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NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析
被引量：
4
1
作者
卓青青
刘红侠
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期491-497,共7页
通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒...
通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化.研究结果为设计抗单粒子器件提供了重要指导.
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关键词
单粒子瞬态脉冲
电荷
收集
机制
注入位置
漏极偏压
原文传递
题名
NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析
被引量：
4
1
作者
卓青青
刘红侠
郝跃
机构
西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期491-497,共7页
基金
国家自然科学基金(批准号:61076097,60936005)
教育部科技创新工程重大项目培育资金(批准号:708083)
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:200807010010)资助的课题~~
文摘
通过二维数值模拟,深入分析了NMOSFET在不同漏极偏置、不同栅长度和不同注入位置下的单粒子效应.研究结果表明:漏极偏置电压越高,栅长度越短,器件的单粒子瞬态电流越大,收集电荷越多.通过研究不同注入位置情况下的单粒子效应表明:单粒子瞬态脉冲电流的大小和器件中该处对应的电场强度成比例变化.研究结果为设计抗单粒子器件提供了重要指导.
关键词
单粒子瞬态脉冲
电荷
收集
机制
注入位置
漏极偏压
Keywords
single event transient
drain bias
gate length
striking location
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
NMOS器件中单粒子瞬态电流收集机制的二维数值分析
卓青青
刘红侠
郝跃
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
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