiN粉末的制备方法 被引量：3

8

作者 李吉利 蒋明学 《耐火材料》 CAS 北大核心 2011年第5期386-389,共4页

简要介绍了TiN的性能及主要用途,分析和阐述了TiN粉末制备的研究现状及发展趋势,重点讨论了碳热还原氮化合成TiN粉末存在的问题和前景。

关键词 TiN粉末 制备 碳热还原氮化法 CVD法 直接氮化法

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AlN微晶棒的的制备及光致发光性能研究 被引量：3

9

作者 沈龙海 张轩硕 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期927-931,共5页

采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明:所制备的Al N微晶棒长... 采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱等测试手段对所制备样品进行表征和发光性能的研究。结果表明:所制备的Al N微晶棒长度约为30μm,直径约为10μm。在AlN微晶棒的PL谱中,有两个主要发光峰,中心在430 nm的发射源于VN和(V_(Al)-O_N)^(2-)构成的深施主-深受主对缺陷发光,中心在650 nm的发射源于VAl形成的深受主能级到价带的缺陷发光。在激发波长由270 nm逐渐增大到300 nm的过程中发现,Al N微晶棒波长在430 nm处的发光峰先增强后减弱,在激发波长为285 nm时强度最大;650 nm处的发光峰随激发波长增大而逐渐增强。 展开更多

关键词 AlN微晶棒 直接氮化法 光致发光 缺陷发光

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Al@AlN-Al2O3高温复合相变蓄热材料的制备与性能研究 被引量：3

10

作者 李宁宁 李孔斋 +3 位作者 魏永刚 祝星 刘自松 王华 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期2875-2882,共8页

以Al作为相变材料,采用直接氮化法制备出一种核壳结构Al@Al N-Al_2O_3新型高温复合相变蓄热材料。利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、拉曼光谱仪和差示扫描量热分析仪对材料进行表征。进一步研究锂盐助剂种类及反应时间对... 以Al作为相变材料,采用直接氮化法制备出一种核壳结构Al@Al N-Al_2O_3新型高温复合相变蓄热材料。利用X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜、能谱仪、拉曼光谱仪和差示扫描量热分析仪对材料进行表征。进一步研究锂盐助剂种类及反应时间对材料合成的影响,同时对材料的热循环性能进行测定。结果表明:在750℃条件下制备的复合材料达到预期的核壳结构,其相变材料含量64.6%,相变温度为662.3℃,蓄热密度高达326.3 kJ/kg。同时发现Li_2CO_3助剂的加入、反应时间的延长均可促进AlN的合成,从而使核壳结构更加稳定。经过20次热循环后,该材料仍表现出稳定的蓄热性能。 展开更多

关键词 复合相变蓄热材料 直接氮化法 核壳结构 高温蓄热 Al@AlN-A12O3

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两种不同AIN粉末的烧结和热传导特性比较 被引量：2

11

作者 李星国 姜辉恩 +1 位作者 张同俊 赵兴中 《功能材料》 EI CAS CSCD 1994年第3期264-268,272,共6页

本文对Ａｌ＿２Ｏ＿３碳还原氮化法和Ａｌ直接氮化法所制作的两种ＡｌＮ粉体的特性进行了分析和比较，然后研究了这两种粉体在添加０～１５ｗｔ．％的Ｙ＿２Ｏ＿３烧结助剂的条件下，经２０７３Ｋ烧结后的密度变化以及在室温下的热传导... 本文对Ａｌ＿２Ｏ＿３碳还原氮化法和Ａｌ直接氮化法所制作的两种ＡｌＮ粉体的特性进行了分析和比较，然后研究了这两种粉体在添加０～１５ｗｔ．％的Ｙ＿２Ｏ＿３烧结助剂的条件下，经２０７３Ｋ烧结后的密度变化以及在室温下的热传导特性。 展开更多

