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铵根离子预嵌入对二氧化锰正极材料放电行为的影响
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作者 胡德计 刘吉源 +1 位作者 刘兴江 徐强 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第9期2948-2956,共9页
为了缓解锰基正极材料在水系锌离子电池充放电过程中引起的结构塌陷,预嵌入分子和离子是一种有效的解决手段。通过简单的水热法,将与锌离子半径相近的铵根离子(NH_(4)^(+))预嵌入α-MnO_(2)材料中,制备了一种水系锌离子电池正极材料(NMn... 为了缓解锰基正极材料在水系锌离子电池充放电过程中引起的结构塌陷,预嵌入分子和离子是一种有效的解决手段。通过简单的水热法,将与锌离子半径相近的铵根离子(NH_(4)^(+))预嵌入α-MnO_(2)材料中,制备了一种水系锌离子电池正极材料(NMnO_(2))。铵根离子的预嵌入稳固了锰基材料的宿主结构,降低了电化学过程中的电荷转移势垒,进而提高了正极材料的反应动力学。结果表明:所组装的锌离子电池在电流密度0.5 A/g下的初始比容量达到304.1 mA·h/g,充放电循环1000次后容量保持率为77.7%;在1 A/g下的电流密度下初始比容量为183.5 mA·h/g,经过2000次循环后,电池比容量仍然达到138.7 mA·h/g,容量保持率为75.5%。此外,等效模拟电路的计算和CV曲线测试结果表明,扩散作用和赝电容行为的共同作用机制有效地提升了锌离子电池的倍率性能。 展开更多
关键词 预嵌入 水热法 锌离子电池 电荷转移过程 宿主结构
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原子轨道方法研究He^2+-He碰撞中电荷转移过程 被引量:2
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作者 刘玲 刘春雷 +3 位作者 颜君 王建国 马新文 JANEV JK 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期34-36,共3页
应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He^2+-He碰撞中的电荷转移过程,计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面,并与其它理论结果和实验结果进行了比较,发现我们的理论结果与实验很好的符合.针对中... 应用双中心的原子轨道强耦合方法研究了He^2+-He碰撞中的电荷转移过程,计算了随入射离子能量变化的单电子俘获总截面及各个次壳层的态选择截面,并与其它理论结果和实验结果进行了比较,发现我们的理论结果与实验很好的符合.针对中国科学院近代物理研究所最近的实验测量,我们也计算了电荷转移过程的微分截面. 展开更多
关键词 电荷转移过程 双中心原于轨道方法
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Novel donor-spacer-acceptor compound as the multifunctional component of exciplexes for efficient organic light-emitting diodes 被引量:1
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作者 Hao-Yu Yang Cai-Jun Zheng +6 位作者 Ming Zhang Jue-Wen Zhao Yi-Zhong Shi Chun-Peng Pu Hui Lin Si-Lu Tao Xiao-Hong Zhang 《Science China Materials》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第2期460-468,共9页
By connecting tercarbazole(3 Cz)and triphenyltriazine(TRz)units with a diphenyl ether group,we designed and synthesized a new donor-spacer-acceptor structure molecule9’-(4-(4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenoxy)... By connecting tercarbazole(3 Cz)and triphenyltriazine(TRz)units with a diphenyl ether group,we designed and synthesized a new donor-spacer-acceptor structure molecule9’-(4-(4-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)phenoxy)phenyl)-9’H-9,3’:6’,9"-tercarbazole(3 Cz-o-TRz)as the multifunctional component of exciplex emitters.As expected,the intermolecular charge-transfer transition is dominant for3 Cz-o-TRz because of the space-enough and conjugation-forbidden linkage of the diphenyl ether group,increasing the intrinsic characteristics of the 3 Cz and TRz moieties in its single-molecule state.Accordingly,three common electron acceptors(4,6-bis(3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl)-2-methylpyrimidine(B3 PyMPm),4,6-bis(3,5-di(pyridin-4-yl)phenyl)-2-methylpyrimidine(B4 PyMPm),and(1,3,5-triazine-2,4,6-triyl)tris(benzene-3,1-diyl)tris(diphenylphosphineoxide)(POT2 T))and three common electron donors(4,4’-(cyclohexane-1,1-diyl)bis(N,N-di-p-tolylaniline)(TAPC),tris(4-(10 H-phenoxazin-10-yl)phenyl)amine(TPA-PXZ),and N1-phenyl-N4,N4-bis(4-(phenyl(m-tolyl)amino)phenyl)-N1-(m-tolyl)benzene-1,4-diamine(m-MTDATA))were chosen to construct six exciplex emitters with 3 Cz-o-TRz.In the organic light-emitting diodes(OLEDs),the emission spectra of these exciplex emitters could be gradually modulated from 510 to 590 nm.In addition,TAPC:3 Cz-o-TRz-and 3 Cz-o-TRz:PO-T2 T-based OLEDs achieved desirable performance with maximum external quantum efficiencies(EQEs)around 12%.Moreover,a simple tandem OLED containing TAPC:3 Cz-o-TRz and 3 Czo-TRz:PO-T2 T emitters realized optimal performance with an ultralow turn-on voltage of 2.4 V and a maximum EQE of14.1%.These results indicate the great potential of the donorspacer-acceptor structure compounds in developing exciplex emitters. 展开更多
