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基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
1
作者
田苗
刘民
+3 位作者
林子涵
付学成
程秀兰
吴林晟
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第4期316-322,共7页
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。...
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。
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关键词
硅通孔(TSV)
锥形
种子层
电镀
填充
薄膜沉积
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职称材料
多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究
被引量：
4
2
作者
李杰
王雷
+4 位作者
姜理利
黄旼
郁元卫
张洪泽
陈聪
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第3期166-170,共5页
硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现...
硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现电流密度较低时,呈等壁生长,而电流密度较高时,底部产生孔洞。
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关键词
TSV
电镀
填充
添加剂
电流密度
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职称材料
纳米压痕法确定TSV-Cu的应力-应变关系
被引量：
4
3
作者
秦飞
项敏
武伟
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期722-726,共5页
为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过...
为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过对比最大模拟载荷与最大实验载荷,确定TSV-Cu的特征应力和特征应变;由量纲函数确定的应变强化指数为0.4892;将上述实验结果代入幂强化模型中,确定TSV-Cu的屈服强度为47.91 MPa.最终确定了TSV-Cu的幂函数型弹塑性应力-应变关系.
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关键词
硅通孔
电镀
填充
铜
纳米压痕
弹性模量
屈服强度
应变强化指数
原文传递
题名
基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
1
作者
田苗
刘民
林子涵
付学成
程秀兰
吴林晟
机构
上海交通大学电子信息与电气工程学院先进电子材料与器件平台
上海交通大学射频异质异构集成全国重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024年第4期316-322,共7页
基金
上海市2022年度“科技创新行动计划”集成电路领域项目(22501100800)
上海交通大学决策咨询课题资助项目(JCZXSJB-04)。
文摘
以硅通孔(TSV)为核心的2.5D/3D封装技术可以实现芯片之间的高速、低功耗和高带宽的信号传输。常见的垂直TSV的制造工艺复杂,容易造成填充缺陷。锥形TSV的侧壁倾斜,开口较大,有利于膜层沉积和铜电镀填充,可降低工艺难度和提高填充质量。在相对易于实现的刻蚀条件下制备了锥形TSV,并通过增加第二步刻蚀来改善锥形TSV形貌。成功制备了直径为10~40μm、孔口为喇叭形的锥形TSV。通过溅射膜层和铜电镀填充,成功实现了直径为15μm、深度为60μm的锥形TSV的连续膜层沉积和完全填充,验证了两步刻蚀工艺的可行性和锥形TSV在提高膜层质量和填充效果方面的优势。为未来高密度封装领域提供了一种新的TSV制备工艺,在降低成本的同时提高了2.5D/3D封装技术的性能。
关键词
硅通孔(TSV)
锥形
种子层
电镀
填充
薄膜沉积
Keywords
through silicon via(TSV)
taper
seed layer
electroplating filling
thin film deposition
分类号
TN405.97 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究
被引量：
4
2
作者
李杰
王雷
姜理利
黄旼
郁元卫
张洪泽
陈聪
机构
南京电子器件研究所
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021年第3期166-170,共5页
文摘
硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现电流密度较低时,呈等壁生长,而电流密度较高时,底部产生孔洞。
关键词
TSV
电镀
填充
添加剂
电流密度
Keywords
TSV electroplating
additives
current density
分类号
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
纳米压痕法确定TSV-Cu的应力-应变关系
被引量：
4
3
作者
秦飞
项敏
武伟
机构
北京工业大学机械工程与应用电子技术学院
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第6期722-726,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目11272018
Supported by National Natural Science Foundation of China(No.11272018)
文摘
为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过对比最大模拟载荷与最大实验载荷,确定TSV-Cu的特征应力和特征应变;由量纲函数确定的应变强化指数为0.4892;将上述实验结果代入幂强化模型中,确定TSV-Cu的屈服强度为47.91 MPa.最终确定了TSV-Cu的幂函数型弹塑性应力-应变关系.
关键词
硅通孔
电镀
填充
铜
纳米压痕
弹性模量
屈服强度
应变强化指数
Keywords
TSV-Cu
nanoindentation
elastic modulus
yield strength
strain hardening exponent
分类号
TG425.1 [金属学及工艺—焊接]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于两步刻蚀工艺的锥形TSV制备方法
田苗
刘民
林子涵
付学成
程秀兰
吴林晟
《半导体技术》
CAS
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
2
多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究
李杰
王雷
姜理利
黄旼
郁元卫
张洪泽
陈聪
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2021
4
下载PDF
职称材料
3
纳米压痕法确定TSV-Cu的应力-应变关系
秦飞
项敏
武伟
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
4
原文传递
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