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MoS_(2)-In与MoS_(2)-Au异质结界面构型对势垒影响研究
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作者 李国军 李中军 +3 位作者 郑雅惠 汪汉浠 宋宇轩 朱闻新 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2024年第6期818-822,828,共6页
文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各... 文章采用第一性原理计算方法对比研究单层二硫化钼(MoS 2)与In、Au形成的异质结的界面构型对界面势垒的影响。能带结构和束缚能计算表明,MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结是范德华接触;由于界面In原子d轨道和Au原子s轨道电子态空间分布各向异性和各向同性,界面势垒对构型表现出不同的依赖性;MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au异质结的界面势垒明显偏离Schottky-Mott定则的预测值,电子密度差分结果分析证明,界面电荷转移形成的偶极层是势垒偏离的主要原因。研究结果表明,通过界面构型调控偶极层是调控MoS_(2)-In和MoS_(2)-Au范德华异质结界面势垒的一种新方法。 展开更多
关键词 肖特基势垒 MoS_(2)-In异质结 MoS_(2)-Au异质结 界面偶极 界面构型
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