关键词 EXCIPLEX donor-spacer-acceptor structure intermolecular charge-transfer organic light-emitting diode multifunctional component
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液相沉积法制备ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜及其光电性质 被引量:1
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作者 付冬伟 程轲 +1 位作者 庞山 杜祖亮 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2575-2580,共6页
采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收分光光度计、荧光(PL)光谱仪及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对... 采用两步化学溶液沉积法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备了ZnO/CdS复合纳米棒阵列薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-Vis)吸收分光光度计、荧光(PL)光谱仪及表面光电压谱(SPS)研究了不同CdS沉积时间对复合薄膜的晶体结构、形貌、光电性质的影响.研究结果表明:ZnO纳米棒阵列表面包覆CdS纳米颗粒后,其吸收光谱可拓展到可见光区;与吸收光谱相对应在可见光区出现新的光电压谱响应区,这一现象证实,通过与CdS复合可显著提高ZnO纳米棒阵列在可见光区的光电转换性能;随着CdS纳米颗粒沉积时间的延长,复合纳米棒阵列薄膜在大于383nm波长区域的光电压强度逐渐减弱,而在小于383nm波长区域的光电压强度逐渐增强.用两种不同的电荷产生和分离机制对这一截然相反的光响应过程进行了详细的讨论和解释. 展开更多
关键词 ZnO/CdS纳米棒阵列 液相沉积法 表面光电压谱 光电特性 电荷转移过程
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Tracking the holistic evolution of charge transfer in a single photocatalyst particle 被引量:1
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作者 Yuxiang Weng 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第23期2384-2386,共3页
Photocatalysts can utilize sunlight to produce hydrogen from water splitting and solar fuels through CO_(2) reduction. However,the fundamental process of how photogenerated carriers are excited in bulk and transported... Photocatalysts can utilize sunlight to produce hydrogen from water splitting and solar fuels through CO_(2) reduction. However,the fundamental process of how photogenerated carriers are excited in bulk and transported to the surface, undergo charge separation, and become trapped at the surface in photocatalysis processes has remained elusive. 展开更多
关键词 电荷转移过程 光催化 单颗粒
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低能O^(3+)与H_2碰撞电子俘获过程中靶的同位素效应研究 被引量:1
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作者 吴勇 刘玲 +1 位作者 王建国 STANCIL P C 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第B08期82-86,共5页
利用全量子的分子轨道强耦合方法,我们研究了基态的O3+(2s22p2P)与氚分子和氢分子碰撞的电荷转移过程,计算了方位角为45°,能量分别为0.1eV/u,1.0eV/u,100eV/u,500eV/u的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及总截面.分子轨道强耦合... 利用全量子的分子轨道强耦合方法,我们研究了基态的O3+(2s22p2P)与氚分子和氢分子碰撞的电荷转移过程,计算了方位角为45°,能量分别为0.1eV/u,1.0eV/u,100eV/u,500eV/u的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及总截面.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对体系的电子运动同H2(T2)或H2+(T2+)的转动和振动之间的耦合,根据能量的不同,分别采用了无限阶的冲量近似或振动冲量近似.结果发现,低能O3+与H2碰撞电子俘获过程中靶的同位素效应显著:对不同的同位素靶,单电子俘获的总截面以及振动分辨态选择截面的分布明显不同;入射离子能量越低,同位素效应越显著. 展开更多
关键词 同位素效应 电荷转移过程 全量子的分子轨道强耦合方法 无限阶冲量近似 振动冲量近似
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激光场中Li^(3+)与H的电荷转移
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作者 刘艳侠 林在昆 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第S1期113-114,共2页