关键词 AIN粉末 碳还原氮化法 直接氮化法 常压烧结 热传导

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氮化铝陶瓷及其用途 被引量：1

12

作者 刘志国 《佛山陶瓷》 2002年第4期28-29,共2页

关键词 氮化铝陶瓷 陶瓷粉末 制备 直接氮化法 自蔓延法 硕热还原氮化法

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电弧放电等离子体法合成立方相氮化铬纳米粉 被引量：2

13

作者 沈龙海 崔启良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期411-414,共4页

采用电弧放电等离子体方法,通过金属铬和氮气的直接反应合成了粒度小于10nm的纯立方相氮化铬（CrN）纳米粉.利用X射线衍射分析（XRD）、透射电镜（TEM）和傅立叶变换红外光谱（FT-IR）对不同氮气压下形成的产物进行了表征.研究了氮气压... 采用电弧放电等离子体方法,通过金属铬和氮气的直接反应合成了粒度小于10nm的纯立方相氮化铬（CrN）纳米粉.利用X射线衍射分析（XRD）、透射电镜（TEM）和傅立叶变换红外光谱（FT-IR）对不同氮气压下形成的产物进行了表征.研究了氮气压和氨气的加入对形成立方相CrN纳米晶的影响.研究结果表明：相对较低的N2气压（5~20kPa）有利于金属Cr向立方CrN的转化,可以使更多的氮原子结合到金属Cr的格子中去;活性氮源（氨气）的加入降低了金属Cr的氮化. 展开更多

关键词 直接氮化法 氮化铬 纳米粉

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直接氮化法制备Si_3N_4粉体过程研究 被引量：2

14

作者 刘松喆 季惠明 +1 位作者 梁辉 马艳红 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第A01期378-381,共4页

采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si_3N_4粉体。着重讨论了催化剂含量和氮化工艺条件对粉体的氮化率、粒径、形貌和相含量等方面的影响。实验结果表明:催化剂含量,球磨工艺,烧结... 采用直接氮化的工艺方法,以Si粉为初始原料,采用Fe粉为催化剂,在高温下直接进行氮化,制备了Si_3N_4粉体。着重讨论了催化剂含量和氮化工艺条件对粉体的氮化率、粒径、形貌和相含量等方面的影响。实验结果表明:催化剂含量,球磨工艺,烧结制度是影响Si_3N_4粉体最终性能的3个主要因素,并且在掺杂Fe为0.5%,球磨时间为2h,采用分阶段保温升温的方法,在氮化温度为1400～1350℃下氮化2～3 h,制备了氮化率95%左右,α相含量接近90%,形状为等轴状的Si_3N_4粉体。 展开更多

关键词 Si3N4粉体 直接氮化法 催化剂Fe 工艺条件

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三聚氰胺对直接氮化法合成氮化铝纳米线的影响 被引量：1

15

作者 刘藜 向道平 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2022年第3期1078-1084,共7页

由于氮化铝纳米线具有优异的导热性,国内外学者对其进行了广泛研究。本文以三聚氰胺和氟化钇为添加剂,采用直接氮化法制备了氮化铝纳米线。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、能谱仪(EDS)等表征了氮... 由于氮化铝纳米线具有优异的导热性,国内外学者对其进行了广泛研究。本文以三聚氰胺和氟化钇为添加剂,采用直接氮化法制备了氮化铝纳米线。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)、能谱仪(EDS)等表征了氮化铝纳米线的晶体结构和微观形貌,分析了三聚氰胺和氟化钇对氮化反应的促进作用,研究了不同含量的三聚氰胺和不同反应温度对制备氮化铝纳米线的影响。结果表明:添加三聚氰胺可以提高氮化反应速率,促进纳米线的生成;当反应温度为1 200℃,铝粉和三聚氰胺质量比为1∶4,氟化钇掺量为5%(质量分数)时,成功制得了高长径比的氮化铝纳米线。 展开更多

关键词 AlN纳米线 三聚氰胺 热管理材料 导热填料 直接氮化法 生长机理

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表面氧含量对高纯硅粉高温氮化行为的影响 被引量：1

16

作者 兰宇 李兵 +4 位作者 周子皓 张以纯 尹传强 魏秀琴 周浪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第16期2719-2722,共4页

