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硅材料界面形态演化过程的相场法研究
被引量：
2
1
作者
刘宝盈
周颖
《铸造技术》
CAS
北大核心
2016年第11期2326-2330,共5页
采用有限差分法求解高界面能各向异性的相场模型,对硅材料晶粒生长过程进行模拟,分析了界面能各向异性强度和过冷度对界面形态演化的影响。结果表明:在高界面能各向异性下,硅晶粒为典型小平面枝晶形态,模拟结果和实验结果吻合。随着界...
采用有限差分法求解高界面能各向异性的相场模型,对硅材料晶粒生长过程进行模拟,分析了界面能各向异性强度和过冷度对界面形态演化的影响。结果表明:在高界面能各向异性下,硅晶粒为典型小平面枝晶形态,模拟结果和实验结果吻合。随着界面能各向异性强度的增大,晶粒界面形态由类球状经光滑枝晶向小平面枝晶转变;随着过冷度的增加,晶粒界面形态由类矩形向小平面枝晶转变。Y轴正方向晶粒长度在界面能各向异性强度为0.15和0.1时相当,Y轴正方向晶粒尖端温度在界面能各向异性强度为0.15时略高于界面能各向异性强度为0.1时的值。
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关键词
相场法
界面
形态
硅材料
界面
能
各向异性
强度
过冷度
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职称材料
题名
硅材料界面形态演化过程的相场法研究
被引量：
2
1
作者
刘宝盈
周颖
机构
商洛学院陕西省尾矿资源综合利用重点实验室
商洛学院电子信息与电气工程学院
出处
《铸造技术》
CAS
北大核心
2016年第11期2326-2330,共5页
基金
商洛市科技局资助项目(SK2014-01-01)
2015年度国家级大学生创新训练资助项目(201511396718)
文摘
采用有限差分法求解高界面能各向异性的相场模型,对硅材料晶粒生长过程进行模拟,分析了界面能各向异性强度和过冷度对界面形态演化的影响。结果表明:在高界面能各向异性下,硅晶粒为典型小平面枝晶形态,模拟结果和实验结果吻合。随着界面能各向异性强度的增大,晶粒界面形态由类球状经光滑枝晶向小平面枝晶转变;随着过冷度的增加,晶粒界面形态由类矩形向小平面枝晶转变。Y轴正方向晶粒长度在界面能各向异性强度为0.15和0.1时相当,Y轴正方向晶粒尖端温度在界面能各向异性强度为0.15时略高于界面能各向异性强度为0.1时的值。
关键词
相场法
界面
形态
硅材料
界面
能
各向异性
强度
过冷度
Keywords
phase-field method
interface morphology
Si material
anisotropy strength of interface energy
undercooling
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅材料界面形态演化过程的相场法研究
刘宝盈
周颖
《铸造技术》
CAS
北大核心
2016
2
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职称材料
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