激光场中原子碰撞过程是近些年来比较活跃的研究领域,存在激光场情况下的电荷转移过程近几年国外已有人做了一些理论研究。本文考虑激光场对入射粒子的影响同时考虑了激光场对原子体系的影响(修饰效应),计算了Li<sup>3+</sup... 激光场中原子碰撞过程是近些年来比较活跃的研究领域,存在激光场情况下的电荷转移过程近几年国外已有人做了一些理论研究。本文考虑激光场对入射粒子的影响同时考虑了激光场对原子体系的影响(修饰效应),计算了Li<sup>3+</sup>+H(ls)→Li<sup>2+</sup>+H<sup>+</sup>过程的电荷转移截面。 展开更多
关键词 激光场 LI 电荷转移过程 原子碰撞 入射粒子 组态混合 单模 理论研究 矢势 阳线
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O^3+与H2碰撞中非解离电荷转移过程的全量子计算 被引量:1
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作者 吴勇 刘玲 王建国 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期947-956,共10页
应用全量子的分子轨道强耦合方法,研究了基态的O3+(2s22p2P)与氢分子碰撞的非解离电荷转移过程,计算了不同方位角(25°,45°,89°),能量分别为100,500,1000和5000eV/u时的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及相应的微分截面... 应用全量子的分子轨道强耦合方法,研究了基态的O3+(2s22p2P)与氢分子碰撞的非解离电荷转移过程,计算了不同方位角(25°,45°,89°),能量分别为100,500,1000和5000eV/u时的单电子俘获的振动分辨的态选择截面及相应的微分截面.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对氢分子的自身转动,采用无限阶的冲量近似方法;对体系的电子运动同H2或H2+的振动之间的耦合,采用了振动冲量近似.结果发现,对不同的入射能量,振动态选择截面随振动量子数的分布发生了一定的改变;不同入射能量和不同方位角的振动态分辨的微分截面具有类似的结构,在极小的散射角附近出现一个最大值平台,然后散射截面随着散射角的增大而减小,并出现大量的震荡结构,其中第一个震荡结构对应的散射角位置随入射能量Ep以Ep-1/2的标度规律变化;微分截面的结构和大小对H2方位角α的变化敏感,这种性质为H2取向的诊断提供了一种可能的途径. 展开更多
关键词 非解离电荷转移过程 全量子的分子轨道强耦合方法 无限阶冲量近似 振动冲量近似
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0^3+与H2碰撞中解离电子俘获过程的全量子计算
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作者 王建国 刘春雷 +4 位作者 何斌 宁烨 颜君 P. Week P. C. Stancil 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第B04期249-252,共4页
利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3(2s^22p^2P)与氢分子碰撞的解南电荷转移过程.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对氢分子的自身转动,我们采用无限阶的冲... 利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3(2s^22p^2P)与氢分子碰撞的解南电荷转移过程.分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元.对氢分子的自身转动,我们采用无限阶的冲量近似方法,在入射离子能量为0.1 eV/u到500 eV/u的能量区间。我们得到了非解离碰撞过程的振动态选择单电子俘获截面和解离碰撞过程的单电子俘获微分截面,发现解离碰撞截面大约占非解离过程的10%.这表明在实际的应用中。必须包含解离俘获过程的贡献. 展开更多
关键词 解离电荷转移过程 全量子的分子轨道强耦合方法 无限阶冲量近似
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蔡雪简介
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《牡丹江师范学院学报(自然科学版)》 2022年第3期F0003-F0003,共1页
国家自然科学基金青年基金项目“基于大环共轭体系的有机场效应晶体管半导体材料的理论研究”,通过在三明治型卟啉酞菁类稀土配合物单元上连接不同性质和长度功能基团,例如冠醚、烷氧基、氰基、卤素等,在Marcus理论的基础上,研究分子的... 国家自然科学基金青年基金项目“基于大环共轭体系的有机场效应晶体管半导体材料的理论研究”,通过在三明治型卟啉酞菁类稀土配合物单元上连接不同性质和长度功能基团,例如冠醚、烷氧基、氰基、卤素等,在Marcus理论的基础上,研究分子的重组能,电子的射入势垒,分子间电荷转移过程中交换积分和分子的集聚状态对迁移率影响。 展开更多
关键词 Marcus理论 电荷转移过程 稀土配合物 交换积分 共轭体系 有机场效应晶体管 国家自然科学基金 冠醚
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蔡雪
11
《牡丹江师范学院学报(社会科学版)》 2021年第6期F0003-F0003,共1页
国家自然科学基金青年基金项目"基于大环共轭体系的有机场效应晶体管半导体材料的理论研究",通过在三明治型卟啉酞菁类稀土配合物单元上连接不同性质和长度功能基团,例如冠醚、烷氧基、氰基、卤素等,在Marcus理论的基础上,研... 国家自然科学基金青年基金项目"基于大环共轭体系的有机场效应晶体管半导体材料的理论研究",通过在三明治型卟啉酞菁类稀土配合物单元上连接不同性质和长度功能基团,例如冠醚、烷氧基、氰基、卤素等,在Marcus理论的基础上,研究分子的重组能,电子的射入势垒,分子间电荷转移过程中交换积分和分子的集聚状态对迁移率影响。本项目研究开发了该类功能分子材料在场效应晶体管中的应用潜力,具有重要的理论和实际意义。 展开更多
关键词 Marcus理论 电荷转移过程 稀土配合物 交换积分 共轭体系 有机场效应晶体管 冠醚 半导体材料
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封面图片说明
12
作者 宋波 韩杰才 +2 位作者 郝润豹 李加杰 王先杰 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第11期13-13,共1页
封面图片来自本期论文"铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究",是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一种p型窄禁带半导体(约为0.86 e V),可吸收大部分波段的... 封面图片来自本期论文"铁电极化调控Sn Se薄膜光电性质研究",是哈尔滨工业大学航天学院所制作的Sn Se薄膜在不同波长照射下光电导的变化情况及电荷转移过程示意图.Sn Se作为一种p型窄禁带半导体(约为0.86 e V),可吸收大部分波段的太阳光.作为一种典型的铁电材料,极化后的铌酸锂晶体上下表面分别带异号的电荷,当铌酸锂晶体表面沉积Sn Se薄膜时,在铌酸锂退极化场的作用下, 展开更多
关键词 铌酸锂晶体 退极化场 电荷转移过程 图片说明 铁电材料 光电性质 窄禁带半导体 光电导 电极化 异号
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