研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮... 研究了表面氧含量对高纯硅原料在氮氢气氛下直接氮化行为的影响,并合成高α相氮化硅。研究结果表明,硅粉在氮氢气氛下1 350℃保温3h,氮化产物中α-Si_3N_4含量随原料氧含量的增加呈先增加后减少的趋势,当硅原料表面氧含量为3.91%时,氮化产物中α-Si_3N_4含量可达97%以上,残留硅含量低于1%,产物中部氧含量为1.71%,在此环境下硅粉氮化主要以化学气相沉积的方式进行,产物形貌以杆状α-Si_3N_4晶须为主。硅原料表面氧含量低于4.38%时,氮化产物α-Si_3N_4含量均在95%以上,另有少量的β-Si_3N_4和残留硅,XRD测试精度范围内无氮氧化硅相存在。当硅原料氧含量高于5.61%时,产物中则出现氮氧化硅,随着原料氧含量增加,氮氧化硅含量明显上升。当硅原料氧含量低于5.61%时,残留硅含量随氧含量增加明显减少,说明原料中氧的增加可以显著加快氮化速率,降低氮化产物中残留硅的含量。 展开更多

关键词 α-氮化硅 氧含量 直接氮化法 高纯硅粉 氮氧化硅

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氮化物增强TiAl复合材料的制备及性能研究

17

作者 陈煦芬 蒋丽君 +1 位作者 赵逸鸥 王良辉 《热加工工艺》 北大核心 2022年第20期66-70,共5页

氮化工艺应用于钛铝合金性能优化方面的趋势日益增长,为此类材料发展的重要方向之一。采用直接氮化法与放电等离子烧结技术制备氮强化相增强Ti48Al2Gr2Nb基复合材料,研究了NH_(3)、N_(2)两种气体直接氮化钛铝合金粉末的效果,并对相应的... 氮化工艺应用于钛铝合金性能优化方面的趋势日益增长,为此类材料发展的重要方向之一。采用直接氮化法与放电等离子烧结技术制备氮强化相增强Ti48Al2Gr2Nb基复合材料,研究了NH_(3)、N_(2)两种气体直接氮化钛铝合金粉末的效果,并对相应的氮化试样进行了显微硬度、耐磨性测试,运用扫描电镜(SEM)、X射线衍射物相分析(XRD)、X射线能谱分析(EDS)对合成产物进行了表征。结果表明:提高氮化温度与保温时间有利于氮强化相的生成。在本次试验中,通过综合考虑粉末氮化效果与试样的硬度、耐磨性情况,可以得出N_(2)更适合作为钛铝合金的氮化气氛。 展开更多

关键词 氮化钛铝合金 直接氮化法 显微硬度 耐磨性

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工艺条件对微波直接氮化法合成AIN的影响 被引量：1

18

作者 曾小锋 彭虎 +1 位作者 钱端芬 雷春 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期121-124,共4页

根据微波加热特点,研究了在微波环境下装料匣钵以及添加剂对Al粉氮化的影响。结果表明,采用莫来石材料的装料匣钵与添加复合添加剂(氟化铵+锌粒)进行微波Al粉氮化,在常压下1050℃保温30min,得到了晶体形状规则、颗粒均匀细小的高纯度AlN。

关键词 微波加热 直接氮化法 装料匣钵 添加剂

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AlN粉体制备技术研究进展

19

作者 詹俊 吴玉彪 汤文明 《中国材料科技与设备》 2013年第3期1-4,共4页

直接氮化法和碳热还原法是现代规模化制备AlN陶瓷粉体的主要方法。本文结合最新研究成果，分析了这两大类A1N粉体制备方法的优缺点，探讨了今后A1N粉体制备技术发展需要解决的关键问题。

关键词 AlN粉体 碳热还原法 直接氮化法

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氮化镓纳米粒子的制备及光致发光研究

20

作者 沈龙海 富松 石广立 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期585-588,共4页

采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究。结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右。在GaN纳... 采用直接氮化法制备出尺寸不同的GaN纳米粒子,分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱测试手段对所制样品进行表征和发光特性的研究。结果表明:所制备的两种GaN纳米粒子直径分别为100 nm和300 nm左右。在GaN纳米粒子的PL谱中,中心在357 nm的发射源于本征发光,中心在385 nm的发射带源于浅施主能级到价带的辐射复合,中心在560 nm左右的发射带源于浅施主能级到深受主能级间的施主-受主对辐射发光。 展开更多

关键词 GaN纳米粒子 直接氮化法 光致发光

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